tms320lf2407考试_tms320lf2407 开发环境_tms320lf2407(18)

1-检测到跳变软件向该位写1 (写0无效)或 器件复位 时，该位也被清0

位14-3,保留位。

位2,XINT2极性 。该读／写位决定了是在XINT2引脚信号的上升沿还是下降沿产生中断。

0-在下降沿产生中断

1-在上升沿产生中断位1,XINT2优先级 。

0-高优先级

1-低优先级位0,XINT2使能位 。

0-屏蔽中断

1-使能中断第3章 存储器及I/O空间

C240X芯片有16位地址线，可以访问3个独立的地址空间，总计 192K字。

程序存储器,64K字

数据存储器,64K字

I/O空间,64K字,包含片内外设寄存器

LC:无FLASH

LF:有FLASH，

片内：单端口SARAM（共2K字）

双端口DARAM（B0块、B1块、B2块共544字）

改进的哈佛结构，通过 3组并行地址总线 访问3个空间。

(1)程序地址总线（PAB)

(2)数据读地址总线（DRAB)

(3)数据写地址总线（DWAB)

可同时访问程序和数据空间,一个周期内，CALU可执行多达3次的并行存储器操作。

TMSC206:片内32K Falsh，B0-256个；B1-256个；

B2-32个 SARAM 4K字

TMSC240:片内16K Falsh，B0-256个；B1-256个；

B2-32个

TMSLF2407A(片内):

32K字 Falsh，

DARAM（双口RAM）为544个字：B0-256个；B1-256个；

B2-32个。

SARAM（单口RAM）2K字。

3.1 片内存储器

3.1.1 双端口RAM(DARAM)

544个字，分为三块：B0、B1、B2。

B0作程序存储器还是作数据存储器,由寄存器ST1的

D12位 CNF 来决定：

CNF=1，B0映射到程序存储器空间

CNF=0，B0映射到数据存储器空间

DARAM,双访问随机读/写 存储器，在单个机器周期内可被访问2次：

CPU在时钟的主相写入DAR AM；在时钟的从相从

DARAM读出数据；大大的提高了运行速度。

3.1.2 单端口RAM(SARAM)

2K字单访问随机读/写存储器，在单个机器周期内可被访问1次。

例如,一条指令要将A的值保存，且装载一个新值到A

在SARAM中需两个时钟周期，而在DARAM中需一个时钟周期，

3.1.3 FLASH程序存储器

LF2407：16K字,映射到程序存储空间。有片内程序存储器和片外程序存储器之分。

MP/MC

*

=0，选择片内Falsh存储器

MP/MC

*

=1，选择片外程序存储器，从片外程序存储器开始执行程序。

1.FLASH程序存储器特点：

（1）运行在3.3V电压模式；

（2）编程需在VCCP上加有5V电压；

（3）有多个向量，被保护，防止被擦除。

（4）编程由CPU实现。

2.FLASH控制方式寄存器（FCMR)

占用I/O空间 FF0Fh 。可对FLASH阵列编程。

3.访问FLASH控制寄存器内有4个寄存器，控制在FLASH中的操作。

3.2 程序存储器存放指令码、表格、常量寻址空间为64K字范围。

当某一片外地址被访问时，会自动产生控制信号：PS

*

、

DS

*

、STRB

*

两个因素决定程序存储器的配置

（1）CNF位

CNF=1，B0映射到程序存储器空间

CNF=0，B0映射到数据存储器空间

（2）MP/MC

*

脚

MP/MC

*

=0，选择片内Falsh存储器0000h-7FFFh

MP/MC

*

=1，选择片外程序存储器0000h-7FFFh开始执行程序。

程序存储器空间

3.3 数据存储器

1.数据存储器映射三块：B0、B1、B2。

本文来自电脑杂谈，转载请注明本文网址：
https://www.pc-fly.com/a/ruanjian/article-29489-18.html