国家高性能计算机工程技术研究中心_工程技术研究中心打算_国家级工程技术中心(17)

它主要用来描绘表面三维的原子，在纳米尺度上研究物质的特性，利用扫描显微镜还可以实属、合金、陶瓷薄膜，也可以制备复合薄膜，在功能性薄膜材料开发上得到重要应用 31 真空气相沉积系统 SpecialtyCoating公司/PDS-2010 2007 美国 37.80 薄膜厚度均匀性淀积Parylene薄膜，厚度100nm-50μm，薄膜厚度均匀性优于10%；原料全容量150g，制冷器冷凝温度－90℃以下 利用本设备可制备金属、合金、陶瓷薄膜，也可以制备复合薄膜，在功能性薄膜材料开发上得到重要应用 32 箱式真空镀膜机 南光机器厂/ZZS550-3D 2006 国内 46.20 极限真空 利用本设备可制备金属、合金、陶瓷薄膜，也可以制备复合薄膜，在功能性薄膜材料开发上得到重要应用 33 双离子束溅射镀膜设备 沈阳群英科友真空设备厂 2002 国内 56.98 极限真空度：2x10^(-5)Pa，溅射原离子能量：1000-4000eV 利用本设备可制备金属、合金、陶瓷薄膜，也可以制备复合薄膜，在功能性薄膜材料开发上得到重要应用 34 原子层沉积系统 Cambridge Technology/Savannah 2007 美国 106.89 Input Voltaye：100-120VAC 利用本设备可制备金属、合金、陶瓷薄膜，也可以制备复合薄膜，在功能性薄膜材料开发上得到重要应用 35 等离子体刻蚀机 STS公司/STS AOE 2002 英国 652.04 真空度10^(7)T，刻蚀速率（SiO2）3000埃/分，对光刻胶选择比>5，均匀性±5%，侧壁垂直度90°±1° 可刻蚀二氧化硅、Si、SiN、光胶乙刻等薄膜，并可切换成RIE使用 36 等离子刻蚀系统 STS公司/ICP 2002 英国 583.17 极限真空3E-7T，6种工艺气体，13.56MHz RF Power分别是300W、1000W 可刻蚀二氧化硅、Si、SiN、光胶乙刻等薄膜，并可切换成RIE使用 37 反应离子刻蚀机 Trion/Minilock 2008 美国 340.07 最大晶片尺寸：4英寸，6路工艺气体，各路最大流量分别为：200sccm，89sccm，98sccm，140sccm，84sccm，53sccm 通过物理与化学相结合的方法，对很细的线条（亚微米以下）进行刻蚀以形成精细的图形 38 低气压化学气相沉积系 洛阳神佳窑业/Sjg-101 2009 国内 36.29 工作温度：（350-1100）℃；背景真空度：1×10↑-a，恒温区长度：≥300mm；温度精度：（350-1100）℃内±1℃/300mm，石英工艺管：Φ101.6×1650mm，极限真空度：1×10↑-4Pa，控压范围：1-760Torr，精度±1Torr 用来沉积多种材料 39 等离子增强淀积机 STS公司/PECVD 2002 英国 417.64 真空度10^(-4)T，双频，双电源，进气温度250℃，衬底温度300℃ 主要用于制备集成电路或其他半导体芯片表面钝化保护层，以提高器件可靠性和稳定性 40 差分扫描量热仪 NETZSCH公司/DSC204 2001 德国 42.00 分辨率0.1mg 在程序控制温度下，测量输给物质和参比物的功率差与温度关系 41 自动清罐仪 北京博赛德科技公司/3104A 2007 国内 29.03 一级隔膜泵，Smartlab工作站软件，4位罐清洗支架，二级高真空分子涡轮泵 自动清洗罐体 42 兆声波清洗机 BECO公司/BECOⅡ 2002 美国 138.38 950MHz 用液体中气泡破裂所产生的冲击波来达到清洗和冲刷工件内：±2.0V，电流范围：±1.0A，包含太阳能模拟器件，可输出300W全光谱太阳光，光束尺寸为2inX2in，均匀性±5% 主要用来测试光电材料的I-V特性 44 高性能示波器 Agilent/DSO90404A 2008 美国 47.40 13GHz，40GSa/s 用于观察电压随时间变化的仪器 45 数字荧光示波器 泰克/DP072004B 2009 美国 128.06 带宽：20GHz，上升沿：17ps，采样率：50G/s/通道。

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