国家高性能计算机工程技术研究中心_工程技术研究中心打算_国家级工程技术中心(16)

2.光谱分析系统：SP-2358光谱仪（光栅：300线，[emailprotected]，1200线全息），Spec-10：100B/XP CCD，光纤耦合 记录物质紫：210nm-2μm；侧角器定位精度：±0.01°，建模和分析软件Winelli 4.07提供材料常数、多种算法定律 用于探测波膜厚度、光学常数以及材料微结构。

由于与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空 16 椭偏谱仪 HORIBA Jobin Yuon/UVISEL FUV 2007 法国 105.13 入射角范围：(40°-90°)；光谱范围：190-830nm；样品尺寸：最大8寸；分辨率：500nm处优于2nm；样品台Z向调节范围：0-4mm 用于探测波膜厚度、光学常数以及材料微结构。由于与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空 17 单分子荧光探测系统 Roper Scientific Inc/CASCADE-512B 2003 美国 53.47 512x512imagcng array，16x16-μm Pixels 可探测某些低对比度或弱荧光样品 18 电子显微镜 FEI公司/TECNAI20 2001 美国 546.31 点分辨率2.5埃，线分辨率1.4埃 可以对半导体、超导体、微电子器件、矿物、有机和无机物、生物样品等进行1nm范围内的化学元素成份分析和衍射花样记录 19 场发射扫描电镜 FEI公司XL30SFEG 2002 荷兰 391.61 10KV加速电压下分辨率1.5nm，1KV下分辨率2.5nm，EDAX能谱分辨率136eV 适用于纳米材料精细形貌的观察，可获得高质量高分辨二次电子图像，其图象质量明显优于普通扫描电镜。

该设备适用于物理、材料、半导体、超导体、磁性材料、化学高分子、催化剂、地质矿物、生物、医学等领域的微观研究 20 场发射扫描电子显微镜 日本电子株式会社/JSM-7500F 2007 日本 279.75 分辨率：1.0nm(15KV)，1.4nm(1KV).放大倍数：25倍－分辨率：1.0nm(15KV)，1.4nm(1KV).放大倍数：25倍－1，000，100倍（SEM模式）。加速电压：0.1KV-30KV。电子抢种类：冷场发射电子抢。WD工作距离：1.5-25mm 适用于纳米材料精细形貌的观察，可获得高质量高分辨二次电子图像，其图象质量明显优于普通扫描电镜。该设备适用于物理、材料、半导体、超导体、磁性材料、化学高分子、催化剂、地质矿物、生物、医学等领域的微观研究 21 扫描显微镜 Nanofaitory/TEM-STM 2002 瑞典 54.56 压电陶磁Z方向移动范围：几个毫米。国家高性能计算机工程技术研究中心Z方向压电陶磁分辨率：0.0025nm；两极电压：-140V-140V；电流量程：5000μA，X-Y分辨率：0.02nm.可在透射电镜中使用 扫描显微镜，具有很高的空间分辨率，横向可达0．l纳米，纵向可优于0．01纳米。

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