在图1B类型分布中,ΔC不得不维持相对较大,即约1.8%到2%,以防止DC光纤是弯曲敏感的,在本发明的光纤中nC的值可以是这样的,使得ΔC≤1.8%,在某些情况中,nC较佳地要足够低,使得ΔC≤1.5%,这种光纤不会显露过大的弯曲灵敏度。
壕区32的深度随半径增大而减小。获得这种类型分布的一种方法是对多孔管状预制件进行掺杂,通过让含氟的气体流入到管状预制件的中心并通过预制件孔向外流出而形成壕区。壕区分布39和40可以通过让掺杂物气体,较佳地是CF4沿管状预制件的外表面流动以及在掺杂步骤期间流入到其中心而获得。尽管壕区32的ΔM值比区39的低,但是二者分布对光纤特性具有相似影响。尽管壕区32和40具有相同的最大深度,壕区40对色散斜率具有更大的影响,因为壕区40的低ΔM通过其整个半径延伸。然而,为了提供适当的色散特性,-0.7%≤ΔM≤-0.4%,为了光纤制备的便利,当采用特定光纤制备工艺方法时,ΔM≥-0.65%。
图3的环33和34可以用0德尔塔的区(线35)分开,或者它们可以用正或负的德尔塔的区分开,正如分别用虚线36和37表示的。另一方面,环可以彼此直接相邻,由此间隔为0。环区的内侧和外侧部分的峰折射率较佳地是不同的,折射率较佳地是这样,ΔR1<ΔR2。较低的ΔR1值趋向于提供色散斜率负数更大的值。然而,有效面积减小,弯曲性能变差。
图3示出包层处于外环34以外的半径处,分布可以包括环34与包层38之间的正和/或负德尔塔的附加区,其作用是改善色散特性或其他光纤特性。
图3是希望仅仅说明本发明的理想折射率分布,当基于该图的光纤在实际制造时,象壕32边缘的方形边缘将由于诸如掺杂物扩散的工艺条件而变圆或者别的改动。折射率分布的圆形部分在图4中是明显的,该图是纤芯预制件的折射率分布,它的环区分别包括分开的内外环33’和34’,其中ΔR1<ΔR2和ΔS>0。
作为由环区外侧部分中折射率分布提供的色散特性上改善的一个例子,形成具有相似折射率分布的DC光纤。第一光纤具有图1B类型分别,第二光纤的不同之处在于它包含第二环34’,如图4所示。对于这两种光纤,ΔC、ΔM、ΔR1的值分别约为1.9%、-0.52%、0.25%。图4分布的环的中心之间的间隔s约为1.15μm。ΔR2的值约为0.42%,ΔS的值约为0.16%。
图1B类型光纤在约1550nm的测量波长上呈现-85ps/nm·km的色散和-
图1B类型光纤在约1550nm的测量波长上呈现-85ps/nm·km的色散和-0.17ps/nm2·km的色散斜率。图4类型光纤在相同测量波长上呈现-120ps/nm·km的色散和-0.2ps/nm2·km的色散斜率。增加第二环34’较大地增大了截止波长,还使光纤在更大的色散负数下更加稳定。这一新设计的另一个很需要的属性极大地改善了弯曲灵敏度。第二光纤的弯曲边缘约为1700nm,而图1B所示光纤的弯曲边缘在约1600nm的波长上。
图5A、5B和5C的分布呈现了良好的色散特性。在图5A中,内环部分44具有相对较小的德尔塔,而在300至425是易于达到的。环的内侧部分的德尔塔以ΔI表征,这是在光纤的壕区与环部分之间界面43上的折射率德尔塔。ΔI的值应当小于0.15%,较佳地为0或接近于0。环区的外侧部分45以折射率德尔塔ΔR和半高环宽度wR来表征。环的外侧部分的另一个重要特性是环峰半径相对于壕外侧边缘的位置(rR-rM)。(rR-rM)的值应当在0.3μm与3μm之间,较佳地在1μm与2.5μm之间。
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