色散补偿光纤原理_色散补偿光纤型号_光纤衰减和光纤色散(10)

不管中心纤芯区是否与包层一起进行上掺杂，可以看到，在约1550nm的波长上能够实现-0.3至-0.4ps/nm2·km的负色散斜率，而色散约为-80至-100ps/nm·km。对于掺铒光纤放大器工作窗口中的完全补偿，-0.28至-0.34ps/nm2·km的斜率是-85至-100ps/nm·km范围色散所需要的。从图7描绘的数据点可以看到，在分布B、C、D和E当中已经实现这一要求。

在图8中，绘出了DC光纤A到E的色散/色散斜率的比率与色散的函数关系。实线是SMF光纤的色散/色散斜率值。这幅图形示出了，如果采用表2的光纤分布D，在1550nm工作窗口中对于约-90ps/nm·km的色散，应当实现完全补偿。

因此可以看到，本发明的环区能够实现相对较深的壕，而不会不利地减小光纤截止波长，由此提供高Gbs系统所需的十分大的负数色散斜率。

在由图9表示的传输系统中采用了按照本发明的DC光纤。信号的源81以大于1520nm的波长发射到传输链路中，包括在1294nm至1330nm范围内在诸如约1310nm波长上具有0色散的标准SMF光纤82。在SMF光纤82的端部，将信号耦合到掺铒光纤放大器83中。按照一个特定系统，然后将放大后的信号耦合到DC光纤84中。补偿光纤84可以位于传输链路中放大器83的任何一侧。此外，它可以位于SMF光纤82之前，使信号预先畸变，然后对其进行放大和发送。在有些系统中，可以采用DC光纤84，没有放大器，这取决于传输链路的长度。在将信号送至检测器85之前，采用带通滤波器86来滤除来自光纤放大器83的不想要的放大的自发辐射。图中未示出其他设备，如WDM组件。

结合图5A和5B说明，ΔI值接近0的DC光纤显示了十分好的色散和衰减特性。在制造这种光纤时，形成与壕区界面的多孔预制件的区域是由纯SiO2形成的，相邻的环区是由掺有折射率增大掺杂物(如GeO2)的SiO2形成的。在固结多孔预制件的过程期间，一些GeO2会扩散到相邻硅石区中，由此ΔI比0大得多，κ增大，弯曲损耗增大。导致形成图5B类型光纤的以下过程使GeO2扩散最小。

掺锗的硅石的中心芯棒是由任何一种适当的技术形成的。锗的浓度随半径减小，由此折射率按照方程式n(r)＝nC[1-(r/a)α]在径向上降低，这里α约为2，nC是棒的峰折射率，a是棒的外半径。

以传统方法通过在大直径模心上沉积硅石微粒形成掺氟的硅石管，然后取以传统方法通过在大直径模心上沉积硅石微粒形成掺氟的硅石管，然后取出模心，形成管状多孔预制件，它悬置在固结化炉中。在形成多孔预制件的过程期间以及在干燥/固结化过程期间采用图10所示类型的标准设备。将预制件初始加热到约1000℃足够长的时间，使其干燥，同时让氦流过马弗炉膛和让氦和氯流入预制件的中心。然后通过以足够速率降低预制件通过约1500℃的炉子热区而让氦和CF4流过马弗炉膛以及让氦、氯和CF4流入到预制件的中心，使其经受梯度固结化。

在第二次通过期间，将产生的预制件再加热到大于1000℃且小于烧结温度的温度，在掺氟管的下一步处理期间降低籽晶。这可以在氦流过马弗炉膛和氯流入管的中心时，通过以适当的速率通过1400℃的炉子热区拉制预制件来进行。这一过程形成一个固体的掺氟硅石管。

将上述的芯棒放在固体掺氟管中，通过对管子加热以及让氯流过棒与管之间的区域而影响氯清除。而后对棒与管之间的区域抽真空，对棒与管的组合端加热和再拉制，使管子坍塌在棒上，形成直径8mm中间预制件，其中管子与芯棒紧密接触。

然后从燃烧器91在模心90依次沉积未掺杂和掺杂硅石微粒层而形成多孔环预制件89，如图10所示。一个手柄(见图11)环绕模心90的一端。使模心其沉积过程期间相对于燃烧器沿其轴来回平移并绕其轴旋转。燃烧器91是普通的燃烧器，具有一个中心烟孔，周围是提供火焰气体的开口同心环，内屏氧IS和外屏氧OS。表5中列出了气体和反应剂到各个燃烧器开口的流动速率，这里所有的流动速率是以slpm为单位表示的。表5给出仅仅针对制造多孔预制件的内部稠密和过渡部分需要的这些燃烧器通过的流动速率。其余的燃烧器通过以普通方式进行。

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