色散补偿光纤原理_色散补偿光纤型号_光纤衰减和光纤色散(11)

表5火焰通过次数ISOSO2CH4SiCl4烟雾O21 0.75 1.5 3.5 5.000.52 3.0 6.0 4.2 5.01.3 2.011 3.41 5.81 5.11 6.078 1.32 2.36812 3.41 5.81 5.11 6.078 1.32 2.368

在燃烧器相对于模心的第一次通过期间未发生沉积。在通过2-11期间，在形成高密度层多孔硅石的条件下在模心上沉积一层玻璃微粒，流动速率线性地从通过2时的速变为通过11时的速率。在燃烧器通过12-36期间，形成一个过渡层硅石，其中密度从高密度变为正常密度，流动速率线性地从通过12时的速率变为通过36时的速率。

预制件的其余部分是以普通方式沉积的。在通过37-156期间，沉积正常密度硅石。在通过157-201期间以普通方式沉积掺GeO2的SiO2。通过202-1201在多孔预制件上沉积纯硅石外层。

从多孔预制件89和手柄93上取出模心90，形成图11所示的空心的多孔预制件89。将长度较短的硅石毛细管95插入到与手柄93相对的预制件孔径96的端部。

给手柄93的小直径端提供多个凹陷101。在中间预制件棒99的一端上形成一个放大的端100。通过手柄93将棒99插入到预制件孔径96中，直至放大端100接触凹陷101为止。通过手柄93将复合预制件悬置在固结炉中，图中示意地示出了其炉膛94。将炉子加热到约1000℃60分钟，而让640sccm氦和66sccm氯通过手柄93流入到孔径96(箭头97)中，使预制件干燥。然后通过1500℃的炉子热区以5mm/分降低预制件，而让20slpm氦流过马弗炉膛(箭头98)和320sccm氦和90sccm氯通过手柄93流入孔径96中使预制件经受梯度固结。当背压计指示，管子95封闭，终止气体流动97。在烧结阶段期间，以5mm/分驱动产生的预制件通过1400℃热区，而让20sccm氦流过马弗炉膛。在固结过程期间，多孔预制件89坍塌在棒99上，形成固体玻璃棒，其折射率分布示于图5B中。将玻璃棒插入拉制炉中进行拉制，减小其直径，形成最终的预制件棒。

给最终的预制件棒进一步覆盖硅石微粒外包层，使其固结，形成用于拉制DC光纤的坯料。施加的外包层的量确定拉制光纤的纤芯直径，这又确定光纤的色散其他特性。正如表3A和3B所示，色散特性和诸如截止波长的光学特性也是由环峰与壕外层边缘之间的径向间隔确定的。这一径向距离是由沉积了过渡层之后沉积SiO2所采用的通过次数确定的。在上述例子的具体沉积部分中，其前36次燃烧器通过列在表5中，这一距离是由从通过37到156的120次通过确定的。

在表2A、2B、3A和3B中将产生的光纤的特性设定为DC光纤H。由于制造光纤的过程的两个特征，实现了ΔI接近于0。

第一过程特征涉及形成光纤包层环区和内区的预制件的沉积。要求DC光纤的这一区域包含很少或者不含折射率增加掺杂物(如GeO2)。为了防止GeO2扩散到SiO2内环区，尤其是到环/壕界面，形成环区的多孔预制件的第一沉积部分是以明显高于正常沉积密度的密度沉积的。为了实现这，形成SiO2的反应剂(如SiCL4)的流动以这样的流动速率降低，该流速小于在大于过渡区的半径上用以形成SiO2区的正常反应剂流动速率的70％。此外，在高密度层的沉积期间火焰温度高。在大于过渡区的半径上低密度区的密度是比预制件的第一沉积部分的密度低至少30％。而采用硅石和锗石制造以上例子的预制件，本发明的改进方法应用于任何合适的基本玻璃和折射率改进掺杂物。

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