第二个过程特征涉及形成光纤包层的环区和内区的预制件的固结。为了进一步防止GeO2扩散到SiO2内环区到环/壕界面,在烧结阶段期间让至少75sccm氯流入预制件孔径中。由于在预制件孔径和多孔预制件的相邻部分中的氯的高浓度,GeO2几乎不可能沉积在预制件的这个区域中。
没有这两个过程特征,GeO2则会从外环区45’扩散到内环区47(图5B),赋予内环区足够大的ΔI正值,κ则增大,截止波长则低于所需值,因此减小弯曲边缘波长。
单单这些过程特征中的任何一个便会导致GeO2扩散的某些降低。
对于本发明可以作出各种改进和变化,而未偏离本发明的精神和范围,这对于本领域技术人员而言是显然的。因此,希望本发明覆盖本发明的这些改进和变化,只要它们在所附权利要求书及其等效的范围内。
权利要求
1.一种色散补偿光纤,其特征在于所述光纤包括透明材料的纤芯,周围围绕折射率nCL的透明材料的包层,所述纤芯包括三个径向相邻区,按照半径的增大依次称为(a)具有最大折射率nC的中心纤芯,使得ΔC大于+1.2%,(b)具有最小折射率nM的壕区,使得ΔM≤-0.4%,(c)包括折射率随半径增大而增大到折射率至少nR的区段的环区,使得ΔR≥+0.15%,所述区段位于所述壕区之外至少0.3μm的半径处,所述光纤的折射率分布是这样的,所述光纤的色散斜率在约1550nm波长处比-0.15ps/nm2·km负数更大,这里ΔC等于(nC2-nCL2)/2nC2,ΔM等于(nM2-nCL2)/2nM2,ΔR等于(nR2-nCL2)/2nR2。
2.如权利要求1所述的光纤,其特征在于所述环区包括分别具有最大折射率ΔR1和ΔR2的内侧部分和外侧部分,所述折射率大于ΔCL,以及其中ΔR1<ΔR2,这里ΔC等于(nC2-nCL2)/2nC2,ΔR1等于(nR12-nCL2)/2nR12,ΔR2等于(nR22-nCL2)/2nR22。
3.如权利要求2所述的光纤,其特征在于所述内侧环区部分和外侧环区部分被折射率nS(小于nR1和nR2)的中间环区分开。
4.如权利要求2所述的光纤,其特征在于所述内侧环区部分在位置上与所述外侧环区部分直接相邻。
5.如权利要求2所述的光纤,其特征在于ΔR1≥0。
6.如权利要求2所述的光纤,其特征在于ΔR1<0。
7.如权利要求2所述的光纤,其特征在于所述环区的外侧部分包括具有最大折射率n2的峰,使得ΔR2≥+0.15%,以及所述峰的最大折射率位于离开壕区外侧边缘0.3μm与3μm之间。
8.如权利要求7所述的光纤,其特征在于所述峰的最大折射率位于离开壕区外侧边缘1μm与2.5μm之间。
9.如权利要求1所述的光纤,其特征在于所述环区的最大折射率出现在所述环区中心半径以外的半径上。
10.如权利要求1所述的光纤,其特征在于所述环区的最大折射率出现在所述环区的中心半径上。
11.如权利要求1所述的光纤,其特征在于所述光纤的径向折射率曲线的特征在于,所述环区外侧一半曲线下的面积大于所述环区内侧一半曲线下的面积。
12.如权利要求1所述的光纤,其特征在于所述包层由硅石构成,所述壕区由掺有折射率减小掺杂物的硅石形成。
13.如权利要求12所述的光纤,其特征在于所述折射率减小掺杂物包括氟。
14.如权利要求1所述的光纤,其特征在于所述包层由掺有折射率增大掺杂物的硅石构成,所述壕区由掺有折射率减小掺杂物的硅石形成。
15.如权利要求14所述的光纤,其特征在于所述折射率减小掺杂物包括氟。
16.如权利要求1所述的光纤,其特征在于ΔM≥-0.7%
17.如权利要求1所述的光纤,其特征在于ΔC≤2%。
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