tms320f2812_tms320f2812有哪些外设_tms320f2812的并行机制

flash内得程序代码以最快速度运行，需要设置flash配置寄存器的等待周期数，而“设置flash配置寄存器的等待周期数”的这段代码是不能在flash内部执行的，这样就会出现两种实际的配置方式：

一种是2812系统无外扩程序存储器，此时程序只能写在2812内部得flash区，程序运行开始后，需要将“设置flash配置寄存器的等待周期数”的这段代码用数据复制的方式复制到内部sram区，比如

L0 区，然后使用跳转指令跳转到L0

区“设置flash配置寄存器的等待周期数”的代码进行flash配置寄存器的设置，设置完成后再使用跳转指令跳转到flash程序区执行正常的功能程序。这样以后的flash内的代码就会以最快速度运行。

还有一种是2812系统外扩了部分“引导”程序存储器，“设置flash配置寄存器的等待周期数”的这段代码放置在外扩的“引导”程序存储器内，而其他的所有程序代码都放在2812内部flash区，系统复位后，首先运行外扩的“引导”程序存储器内的程序，一旦完成了对内部flash配置寄存器的设置后，即跳转到flash程序区执行正常的功能程序。

正如上述，对2812外部接口XINTF配置寄存器的设置代码，也是不能在“外部”程序代码区进行的，为了实现对其的正常设置，可仿照上述办法进行相关操作。

成功烧写TMS320F2812经验

分类:默认栏目用的是CCS2.20版本提供的SDFLASH,设置好SDFLASH后,主要是要将需要下载的.out文件写进去.

关键在于仿真时的cmd文件要加以更换成新的.使用的是:

-o .DebugPULSE_AD.out

-m PULSE_AD.map

MEMORY

{

PAGE 0 :

OTP : origin = 0x3D7800, length = 0x000800

FLASHJ : origin = 0x3D8000, length = 0x002000

FLASHI : origin = 0x3DA000, length = 0x002000

FLASHH : origin = 0x3DC000, length = 0x004000

FLASHG : origin = 0x3E0000, length = 0x004000

FLASHF : origin = 0x3E4000, length = 0x004000

FLASHE : origin = 0x3E8000, length = 0x004000

FLASHD : origin = 0x3EC000, length = 0x004000

FLASHC : origin = 0x3F0000, length = 0x004000

FLASHB : origin = 0x3F4000, length = 0x002000

FLASHA : origin = 0x3F6000, length = 0x001FF6

BEGIN : origin = 0x3F7FF6, length = 0x000002

PASSWDS : origin = 0x3F7FF8, length = 0x000008

ROM : origin = 0x3FF000, length = 0x000FC0

VECTORS : origin = 0x3FFFC2, length = 0x00003E

PAGE 1 :

/* SARAM */

RAMM0M1 : origin = 0x000000, length = 0x000800

本文来自电脑杂谈，转载请注明本文网址：
http://www.pc-fly.com/a/tongxinshuyu/article-39167-1.html