地铁哪里需要漏泄电缆_地铁漏泄电缆预算_漏泄同轴电缆和射频同轴电缆的区别是什么(2)

另外，在3GHz度以下传输频段时，由十摊肤教府和邻近效应，电流滑着内导体的外表面和外导体的外表自】进行佳输。漏泄同轴电缆和射频同轴电缆的区别是什么崮此，甘体表向质量，如襄面光滑及氧化等，尤其是内导体表面质量对同轴电缆的传输囊碱的影响尤为氧要II。 其次，随着频率增加选到2GHz后．绝缘的介质衰减足不容忽视的。绝缘介质的损耗由介厦的相对介电常数r和损耗因予决定。搅托Nr和介电常数之比通常称为舟质损耗角正切值培d。 般来说，介质损耗角正切倩越大，则介质损耗越大。因为损fE较人，会使舟质温度不断上升，促使材料旋热老化以致损坏，从而丧失绝缴性能呵由穿。绝缘能力的F降直接反映为介损增大。通常采用发泡的方式，如皮～泡～皮物理靛泡的方式来降低f和tgJ【”，从实际情况来看．发泡度是影响电缆介质采减的最t要的园黍”J。 辐身『型漏缆足用薄铜作为外导体，在外导体E开有币同尺寸和角度的周期性的槽孔。由于在传输电蹴渡能量的过程中不断向外辐射能艋，敞还存佑辐射损耗．限制漏泄电缆的纵向传输距离，辐射损耗取决干电缆的槽jL结构 大小及倾斜角度 ，同时也壁传输频率及电缆周边环境的影响l”。 综上所述，在CST仿真中．传输损耗l垂米自于填充介质、铜皮的损耗、漏缆的槽孔结构和传输频举。

3、0ST仿真模型的确定 作为个例子， 串：文对我们设H的单儿宁柑孔赫泄同轴电缆在CST-l-进行建模片进行分析，茸结构如图4所示。此娄黠构的凡寸和频率啦位的设置分别为inm和GHz。同时将背景材料设胃为真宅，边界都被设置为。opcn”．这样所璺建的模型就是真实模型的实体。⑨J纛。一高品质射频电缆技术研讨会 罄光电线缆分会第八次专家组会议 图4某单八槽漏缆csT仿真模型 XO．1mm，长度为1m。内、外导体电导率是5．810～s／m，相对导磁率是l。物理发泡后绝缘介质的相对介电常数为1．28，介质损耗角正切值设为lO一，相对导磁率为l。 在漏泄同轴电缆的外导体上绘制单八字槽孔，首先创建上述漏泄同轴电缆，这是槽孔共形的载体。利用局部坐标系，建立共形的单元。画单八字槽孔中的一捺 或一撇 ，然后拉伸成面，再拉伸成体，当然要注意这个共形单元“一捺 或一撇 ”要和刚刚建立的外导体铜带充分相交才可以。建好之后，将这个共形单元与外导体铜带做布尔相乘运算，实现的功能就是取两个物体相交的部分。这样，单八字槽孔在漏泄同轴电缆外导体上就建立起来了。 接下来是给漏泄同轴电缆加上激励端口，在漏缆的两个端面定义波导端口，以便计算S参数。

本例中，我们将采用CST的时域求解器计算频率从肚2．6GHz的S参量。 在时域求解器的对话框中通过设定Accuracy参数，可以控制截断误差【6】。为了得到高精度的结果，可以将精度设定为．50dB。另6某单n宇槽孔漏泄同轴电髓鲰向衰减蒲试值 目7菜单儿字槽孔鬻泄同轴电媲纵向寰臧 实测Ⅻ仿真结果对比围 我们对螋单八字精孔漏泄同轴电缆纵目鹿减的实际测试值和仙找 1箅值进行了比对．如削7所示．^．800MHz、900MHz缺段上的仿“值‘，爻删试值是吻台的。在更高频段上，仿真值。o实测试恤存在较人差删．这需要进步研究。5、结束语 奉支是在CST电磁场侑真工肄中对某单八字褙扎漏泄同轴电缆进行建模．井对仿真中影响漏泄问轴电缆纵向衰减的田亲进行了讨论。

我们¨算丁该漏缆的S参数．，¨哿该漏缆纵向衰减的仿真计算值和实际测、试值进行丁比对。参考文献： fI】微被技术联盟论t CSTI作宣嚣装一-向糍慨念．20帖 SYce,N啪州吲酬ud明ofinitiall∞undary 『2】K 302t307，1966 IEEETms^n呦瞄P”pagatvo】AP-14．PP 【3l媲普化．来宗玫赢潲同轴电蠖腑性镌分析驶庙用堪r机槭，2003 6，2008 f41*m影响射颧H轴吨缠衰减的田寨电线电埋，Vol 4，2008 【5]扬Ⅱ生物Ⅱ蛙泡FEP册挤出I兰光料’旭缆厦苴R用拄术，v。l 【6j张敏CST微波L作宣用户垒书 卷蜷_1电7科挂大学…版仉2004

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