免费下载IGBT栅极驱动电路的详细学习课件

IGBT的栅极驱动条件与其静态和动态特性密切相关.

栅极电路的正偏置电压VGE，负偏置电压-VGE和栅极电阻RG的大小具有IGBT的导通压降，开关时间，开关损耗，能力等参数. 承受短路和dV / dt电流的不同程度的影响.

栅极正电压VGE的变化对IGBT的导通特性，负载短路能力和dVCE / dt电流影响更大.

负栅极偏置对截止特性的影响更大.

IGBT对栅极驱动电路的特殊要求

由于IGBT的开关特性和安全工作区域随栅极驱动电路的变化而变化，因此驱动电路的性能较差往往会导致器件损坏. IGBT对驱动电路有许多特殊要求:

1）驱动电压脉冲的上升率和下降率应足够大.

2）IGBT导通后，栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流必须具有足够的幅度.

在瞬时过载的情况下，栅极驱动电路提供的驱动功率应足以确保IGBT不会离开饱和区域并损坏.

3）由IGBT提供给IGBT的IGBT栅极驱动电路的正向驱动电压必须为10 VGE的适当值. 尤其是在具有短路操作过程的设备中使用IGBT时全桥逆变电路图，应根据需要选择正向驱动电压的最小值.

4）在IGBT的关断过程中，施加在栅极和发射极之间的负偏压有利于IGBT的快速关断，但不应过大. （通常为-10V）

5）在大电感负载的情况下全桥逆变电路图，过快的开关速度是有害的，但是当IGBT快速导通和关断时，大电感负载将产生高振幅和窄宽度的高频. 峰值电压Ldi / dt，峰不易吸收，容易造成设备损坏.

6）由于IGBT通常用于高压应用中，因此驱动电路应在电位方面与整个控制电路严格隔离. 通常，使用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离.

本文来自电脑杂谈，转载请注明本文网址：
http://www.pc-fly.com/a/tongxinshuyu/article-252132-1.html