国内首款6英寸碳化硅MOSFET晶片在上海诞生

我们从临港科技城获悉，国内首款6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶片诞生于上海展信电子科技.

单晶碳化硅是一种新型半导体材料，具有高禁带宽度，高击穿场强和高导热率等优异特性，使其成为制造高温，高频和高功率的理想半导体材料. 电力电子设备. 由于使用它制造的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）器件6英寸晶圆生产线，其开关速度是传统硅基产品的几倍，因此，由它开发的电动汽车的电气控制系统可以减少大约三分之二. 并且可以将音量降低80％.

近年来，随着国际上6英寸碳化硅晶圆的生产，绿色节能的碳化硅半导体产业链正在逐步形成. “它可以为电力电子芯片产品的升级提供核心保证. ”俊鑫电子相关负责人介绍，该芯片将推动混合动力和纯电动汽车，太阳能光伏发电，风力发电，高铁和轨道交通，智能电网，智能化等家电行业发生革命性变化和航空航天.

该公司于去年7月在上海临港科技城正式注册. 在不到一年的时间里，它完成了芯片设计，并在一条成熟的批量生产的6英寸工艺生产线上成功完成了碳化硅的生产. （SiC）MOSFET制造工艺. 晶圆级测试结果表明，所有电参数均达到了预期.

目前，国内领先的比亚迪，Sungrow和华为公司已经在其旗舰产品系列中广泛使用了碳化硅MOSFET. 在国际上6英寸晶圆生产线，欧洲的350千瓦增压站已经采用了这种模块产品. 新一代新能源汽车中的双向车载充电器和高性能电驱动单元也已成为此类设备应用的绝佳场所.

右: 国内首款6英寸碳化硅MOSFET晶圆成功地打开了工艺流程，并将在未来的许多行业中使用.

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