内存时序和内存频率一样，都代表了一款高低

内存时序与内存频率相同，两者都代表内存的性能。

内存序列由4个用破折号隔开的数字组成，如16-18-18-38

这些数字表示延迟，即内存的响应时间。当内存收到CPU的指令时，通常需要几个时钟周期来处理，比如访问某条数据。因此，时间越短，内存性能越好。

频率和时序共同决定了内存的运行速度。但是，相对于频率，时间序列是由四位数字组成的，每个数字都有不同的含义，理解起来自然更加复杂。

内存序列对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，单位为时间段，其含义如下：

CL（CASLatency）：列地址访问的延迟时间是序列中最重要的参数。

tRCD（RASto CAS Delay）：从内存行地址到列地址的延迟时间；

tRP(RASPrecharge Time)：内存行地址选通预充电时间；

tRAS（RASActive Time）：行地址被激活的时间。

看完之后是不是很迷茫？没关系，我给你举个例子。

我们可以想象数据在内存中存放的地方如上图。每个方块存储不同的数据。 CPU需要什么数据，就向内存发送指令，比如想要的位置是。

接下来，内存首先要判断数据在哪一行，所以时序的第二个参数tRCD代表这个时间，意思是内存控制器收到行指令后等待访问这一行需要多长时间.

由于这一行包含多个数据，内存不可能是CPU需要查找的，所以tRCD的值是一个估计值。这就是为什么这个值的微小变化不会影响内存的性能。

内存确定了行之后，如果要查找数据，还必须确定列。那么时序的第一个数字，也就是CL（CAS），表示在确定了行数之后，内存需要等待多长时间才能访问到具体的列数（时间段）。

行和列不可避免地会产生交集，这意味着确定行和列数后，可以准确找到目标数据。因此，CL 是一个准确的值。任何变化都会影响目标数据的位置，因此最关键的参数对内存性能起着举足轻重的作用。

内存时序的第三个参数tRP是，如果我们确定了一行，就需要确定另一行的等待时间（时间段）。

第四个参数tRAS可以简单理解为内存中写入或读取数据的时间，一般接近前三个参数的总和。

所以，在保证稳定性的前提下，内存时序越低越好。

那么，时序对内存性能有多大影响？

我们做了一个测试，在保持内存频率不变的情况下，随着时间的推移，内存性能越来越强。

相比之下，时序改变后，内存延迟的变化比内存读写速度的变化更明显，这也说明时序的影响主要集中在延迟上。

现在，关于时间，你明白了吗？

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