内存时序（英语：Memorytimings）性能的四个参数

内存时序（英文：Memory Timings 或 RAM Timings）是描述同步动态随机存取存储器 (SDRAM) 性能的四个参数：CL、TRCD、TRP 和 TRAS，以时钟周期为单位。最小时间是根据规范设置的，因此可以尽可能快地读取每个 DDR 规范的 RAM 时间表。

我们使用时钟周期来衡量内存时序。零售商列出的时间是由破折号分隔的四个数字，例如 16-18-18-38。数字越小，速度越快。

第一个数字：CAS 延迟 (CL)

内存响应 CPU 所需的时间是 CAS 延迟 (CL)，但不能孤立地考虑 CL。此公式根据 RAM 的传输速率将 CL 时间转换为纳秒：

(CL/传输率)x2000

因此，如果 RAM 的 CL 较短，则较慢的 RAM 实际上可以具有较低的实际延迟。

第二个数字：TRCD

RAM 模块采用了基于网格的寻址设计，行号和列号的交点代表一个特定的内存地址。行地址到列地址延迟 (TRCD) 测量在内存中输入新行和开始访问其中的列之间的最小延迟。您可以将其视为 RAM“到达”地址所需的时间，从它之前不活动的时间开始。该行接收第一位所需的时间为TRCD + CL。

第三个数字：TRP

线路预充电时间 (TRP) 衡量在内存中打开新线路所涉及的延迟。从技术上讲，它测量的是向空闲（或关闭）线路发出预充电命令和向打开另一条线路发出激活命令之间的时间延迟。它通常与第二个数字相同。同一因素影响这两个操作的延迟。

第四个数字：TRAS

行活动时间 (TRAS) 测量行必须保持打开状态才能正确写入数据的最小周期数。从技术上讲，它衡量的是同一行上发出的激活命令和预充电命令之间的延迟，或打开和关闭该行之间的最短时间。对于 SDRAM 模块，TRCD + CL 计算 TRAS。

如何计算内存时序？

内存时序可以通过CPU-Z或BIOS/UEFI等软件在机器或模块上查到。 RAM模块全称如下：

DDR4 3200 (P 25600)

DDR4 描述了与芯片兼容的 DDR 一代。相同的数字（2,3,4)出现在PC号中，描述相同的事物。

前四位数字，在我们的示例中为 3200，通常代表 RAM 时钟速度（以兆赫为单位）。这个数字实际上报告的是每秒兆比特的数据速率。

在 DDR RAM 中，实际时钟速度是我们示例中数据速率的一半 - 1600mhz，尽管 RAM 内部时钟速度是 400mhz，基于乘法预取位来增加它。

但是因为DDR每个时钟周期传输两次数据，所以有效时钟速度可以说是实际时钟速度的两倍。因此，数据速率实际上与 RAM 的时钟速度相同（以兆赫为单位）。

在我们的示例中，PC 编号 25600 显示了以兆字节每秒 (MB/s) 为单位的传输速率。通过将数据速率（以兆传输为单位）乘以 I/O 总线的宽度（在所有现代主板中为 64 位），我们可以确定最大可能的传输速率：

每秒 3200 兆位传输 x 64 位/8 位/字节 = 25600 MB/s

每个数字独立地告诉您 RAM 的速度，但这两个数字提供相同的信息，只是形式不同。

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