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说到内存参数，每个人都必须对容量，频率甚至电压，粒子源等有更多的了解。但是，经常会忽略确定内存性能（如频率）的时间（通常也称为延迟）。

今天，GALAXY在存储时序方面进行了简单的科学普及，让我们一起了解它。

存储频率是一个数字，而存储时序是一个大系列的数字。最常用的有4种，用破折号隔开，例如16-18-18-38。

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这些数字都表示等待时间，这是内存的响应时间。当内存从CPU接收指令时，通常需要几个时钟周期来处理它，例如访问与时序参数相对应的特定数据块。

当然，处理时间越短，内存性能就越好。

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与存储顺序中的4个数字相对应的参数为CL，tRCD，tRP和tRAS。单位是所有时间段，这是一个纯数字，没有单位。

CL（CAS延迟）：列地址访问的延迟时间是序列中最重要的参数。

tRCD（RAS到CAS延迟）：从存储器行地址到列地址的延迟时间

tRP（RAS预充电时间）：存储器行地址选通脉冲预充电时间

tRAS（RAS活动时间）：行地址被激活的时间

阅读后我感到更困惑吗？没关系，让我给你举个例子。

我们可以想象如下数据存储在内存中的位置。每个正方形存储不同的数据。 CPU需要什么数据，它将相应的指令发送到内存，例如，所需的位置是。

存储器从CPU接收指令后，必须首先确定数据在哪一行。时序的第二个参数tRCD表示该时间，这意味着在存储器控制器接收到指令后需要等待多长时间。从排。访问此行。

由于每一行中都有多个数据，因此内存不可能是CPU需要查找的数据，因此tRCD只是一个估计值，这就是为什么对该值进行很小的更改不会显着改变内存性能的原因

在存储器确定数据所在的行之后，如果要查找数据，则必须确定列。序列的第一个数字是CL（CAS），它表示确定行数之后，在访问特定列数（时间段）之前，内存必须等待多长时间。

行和列将不可避免地产生交集，这意味着在确定行和列的数量之后，可以准确地找到目标数据。因此，CL是一个准确的值。任何更改都会影响目标数据的位置，因此最关键的参数在内存性能中起着至关重要的作用。

内存时序的第三个参数tRP是，如果我们确定了一行，则需要确定另一行的等待时间（时间段）。

第四个参数tRAS可以简单地理解为从内存写入或读取数据的时间。通常接近前三个参数的总和。

因此，在确保稳定性的前提下，存储时序越低越好，而高频率和低时序是矛盾的。通常，如果频率上升，则必须牺牲时间。如果您想要一个足够低的时序，则很难提高频率。

那么，时序对内存性能有多大影响？

我们进行了测试，并保持内存频率恒定。可以看出，随着时间的变短，内存的性能不断增强。

此外，在更改时序后，内存延迟的变化比内存读写速度的变化更为明显，这也表明时序对内存的影响更多地集中在延迟上。

现在，您了解吗？

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