MLC和SLC固态硬盘如何设定内存的时序进行进行调节

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接下来，我们将调整内存的时序。存储器时序实际上是存储器的重要参数，它被写入存储器的SPD中。通常，内存符合标准时序。例如，主流DDR3-1333内存标签带有9-9-9-24信息标记。它们代表CL-tRCD-tRP-tRAS，分别表示内存CAS延迟-从内存行地址到列地址的延迟时间-内存行地址选通预充电时间-内存行地址选通延迟。

这是玩家最关心的4个时间调整。可以在大多数主板的BIOS中设置它们。这是设置内存时间的方法。

首先，现在是内存高级设置

这时，“ DRAM Timing Selectable”选项是自动的

因此未打开内存时序调整选项

将“自动”调整为“专家”时，可以打开定时调整功能

这时，内存时序调整已突出显示并且可以调整

将DDR3-1600时序调整为9-9-9-24

在内存时序调整中，我们可以通过小键盘直接输入数字，也可以通过加减号进行控制。时序调整通常尽可能低，因为延迟越短，反映出内存的处理速度就越快。因此，一般而言，无需增加从DDR3-1333到DDR3-1600的时序。保持原始状态，否则可能会成为Timing超频。当然，具有良好系统的某些内存也可以在8-8-8-24或7-7-7-21上运行，用户可以自己尝试。

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