解决方案：内存超频时序图新手成为超级朋友Core i7风冷超级4G最完整的教程

超频说明：内存时序设置一

◆超频说明：内存时序设置指令一

ASUS RAMPAGE II EXTREME内存参数设置页面

DRAM CAS延迟（tCL）：存储器CAS延迟是指“用于存储器读取和写入操作的前端地址控制器的延迟时间”。此参数设置对内存带宽有较大影响。值越小，内存性能越高，反之亦然。 ，内存工作频率越高，通常需要设置的参数越大。根据DDR3内存的构造，保守设置通常为7-9。您还可以根据自己的记忆体质设置不同的Cl值。

从DRAM RAS到CAS延迟（tRCD）：从行寻址到列寻址的延迟时间。此参数设置也对内存带宽有较大影响。值越小，性能越好。保守的设置通常是7-9。

DRAM RAS PRE Time（tRP）：内存行地址控制器的预充电时间。此参数设置对内存带宽有较大影响。值越小，性能越好。保守设置通常为7-9。通常将该值设置为小于DRAM RAS到CAS延迟的值。

DRAM RAS ACT Time（tRAS）：从内存行有效到预充电的最短时间。此值对内存带宽有轻微影响。保守的设置通常是20-24。

DRAM RAS至RAS延迟（tRRD）：从行单位到行单位的延迟。值越小越好，建议将其设置为5-7。

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