官方数据：事实证明，内存超频是英特尔平台上如此简单的DDR4内存时序调整

前言

在过去的三个月中，我一直在接触CPU，内存和图形卡超频方面的知识。在与一些玩家交流的过程中，我发现他们和我一样，在记忆超频的早期学习中遇到了很大的困难和障碍。我只是想分享一下内存超频方面的经验，同时，为了让更多的超频爱好体验超频的乐趣，我有想法写这篇文章。

我希望我的个人经验对新手超频学习（安装B）有所帮助，并且可以作为指南。文章中不可避免会有错误或遗漏。请拍拍专家以寻求建议，并进一步改善我的姿势。

内容

一、内存超频的影响因素-为什么我不能继续增加内存频率？

1. 1硬件强度决定上限

1. 2软件设置确定下限

二、内存超频性能指标-什么是“高频低能耗”？

2. 1个频率

2. 2带宽效率

2. 3单个字读取延迟时间

三、内存超频实际战斗调整方法

3. 1确定目标，掌握设备超频的潜力

3. 2锁定频率以找到最高可用频率

3. 3定时设置乘以并追求改善性能

3. 4训练设置-性能是锦上添花

文本一、内存超频的影响因素-为什么我不能继续增加内存频率？

内存超频是对主机总体性能的测试。可以从整体上把握限制超频的因素，并有针对性地进行后续操作；否则，只会以错误的方式获得两倍的结果。

内存超频因素可以分为硬件和软件。前者确定超频上限，后者确定下限。

图1-内存超频的影响因素

1. 1硬件强度决定上限

CPU内存控制器（IMC集成内存控制器），主板和内存模块的兼容性或支持的最低频率最终决定了主机超频的上限，这是典型的桶效应（硬件组合如图2所示，超频限制为4700MHz，该值具有指示性。）

图2-硬件标称频率和超频潜力

上限说明

硬件方面决定了超频的难度

感谢@@猫猫大神的提示，以免误导所有人：以上内容只是直观而并非绝对。实际上，超频确实测试了主机集成电信号的完整性和强度，涉及PCB设计和制造。等等。作为一个普通玩家，我认为有一个一般的了解是很好的，并且不需要深入。

备注：T型拓扑和菊花链是主板PCB内存插槽的布线形式[2]，好的与坏之间没有绝对的区别。在这四个内存插槽主板中，华硕通常使用T型拓扑，微星则使用菊花链。要确定是T型拓扑还是菊花链，最可靠的方法是从主板制造商的官方网站下载主板QVL或进入规格表进行查询。最高频率是四个内存的T拓扑和两个内存的菊花链。

1. 2软件设置确定下限

只有在足够的DIMM / VCCIO / VCCSA电源电压和正确的时序（第一时序，第二时序和第三时序）设置下，内存性能才能达到最佳的超频性能。

注意：如果要增加超频频率的上限，请评估硬件并在必要时升级硬件以达到预期的目标值。如果您想基于已经拥有的硬件发挥最佳的内存性能，请继续往下看。

二、内存超频性能指标-什么是“高频低能耗”？

初学者玩家在超频后往往会忽略性能，因此不会进一步调整二、的第三定时。内存性能测试性能很差，甚至不如稍低的频率但对时序进行了微调（高频和低能耗）的性能。

内存超频需要注意三个指标：频率大小，带宽效率和延迟时间（图3 AIDA64性能测试）。

图3-AIDA内存性能测试

2. 1个频率

频率无话可说，越高越好

2. 2带宽效率（利用率）

带宽效率=实际带宽/理论带宽* 100％，越大越好

2. 3单个字读取延迟时间α

α= tCL * 2000 /频率，一般约为7. 5〜9ns，越小越好（AIDA64Latacy≈tCL/频率* 1000 0)

备注：无论颗粒大小如何，如果频率保持不变，则如果tCL值大大降低，则需要提高DIMM / VCCIO / VCCSA电压。

三、内存超频实际战斗调整方法

注意：以Intel平台DDR4双通道8GB * 2（A2 + B2插槽）超频为例，并在BIOS中启用MRC Training。

整个过程如图4所示，主要包括3个阶段：

第一阶段：确定目标，掌握超频的可能性

第二阶段：锁定频率以找到最高可用频率

第三阶段：定时设置乘法和追求提高性能

图4内存超频流程图

3. 1确定目标，掌握设备超频的潜力

CPU：基本磁盘约为4500MHz（如果超过此值，则需要考虑CPU IMC的物理问题）

主板：从官方网站下载QVL并检查支持的最高频率

内存：查看产品包装或产品标签的最高支持频率

将三个标称频率中的最小值用作目标频率F_min的起始值

您可以通过百度或必应搜索或浏览超频论坛，以了解相同型号的CPU，主板和内存的极限频率，从而可以知道三个的最小值作为目标的上限。频率F_max

因此，超频的目标频率应为F_min〜F_max

备注：不同内存芯片的超频潜力不同。您可以使用Thaiphoon Burner软件检查内存颗粒，并确保结合内存上的生产型号标签，或卸下内存模块背心以确定颗粒类型以了解内存使用情况颗粒（生产型号标签识别方法，请请参阅“有关内存型号和序列号的那些东西”）

此外，我推荐3个超频网站：①国内：chiphell计算机讨论区； PCEVACPU内存讨论区②国外：intel平台内存超频讨论线程

3. 2锁定频率以找到最高可用频率

提醒：对于MSI主板用户，请直接关闭XMP以使用Memory try it功能，跳过3. 2. 1〜3. 2. 3步，直接输入3. 2. 4步骤（表示羡慕），但是您需要注意检查DIMM / VCCIO / VCCSA电压值。

3. 2. 1频率设置

在BIOS中关闭XMP并输入目标频率

3. 2. 2电压设置

在BIOS中需要设置三个电压值：①内存DIMM电压②VCCIO③VCCSA。

可以将电压值赋予日常使用上限，这可以提高探索最高频率的成功率，还可以减少探索的次数和时间。以下是电压值推荐[3]：

图5-内存电压DIMM的推荐值

图6-VCCIO和VCCSA电压建议

备注：

①以上电压仅供参考，CPU IMC和身体状况较差的内存需要加压

②VCCIO可以稳定频率，VCCSA可以稳定频率并缩短时序

③VCCIO和VCCSA最好不要超过1. 35V，因为过高可能会导致不稳定

3. 2. 3放松时机

定时放松的目的是消除定时的影响，以便快速找到最高可用频率，设置如下

注意：上面的第一个时间序列只是一个参考值，可以根据经验或收集的信息来收紧或放松

3. 2. 4稳定性测试

完成上述步骤后，保存设置并进入系统，然后使用软件RunMemtestPro（HCI Memtest）进行稳定性测试（为节省时间，建议在此阶段通过100％测试）

①如果遇到无法启动，蓝屏，及时维修或烘焙机测试错误等故障，则需要调整频率，电压或定时，然后重复3. 2. 1〜3. 2. 3步，直到通过测试

②如果您很容易通过考试，则可以继续提高频率，直到考试不及格

由于先前的强调，电压被指定为您可以接受的上限。除非需要达到频率，否则不建议大幅提高电压

①硬件自检，启动周期及其他故障问题（无法启动，BIOS卡死或卡住，提示设备需要维修，蓝屏等）处理方法：首先将频率降低一档，然后再试一次；重复3. 2. 1〜3. 2. 3步，直到测试通过。 （前提是时机足够宽松）

②Memtest测试错误错误：A.如果≤50〜100％，将出现错误，您需要放宽时间并重试测试； B.如果> 100％错误，则优先添加0. 01〜0. 02V DIMM / VCCSA / VCCIO电压，不再放松时序，重复3. 2. 1〜3. [k5 3个步骤，直到测试通过。 （仅尝试多次是不够的，只能降低频率）

①最低标准：200％（懒惰的人都可以使用，此后基本上没有问题）

②建议标准：400％（为安全起见，上一次测试可以运行400％。由于我遇到的错误超过200％，解决方案DIMM / VCCIO / VCCSA电压升高0. 01- 0. 02V）

③金标准：1000％（实际上，10000％更好并且更有趣，请自己判断）

成功通过HCI Memtest测试后，证明可以使用此频率。这是成功的一半，您可以继续进行时序调整的下一步。

备注：

①建议使用最新版本的RunMemtestPro（当前为4. 0版本）进行测试。可以将CPU 12线程设置为60〜72线程，以加快测试进度。

②如果引导无法通过自检POST，高级主板将尝试引导3次（等待一段时间，主板上的信号灯将闪烁多次以尝试引导），如果引导失败，BIOS设置将自动恢复，并出现图7所示的屏幕，按F1可以进入BIOS重置设置，或者通过强制重启，清除CMOS设置以解决问题（有关详细信息，请参阅主板手册）。

图7-BIOS三次启动失败后的屏幕

3. 3乘以时间设定的胜利和追求以提高性能

时序紧缩过程，建议新手按照时序进行，并在每次设置后执行200％稳定性测试。

图8：内存时序参数的详细说明

图8是本文的本质，需要读者仔细研究。上图中的键序列由红色的五角星标记，您必须注意（与下表中的红色粗体部分相同）。除了tREFI，其他时序参数都尽可能小。

特别感谢Kong Da（咸水狐狸）在计时部分提出的建议！

3. 3. 1第一序列已收紧

第一个时序是影响存储器性能（尤其是tCL）的最关键的时序。花更多的时间绝对值得。根据3. 2. 4获得的时序，第一时序调整步骤如下：

①tCL：减小1，其他保持不变。进行25％到50％的稳定性测试，直到失败

②tRP / tRCD：保持递减1，其他保持不变。进行25％到50％的稳定性测试，直到失败

③tRAS：减少2，其他保持不变。进行25％到50％的稳定性测试，直到失败

④CR：自动，如果您身体健康，可以尝试1.执行25％至50％的稳定性测试，通过保留，并且不自动通过（如果CR = 1 50％没问题，则运行200 ％可以）

⑤完成上述时序调整后，进行完整的200％测试

图9-第一个时间序列参考值

备注：

①通过tCL计算公式获得的数据经过四舍五入，全部向前移动一位，例如1 4. 4，最后tCL应该为15

②BL突发长度= 0/2/4/8

3. 3. 2第二个顺序已收紧

第二个序列是找到tRFC的最关键条件，其他参数可以根据参考值直接设置。调整步骤如下：

①可以根据下表针对目标频率的tRFC查询三星B模，Hynix CJR，微米E模颗粒。建议尽可能接近上限（例如，三星B-die 4000MHz tRFC可以为30 0）。设置tRFC后，请执行50％稳定性测试，并且不要增加tRFC（10〜2 0)，直到测试通过。

图10-tRFC查询表单

②按如下所示填写其余参数，然后运行200％。三星B-die tFAW可以挑战12或14，E-die，CJR 16。

图11-第二时间序列参考值

3. 3. 3第三时刻收紧

第三时间序列是根据下表设置的，以200％运行就足够了，基本上没有问题。 Hynix CJR tRDRD_sg，tWRWR_sg建议自动。

图12-第三时间序列参考值

3. 4训练设置-性能是锦上添花

减少RTL可以有效地将延迟时间减少大约2ns。 RTL设置通常在时序调整之后执行，因为任何时序拧紧都会影响RTL值。如果RTL值太低，它将无法启动。有两种减少RTL的方法：

①通过降低IO-L偏移直到无法打开，并降低IO-L直到无法打开，RTL会自动

②通过增加IO-L偏移直到无法将其打开为止，并降低RTL直到无法将其打开为止，IO-L会自动

备注：

①尽量避免RTL A / B的两个值之差超过2，这会影响性能

②tCCD绑定到tRDRD / tWRWR_dg，tCCD_L绑定到tRDRD / tWRWR_sg [4]

后记

图13-蓝屏意外_内核模式_陷阱

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