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Flash Memory中文名字叫闪存,是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器。
从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内存,不论是以前的SDRAM,DDR SDRAM,还是现在的DDR2,DDR3等,都是断电后,数据就没了。
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了nand flash结结,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
NOR的读速度比NAND稍快一些。
NAND的写入速度比NOR快很多。
NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
大多数写入操作需要先进行擦除操作。
NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少
在NOR Flash中, 所有的存储区域都保证是完好的, 同时也拥有相同的耐久性。在硬模中专门制成了一个相当容量的扩展存储单元 — 他们被用来修补存储阵列中那些坏的部分, 这也是为了保证生产出来的产品全部拥有完好的存储区域。为了增加产量和降低生产成本, nand flash 器件中存在一些随机bad block 。为了防止数据存储到这些坏的单元中, bad block 在IC烧录前必须先识别。在一些出版物中, 有人称bad block 为“bad
block”, 也有人称bad block 为“invalid block”。其实他们拥有相同的含义, 指相同的东西。
从实际的应用上来说, NOR Flash与NAND Flash主要的区别在于接口。 NOR Flash拥有完整的存取-映射访问接口, 它拥有专门的地址线和数据线, 类与EPROM。然而在nand flash中没有专门的地址线。它发送指令,地址和数据都通过8/16位宽的总线(I/O接口)到内部的寄存器。
SLC/MLC基本原理
什么是SLC和MLC?
SLC全称为Single-Level Cell,MLC全称为Multi-Level Cel数码播放器中一般采用两种不同类型的NAND闪存。其中一种叫做SLC(Single Level Cell),单层单元闪存;第二种叫做MLC(Multi Level Cell),多层单元闪存。两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据,而MLC通过使用大量的电压等级,每一个单元储存两位数据,数据密度比较大。
SLC芯片和MLC技术特点及区别
一般而言,SLC虽然生产成本较高,但在效能上大幅胜于MLC。SLC晶片可重复写入次数约10万次,而MLC晶片的写入次数至少要达到1万次才算标准,而目前三星MLC芯片采用的MLC芯片写入寿命则在5000次左右。
FLASH的发展
1.在1984年,东芝公司的发明人Fujio Masuoka首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。
2.Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年,公司推出了一款256K bit闪存芯片。
3.第二种闪存称为NAND闪存。它由东芝公司于1989年研制,并被认为是NOR闪存的理想替代者。
4.MLC是英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功的。
5.2004年,除三星和东芝增加产能外,包括Hynix、英飞凌及瑞萨等大厂,也自2004年起陆续进入NAND闪存市场。
各产商NAND_Flash_大全
nand flash存储器结构描述
NAND Flash存储器由block (块) 构成, block的基本单元是page (页)。通常来说, 每一个block由16, 32或64个page组成。大多数的nand flash器件每一个page (页)内包含512个字节(或称为256个字)的Data area(数据存储区域)。每一个page内包含有一个扩展的16字节的 Spare area(备用区域)。所以每一个page的大小为51216=528字节。我们称这样的page为small page。
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