diode IRD探测器AXUV20HS1Si

IRD探测器AXUV20HS1Si

先进的光子探测器在IRDAxuv 100紫外/极紫外（UV / EUV）光电二极管具有非常高的辐射硬度，是专为在不损失灵敏度高粒子通量环境寿命长操作。diode严格的测试标准，IRDsxuv 100光电二极管显示没有可观察到的响应的损失暴露157和193 nm脉冲和三周曝光8 W/cm2连续248 nm激光辐照后亿。

IRD的sxuv 100光电二极管的特性/优点

100%内部量子效率

光子探测到1纳米

电子探测到200 eV

10毫米x 10毫米平方的有源区（100毫米²）

氮化金属硅化物前窗的二极管允许操作不损失性能在高湿度和其他环境条件，通常需要密封的包装。diode

单有源区二极管可从1毫米到576毫米²

也可以指定有几个中央开口的象限二极管。

Opto Diode的先进传感器技术的器件具有无与伦比的量子效率稳定，已成功应用于欧洲SoHo区和电晕光子项目和美国SNOE，源，去，定时和EOS太阳能空间仪器。

循环活动区

电子探测的理想选择

100%内部量化宽松

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