寿命限制:SSD闪存存在擦除和写入次数受限的问题,这就是为什么许批评其寿命短的原因。闪存的完整擦除和写入称为1 P / E,因此闪存的寿命取决于P / E。 34nm闪存芯片的寿命约为P / E的5000倍,而25nm闪存芯片的寿命约为P / E的3000倍。随着SSD固件算法的改进,新的SSD可以减少不必要的写入。对于120G固态驱动器,只能将120G文件写入P / E。普通用户可以正常使用它,即使每天写50G,平均也可以每2天完成一次P / E。 3000 P / E可以使用20年。到那时,固态硬盘已被更先进的设备(在实际使用中)所取代,用户更多的操作是随机写入而不是连续写入,因此在使用寿命期间,坏扇区的可能性会更高。此外,尽管固态驱动器的每个扇区可以重复擦除和写入100,000次(SLC),但是某些应用程序(例如操作系统的LOG记录)可能会在某个扇区上执行多次读取和写入操作。在这种情况下,尚未测试固态驱动器的实际寿命。但是,通过均衡算法管理存储单元将延长其预期寿命。 SLC的写入寿命为100,000倍,低成本的MLC的写入寿命仅为10,000倍,而廉价的TLC闪存只有1,000-2000倍。此外,使用全磁盘模拟SLC来提高写入速度的多层存储固态存储将面临写入放大问题,从而进一步缩短使用寿命。
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