电磁炉原理图和工作原理分析数据汇编

目录1.简介1.1电磁加热原理1.2 458系列简介2.原理分析2.1特殊部件介绍2.1.1 LM339集成电路2.1.2 IGBT 2.2电路框图2.3主电路原理分析2.4振荡电路2.5 IGBT励磁电路2.6 PWM脉冲宽度控制电路2.7同步电路2.8加热开关控制2.9 VAC检测电路2.10电流检测电路2.11 VCE检测电路2.12浪涌电压监视电路2.13过零检测2.14锅底温度监视电路2.15 IGBT温度监视电路2.16冷却系统2.17主电源2.18辅助电源2.19报警电路3.故障维护3.1故障代码表3.2主板测试标准3.2.1主板测试表3.2.2主板测试失败的对策3.3故障情况3.3.1故障属体（导电和导电材料）时，会有无数的小涡流. 在金属容器底部的金属主体中，这会导致容器本身高速产生热量，然后加热容器中的内容物.

1.2 458系列简介458系列是由建安电子技术开发制造厂设计开发的新一代电磁炉. 该接口具有LED发光二极管显示模式，LED 1号代码显示模式，LCD液晶显示模式，VFD荧光显示模式机种. 操作功能包括加热功率调节，自动恒温设置，计时器关闭，定时开/关，预设操作模式，自动泡茶电磁炉详细电路图讲解，自动烹饪，自动煮粥，自动汤和煎炸，煎炸，烘烤，火锅和其他烹饪功能. 额定加热功率有700〜3000W的不同型号，功率调整范围为额定功率的85％，功率在整个电压范围内自动恒定. 200〜240V型号的电压范围为160〜260V，100〜120V型号的电压范围为90〜135V. 所有系列型号均适用于50、60Hz的电压频率. 使用环境温度为-23℃〜45℃. 电子控制功能包括炊具过热保护，炊具干烧保护，炊具传感器开/短路保护，2小时无按钮（忘记关闭）保护，IGBT温度极限，IGBT过热保护，低温环境工作模式电磁炉详细电路图讲解， IGBT温度传感器开/短路保护，高低压保护，浪涌电压保护，VCE抑制，VCE过高保护，过零检测，小物体检测，锅料检测. 458系列虽然型号众多，功能复杂，但不同型号的主控电路原理相同，区别只是零件参数和CPU程序的差异.

电路的各种测量和控制主要由具有8位4K存储器的单片机组成. 电路简单，零件少，具有故障报警功能，电路可靠性高，维修方便. 根据维护过程中的故障报警指示，对应于相关单元电路的维护，大部分都可以轻松解决. 2.原理分析2.1特殊部件介绍2.1.1 LM339集成电路LM339内置四个电压比较器，当电压比较器的电压输入端子为正时，翻转电压为6mV（输入端子上的电压高于LM339内部控制输出端的三极管截止，输出等效于开路. 当电压比较器的输入端子的电压反转（输入电压高于+输入电压）时，置于LM339的内部控制输出中的晶体管导通，下拉比较器的外部输入端子的电压，输出端子为0V. 2.1.2 IGBT绝缘栅双极晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）被称为IGBT，是一种高压，高速，高功率的器件，结合了BJT大电流密度和MOSFET以及其他电压激励场的优点控制的设备. 2目前，可以使用由不同材料和工艺制成的IGBT，但它们都可以被视为具有MOSFET输入并随后进行双极晶体管放大的复合结构. IGBT具有三个电极（见上文），分别称为栅极G（也称为控制电极或栅极），集电极C（也称为漏极）和发射极E（也称为源极）.

从IGBT的以下特性可以看出，它克服了功率MOSFET的致命缺陷，即在高电压和大电流下工作时，导通电阻很大，器件会严重发热，并且输出效率降低. IGBT的特性: 1.电流密度大，是MOSFET的数十倍. 2.输入阻抗高，栅极驱动功率极小，驱动电路简单. 3.低导通电阻. 对于给定的芯片尺寸和BVceo，其导通电阻Rce（on）不大于MOSFET Rds（on）的10％. 4.击穿电压高，安全工作区域大，暂态功率高时不会损坏. 5.开关速度快，关断时间短，耐压1kV〜1.8kV约1.2us，600V电平约0.2us，GTR约10％，接近功率MOSFET，开关频率直接达到100KHz，开关损耗为仅占GTR的30％. IGBT结合了现场控制器件的优势以及GTR的大电流和低导通电阻特性，使其成为出色的高速高压半导体功率器件. 目前，458系列根据不同型号采用不同规格的IGBT. 它们的参数如下: （1）SGW25N120——由西门子公司生产，耐电压1200V，在25℃时的电流容量为46A，在100℃时的电流容量为25A，无内部阻尼二极管，因此必须与快速恢复二极管（D11）一起使用. ）高于6A / 1200V. 匹配6A / 1200V以上的快速恢复二极管（D11）后，可以用SKW25N120代替IGBT.

（2）SKW25N120——西门子公司生产，耐压1200V，25℃时电流容量46A，100℃时电流容量25A，内部阻尼二极管，可用SGW25N120代替IGBT. 未安装快速恢复二极管. （3）东芝生产的GT40Q321，耐压1200V，25℃时的电流容量42A，100℃时的电流容量23A，内部阻尼二极管，可以用SGW25N120，SKW25N120，SGW代替IGBT.

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