自锁开关电路的制造方法

自锁开关电路的制造方法

【技术领域】

[0001]本实用新型涉及一种自锁开关电路.

【背景技术】

[0002]在通常的电路中，按下开关，电路通电；松开开关，电路再次断电. 为了使电路稳定工作，必须按下开关，它可以自动保持持续供电，直到按下另一个开关使其断开为止. 这样的电路称为自锁电路.

[实用程序模型内容]

[0003]鉴于现有技术的上述缺点，本实用新型的目的是提供一种自锁开关电路.

[0004]本实用新型是通过以下技术方案实现的:

[0005]本实用新型提供了一种自锁开关电路，包括钥匙开关，NPN三极管电路和P-MOS管电路；

[0006] NPN晶体管电路包括电容器Cl，电阻器R1，电阻器R2，电阻器R3，NPN晶体管Q1；以及电容器C1并联在NPN晶体管的导通信号与地之间. 电阻R1并联在NPN晶体管的基极与地之间. 电阻器R2串联在起始信号ON和晶体管Q1的基极之间. 电阻R3串联连接在NPN晶体管的集电极和输入电压Vbat之间. NPN三极管的发射极接地；

[0007] P-MOS管电路包括电容器C2，场效应管Q2，肖特基二极管D1，电容器C2并联连接在输入电压Vbat和接地GND之间. 场效应管Q2 I的栅极连接至NPN晶体管Q1的集电极，场效应管Q2的源极2连接至电源电压Vbat，并且场效应管Q2的漏极3连接至输出电压Vpwr；肖特基二极管D1与OFF信号和场效应串联在管Q2的漏极3之间.

[0008]优选地，按键开关电路包括按键开关SI和电阻器R4，按键开关SI连接在电源电压Vbat和OFF信号之间，并且电阻器R4连接在OFF信号和OFF信号之间. 地面.

[0009]优选地，电容器C1和C2是可修改的电容器.

[0010]优选地，NPN晶体管电路通过导通信号，电阻器R2和NPN晶体管Q1依次连接到P-MOS晶体管Q2；肖特基二极管D1与按键开关SI和P-MOS晶体管Q2连接同相.

[0011]本实用新型的工作原理是:

[0012] 1.引导过程

[0013]在关闭状态下，按下开关SI，打开电源输入电压Vbat，然后通过肖特基二极管Dl的小压降将电源电压传递到输出电压Vpwr，输出电压Vpwr可以通过DC-DC转换芯片将Vpwr电压转换或直接传输到主芯片以开始主芯片的工作，整个过程在很短的时间内完成.

[0014]主芯片发送高电平启动信号ON，然后将其通过由电阻器R1，电阻器R2和电容器C1组成的RC滤波电路传递到NPN晶体管的基极，以控制晶体管Q1至打开.

[0015]晶体管集电极的输出电压连接到P-MOSFET Q2的栅极，从而P-MOSFET Q2导通，并且输出电压为Vpwr. 此时，肖特基二极管D1可以隔离输出电源电压Vpwr和关闭信号OFF，从而可以使整个机器保持通电状态.

[0016]上电时，钥匙开关SI接通时，高电平信号也输出到OFF信号，并且接地通过R4电阻放电，因此OFF信号处于低水平.

[0017] 2.关闭过程

[0018]在电路操作期间，OFF信号处于低电平. 再次按下键开关SI时，电源电压Vbat和断开信号0FF接通，高电平信号通过OFF接口传输到主芯片.

[0019]接收到信号后，主芯片将信号ON发出低电平信号，并且晶体管Q1停止工作而没有电平输出，这导致P-MOS管停止工作并且没有电源电压输出以实现关机.

[0020]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:

[0021]（I）本实用新型通过控制三极管和MOS管的导通和截止来实现开关状态的自锁控制，电路简单，成本低，并且性能可靠.

[图纸说明]

[0022]通过参考以下附图阅读非限制性实施例的详细描述，本发明的其他特征，目的和优点将变得更加明显:

[0023]图. 图1是本实用新型的电路图.

[具体实现]

[0024]以下示例将进一步说明本实用新型. 本实施例是在本实用新型的技术方案的前提下进行的，并给出了详细的实现方式和过程. 尽管已经参照优选实施例详细描述了本发明，但是本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明的前提下，仍然可以修改本发明的[特定实施例]或等效地替换一些技术特征. 本实用新型的精神应包含在本实用新型主张的技术解决方案的范围内.

[0025]示例

[0026]下面将结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步的说明. 1，

[0027]本实施例提供的自锁开关电路包括按键开关，NPN三极管电路和P-MOS管电路；

[0028] NPN晶体管电路包括电容器Cl，电阻器R1三极管自锁开关电路，电阻器R2，电阻器R3，NPN晶体管Ql；电容器C1并联在NPN晶体管的导通信号与地之间. 电阻R1并联在NPN晶体管的基极与地之间. 电阻器R2串联在起始信号ON和晶体管Q1的基极之间. 电阻R3串联连接在NPN晶体管的集电极和输入电压Vbat之间. 三极管的发射极接地；

[0029] P-MOS管电路包括电容器C2，场效应管Q2，肖特基二极管D1，电容器C2并联连接在输入电压Vbat和接地GND之间. 场效应管Q2 I的栅极连接至NPN晶体管Q1的集电极，场效应管Q2的源极2连接至电源电压Vbat，并且场效应管Q2的漏极3连接至输出电压Vpwr；肖特基二极管D1与OFF信号和场效应串联在管Q2的漏极3之间.

[0030]此外，键开关电路包括键开关SI和电阻器R4，键开关SI连接在电源电压Vbat和OFF信号之间，电阻器R4连接在OFF信号和OFF信号之间. 地面.

[0031]此外，电容器C1和电容器C2是可修改的电容器.

[0032]此外，NPN晶体管电路通过导通信号，电阻器R2和NPN晶体管Q1依次连接到P-MOS晶体管Q2；肖特基二极管Dl与按键开关SI和P-MOS晶体管Q2相连接.

[0033]本实用新型的工作原理是:

[0034] 1.引导过程

[0035]在关闭状态下，按下开关SI，接通电源输入电压Vbat，通过肖特基二极管Dl的小压降，然后将电源电压转换为输出电压Vpwr，即输出电压Vpwr可以通过DC-DC转换芯片将Vpwr电压转换或直接传输到主芯片上以开始主芯片的工作，整个过程在很短的时间内完成.

[p] [0036]主芯片发送高电平启动信号ON，并将其通过由电阻器R1，电阻器R2和电容器C1组成的RC滤波电路传递到NPN晶体管的基极，并控制晶体管Q1至打开.

[0037]晶体管集电极的输出电压连接到P-MOSFET Q2的栅极，从而P-MOSFET Q2导通，并且输出电压为Vpwr. 此时，肖特基二极管D1可以隔离输出电源电压Vpwr和关闭信号OFF，从而可以使整个机器保持通电状态.

[0038]在加电时，当钥匙开关SI接通时，高电平信号也输出到OFF信号，并且接地通过R4电阻放电，因此OFF信号位于低水平.

[0039] 2.关闭过程

[0040]在电路操作期间，OFF信号处于低电平，再次按下键开关SI时，电源电压Vbat和OFF信号0FF导通，并且高电平信号被发送通过OFF接口连接到主芯片.

[0041]接收到信号后，主芯片将信号ON发出低电平信号，并且晶体管Q1停止工作而没有电平输出，这导致P-MOS管停止工作并且没有电源电压输出以实现关机.

[0042]总结: 本实用新型通过控制三极管和MOS管的通断，实现了开关状态的自锁控制，电路简单，成本低廉，性能可靠.

[0043]上面已经描述了本发明的具体实施方式. 应当理解，本发明不限于上述具体实施例，本领域技术人员可以在权利要求书的范围内做出各种变型或修改，并不影响本发明的实质，其原理是: 简单易懂，结构简单，制造成本低，有一定的市场前景.

[主权]

1. 一种自锁开关电路，其特征在于，包括按键开关电路，NPN晶体管电路和P-MOS晶体管电路. NPN晶体管电路包括电容器C1，电阻器R1，电阻器R2三极管自锁开关电路，电阻器R3，NPN型晶体管Q1. 电容器C1并联在NPN晶体管的导通信号与地之间. 电阻R1并联在NPN晶体管的基极与地之间. 电阻器R2串联在起始信号ON和两极之间的晶体管Q1的基极之间. 电阻R3串联连接在NPN晶体管的集电极和输入电压Vbat之间. NPN晶体管的发射极接地. P-MOS管电路包括电容器C2，场效应晶体管Q2，肖特基二极管D1. 电容器C2并联连接在输入电压Vbat和接地GND之间. 场效应晶体管Q2的栅极I连接到NPN晶体管Q1的集电极，场效应晶体管Q2的源极2连接到电源电压Vbat，场效应晶体管Q2的漏极3连接至输出电压Vpwr；肖特基二极管D1串联在OFF信号与场效应晶体管Q2的漏极3之间. 按键开关电路包括按键开关S1和电阻器R4，按键开关S1连接到电源电压Vbat和OFF信号之间，电阻器R4之间连接在地和OFF信号之间. 2.根据权利要求1所述的自锁开关电路，其中，所述电容器C1和所述电容器C2均为可修改电容器. 3.根据权利要求1所述的自锁开关电路，其中，所述NPN晶体管电路通过导通信号，电阻器R2和NPN晶体管Q1顺序地连接到P-MOS晶体管Q2. 肖特基二极管D1和键开关SI和P-MOS晶体管Q2连接.

[专利摘要]本实用新型公开了一种自锁开关电路，包括按键开关电路，NPN晶体管电路和P-MOS晶体管电路. NPN晶体管电路包括电容器C1，电阻器R1，电阻器R2，电阻器R3，NPN晶体管Q1. 电容器C1并联在NPN晶体管的导通信号与地之间. 电阻R1并联在NPN晶体管的基极与地之间. 电阻R2串联在起始信号ON和Q1的基极之间的晶体管之间. 电阻R3串联连接在NPN晶体管的集电极和输入电压Vbat之间. NPN晶体管的发射极接地. 通过控制三极管和MOS管的通断，实现了通断状态的自锁控制，电路简单，成本低廉，性能可靠.

【IPC分类】H03K17 / 56，H03K17 / 687

【出版号】CN204859144

【申请号】CN201520572240

【发明人】朱良学，王金龙，肖颖，宋卫东，童玉忠

[申请人]安徽太乙通信技术

【开放日】2015年12月9日

【申请日期】2015年7月29日

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