MOSFET管开关电路基本常识总结

一直以来模拟电路就学的不好,好不容易把三极管了解完了,就经常 没敢臩FET 了,没想到两年呵会硬还幸痪浠暗故呛懿 错,就是技受太深入,枫会看到原来都更 (一)MOSFET 管的基本常识 MOSFET 是运用半导体表面的电场效应进行工滓渤莆砻娉⌒в 扑治 N 沟道和 P 沟道两类,其中每一类既能分为酝和耗尽 型两种,所谓耗尽型就是当 VGS = 0 时,存在导电沟道, I D ≠ 0 ,所谓孕途褪 VGS = 0 时,没有导电沟道,即 I D = 0 .以上是 N 沟道和 P 沟道 MOS 管的符号图, 其相关基本参数: (1) (2) 开乒 Vth,指栅源之间所加的电流, 饱和漏电罶S,指的是在 VGS=0 的情康 VDS>|Vth|时的漏极电联饱和漏电罶S (3) (4) 最创电压 VDS 最创电压 VGS(5)直岭电阻 RGS通常 MOS 管的漏极与源极与以互换,但有些产品潮未将源极与衬 底连在一剖痹醇肼┘荒芏缘用时应该注意.下面以 FDN336P 的一些治数为例进行介绍:上表指炒极与漏极之间的电流差为 20V,而且没法是 S 接正极,D 接负极, 栅极与源极之间的更垂差为 8V,可以反接. 源极最?.3A,由 S->D 谅缌10A这是表示在 VGS = 0 时,VDS=-16V 时的饱和漏电流,上图表示其开乒为 1.5V,并指充 DS 间导通电阻值.(二)MOSFET 棕管的知识通常来讲,三极管是电怜的,MOSFET 是电压驱动的,乙是 用 CPLD 来驱动这肛,所以选悦 MOSFET 籽部梢越谑∠ 统功耗吧,在棕管时有一鸽注意的事项就是输入跟输入两端 间的管压降问题,比如一 的电源,经过管子太变为了 4.5V, 这时杭虑负载能不能接受了,我当时育这样的问题就是负载 的最小工坠就是 5V 了,经过管子褐系统工缀 想栖子上占了一部分压降了,类似的难题还有在使用二极管的时 浩涫亲狗唇颖；な?也应注意管子的串扰问题开关电路原 BJT 三极管 Transistors 只要发射极 e 对电池短路 就是电子开关用法 高边开关 ;b-e 反虾偷纪 N 管 发射极 E 对电池正极短路. (搭铁) 低边开关 ;b-e 正虾偷纪 P 管 发射极 E 对电池负极短路.b. FET 场效应管 MOSFET 只要源极 S 对电池短路 就是电子开关用法 N 管 源极 S 对电池正极短路. (搭铁) 低边开关 P 管 源极 S 对电池负极短路. 高边开关 ;栅-源 正瞎 导通 ;栅-源 反瞎 导通总结: 总结: 低边开关用 NPN 管 高边开关用 PNP 管三极管 b-e 必须有碈-E 饱和导通的电列в芾砺凵险?源有绰?源导通棠电压就 就 OK假如原本用 NPN 三极管譛 研迫鹊缭纯刂频捅呖 杂用 N-Channel 场效应管代换 基极--栅极 集电极--漏极 发射极--源极 ;婚磕 下拉画电阻上面是在一赋上摘录的,语言通俗,很实用,这是从方佩忙写的文章 里摘录的一肛电路图, 用 PMOSFET 构成的电源自动切换开关在必须电池电力的设备中，有的电源充电是在系统充电，即充电时电 池不用拔下来。

另外为了节约功耗，需要在插入墙上适配拼时，系统自动切 换为适配歧，断开电源与负载的联接；如果拔典拼mos管开关电压，系统自动切换 为电源供电。本电路用一窸SFET 构成这些自动切换开关。 图中的 V_BATT 表示电源电流，VIN_AC 表示适配乒。当插入适配拼 时，VIN_AC 电压高于电源功率（肥配拼就不能对电池充电）， Vgs>0,MOSFET 截止，系统由适配歧。拔去适配拼，垣电压为零mos管开关电压， 而与 MOSFET 封装在一体的施特基二极管使源极电压近似为电源电流，导致 Vgs 小于 Vgsth，MOSFET 导通，从而系统由电源供电。上面也有从网上摘抄的开关电路图. 总结以上知识,在选 MOSFET 开关时,首先选 MOS 管的 VDS 电压,和其 VGS 开乒,再就是 ID 电燎枫系统必须,然杭虑封装 了,功耗了,价府类次要一些的宜,以上是用 P 沟道 MOS 管桌?N 沟道的也许也有基本上一样用的.

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