RF同轴电缆的衰减（插入损耗）是什么

同轴电缆的衰减表示其有效传输射频信号的能力. 它包括导体损耗，介电损耗和辐射损耗. 导体损耗是由导体的集肤效应引起的，并且随着频率的增加具有平方根关系. 介电损耗是由介电材料对传导电流的电阻引起的，并且与频率增加呈线性关系. 辐射损耗是由泄漏引起的，除了特殊的开槽泄漏电缆外，这部分损耗很小. 大部分损失转化为热能. 在选定的工作频率下，导体尺寸越大，损耗越小；频率越高，介电损耗越大. 在总损耗中，介电损耗的比例更大. 另外，温度升高将增加导体的电阻和电介质的功率因数，因此也将导致损耗增加. 几个主要的损失计算公式如下:

式中，Li为内导体损耗1 2射频同轴电缆，Lo为外导体损耗，Ld为介电损耗； d是内导体外径（in），D是外导体内径（in）； f是工作频率（M Hz）； Z0是特性阻抗（欧姆）； p是介质的介电常数εr= 2.1 p = 0.00016时的介电损耗角，当εr= 1.6 p = 0.00005时. 忽略辐射损耗，电缆的总损耗为: L = Li + Lo + Ld（1.16）

对于测试电缆组件，总插入损耗是接头损耗，电缆损耗和失配损耗之和. 总体性能是频率越高，损耗越大. 图1.8显示了典型3GHz测试电缆组件（长度lm，外径5 mm）的插入损耗与频率之间的关系.

在测试和测量的应用中，尽管不能高估电缆组件的VSWR指数，但是如果追求的损耗过低1 2射频同轴电缆，则有时可能会超过收益. 由于要实现低损耗，必须使用外径较大且介质密度较低的电缆（例如LD-PTFE），显然这会增加

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