我国成功开发了新能源汽车充电桩的“”

一种芯片，大小相当于手机SIM卡，但可以承载700伏以上的电压新能源汽车移动充电桩，导通电阻仅为30毫欧，可实属氧化物半导体场效应管）. 4月12日，记者从苏州东威半导体公司获悉，新能源汽车直流大功率充电桩核心芯片已成功量产，打破了国外厂商的垄断.

近年来，国内新能源汽车发展迅速. 直流充电桩通常被称为“快速充电”，已经遍布高速公路和停车场. 直流充电桩一般由通信模块，开关电源模块和控制模块组成. 其中，MOSFET是开关电源模块的核心部分，它是实现电能高效转换并确保充电桩稳定且不会过热的关键器件.

“交流电进入电堆之后，MOSFET控制通过控制芯片的电流开和关以形成脉冲电流，然后将其通过电感耦合转换为新能源汽车所需的直流电源. ”东威半导体总经理龚毅介绍.

MOSFET的成本约占整个开关电源模块成本的20％. 在开关电源模块中，使用了几个甚至将近一百个MOSFET. 过去，该领域被外国制造商垄断. 国内制造商购买了大量品牌的MOSFET. 它们不仅价格昂贵，而且经常缺货.

经过两年的研究和开发，东威半导体创造了全套专利技术. 目前，已实现批量生产的高压高速MOSFET系列充电桩产品，并已在国内充电桩企业中批量使用. 同时，该产品还出口到韩国，日本和德国. 同时，它还广泛用于手机充电器，LED照明，显示器，工业照明和其他电源转换领域.

“与国际品牌相比，我们开发的MOSFET在功率开关期间具有更低的电损耗，更高的电流转换效率，更可靠的长期户外使用新能源汽车移动充电桩，并且价格降低了10％-20％. ”巩义说.

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