生产CMOS用的光刻机全都是尼康产的？

湖南蛋炒饭11楼

2012-03-21 21:37:43高级会员

光源仍是最忐忑因素：GlobalFoundries光刻专家谈EUV最新进展

dryiceboy发布于 2011-06-21

GlobalFoundries公司的光刻技术专家Obert Wood在最近召开的高级半导体制造技术会议ASMC2011上表示，尽管业界在改善EUV光刻机用光源技术方面取得了一定成效，但光源问题仍是EUV光刻技术成熟过程中最“忐忑”的因素。

Obert Wood现在GlobalFoundries任职技术经理，负责管理光刻技术的研发，同时他还在 Albany研发技术联盟中担任管理职务。他早年还曾在贝尔实验室工作了30多年，而贝尔实验室则是最早开始支持EUV光刻技术的单位之一。EUV光刻技术所使用的光波波长要比现用的193nm光刻技术降低了15倍以上，仅13.4nm。

Wood表示，目前EUV光刻机可用的光源及其功率等级有：

1-Cymer公司生产的可用功率为11W的激光等离子体光源（LPP）；

2-Xtreme公司生产的可用功率为7W的放电等离子体光源（DPP）；

3-Gigaphoton公司生产的LPP光源。

以至于消费者养成了一种当厂商宣传某设备无线充电功率为 xw 时，那么真实的充电功率应该比 x 低的认知。功放机100w,是虚标功率，是峰值功放。可以提供255nm直至420nm的各种波长，能够替代汞灯和氙灯等传统气体紫外光源，并且... 产品 代码 峰值 波长（nm） 输出光 功率po（。

EUV光源功率问题仍然令人担忧：

会上他还表示，EUV光刻机光源的可用功率必须增加到100W级别才能保证光刻机的产出量达到60片每小时，这也是芯片商业化生产的最低产出量要求，“然而，按目前EUV光源的研发状态，只能够达到每小时5片晶圆的产出量水平。”

除了最近举办的ASMC2011之外，即将于7月13日开幕的Semicon West大会上，EUV光刻技术研发的各界人士还将对这项技术的最新发展状态进行汇报。这次会议上将设置一个“高级光刻技术”的研讨环节，该环节则会邀请4位业内专家讨论EUV光刻技术的光源，光刻机本体，光掩膜板技术等方面的最近进展.另外这次会议上来自Cymer， Xtreme Technologies，ASML以及Sematech组织的多位技术专家将举办多场与EUV光刻技术的演讲汇报会。

3.除本条第 2 款之，下同)、同 热处理规范的产品焊接试板测试数据(焊接试板试件和检验报千应存档备查)尼康光刻机型号，证明焊接质 量稳定，由制造单位技术负责人批准，可以批代台制作产品焊接试板，具体规定如下： (1)以同钢号、同焊接工艺、同热处理规范的产品组批，连续生产(生产间断不超过半 年)每批不超过 10 台，由制造单位从中抽一台产品制作产品焊接试板。管试持夹 �途用要主夹管试器仪用常它其 �6153 0703 06瓶量称型扁03 0552 0407 0407 5306 03瓶量称型高05 0304 5252 52�mm �高身瓶 �mm �径外瓶 称名格规要主的瓶量称 9 1-4 表瓶量称型扁 瓶量称型高--------------------------page 19------------------------------91。 就海南而言，工业锅炉使用最普遍的首属制糖厂，其次是宾馆、酒店，其中制糖厂锅炉总容量或单台容量均占首位，单台产汽量一般为20t/h或25t/h，大的超过40t/h，其它行业锅炉容量较小，宾馆用的多为产汽量为1t/h或2t/h的燃油锅炉。

EUV光刻两种光源流派：LPP与DPP

Wood表示，在未来的几年内，EUV光源设备的可用功率必须进一步增加到350-400W水平。他并认为LPP光源在功率拓展方面的优势更大，但是设备的复杂程度也更高；而DPP光源则主要在设备寿命方面存在隐患。

“EUV光刻设备的产出量要达到60-100片每小时水平范围，才能满足对经济性的最低要求。而生产用的EUV光刻机则需要使用400W有用功率水平的光源设备，才能保证产出量达到或超过100片每小时的水平。这就是眼下EUV光刻技术所面临的挑战。”在这样的产出量水平上，EUV光刻机本体的功率消耗约在350千瓦，Wood认为：“从生产成本上看，耗电量是光刻机的大头，但这并非不可实现。”

他表示：“除了EUV耗电量之外，最大的问题就是EUV光刻用光掩膜版的衬底制作技术，以及光源功率的问题。我个人认为这两个问题是很难搞定的。”

EUV与193i+DP的实际成像对比

尼康图像处理器（简称e芯片）的优点是成像的锐度比较高，风景拍摄给力，对细节还原的能力比较强，。与最大像素不同的是有效像素数是指真正参与感光成像的像素值，而最高像素的数值是感光器件的真实像素，这个数据通常包含了感光器件的非成像部分，而有效像素是在镜头变焦倍率下所换算出来的值。列表 中的白平衡误差数值为中灰色块的色温误差，这项值越接近零越好，如果这项值为正数，则表示成像色调 偏冷，负数反之。

在实际修正投影图像的非均匀性时，首先是将输入图像设置为均匀的单像，(如均匀的红像)，然后根据面阵光敏传感器件上得到的非均匀性信息，调整lcos芯片的各象元上的电压值，(通常将各象元上的电压值都设置在低于色饱和电压，因此适当降低亮度过亮的象元上的电压值，可使整个画面上的亮度趋于均匀)，使整个投影画面的亮度均匀，并将此时的各象元上电压值输入到一存储记忆芯片中去保存。s482多彩保护胶为活化改性白色流动粉末，对人体无害，无刺激性气味，不溶于水，但浸水会水合膨胀，形成卡片宫结构，作用于水包水多彩漆中，与纤维素醚凝胶反应，形成强触变性，空间位阻，疏水性。极限密封破坏试验中，带弹簧防突三胶筒可以极限承压至49.0 mpa，但此时胶筒已发生破坏，其余3种胶筒能密封住45.5mpa压力，但胶筒也已破坏，而胶筒实际发生破坏对应压力仍需要进一步研究。

掩膜坯瑕疵问题仍需改进：

另外，要制作出无瑕疵的掩膜坯（mask blank：即尚未刻出图案的掩膜板）则是另外一个EUV光刻技术走向成熟需要解决的主要问题。“经过多年研究，业内制作光掩膜衬底的瑕疵水平已经达到每片24个瑕疵，这样的瑕疵控制水平对存储用芯片的制造来说已经可以满足要求，但是仍无法满足制作逻辑芯片的要求。”

并非一片漆黑：

ASML历代EUV设备参数对比

oppo的印度官方facebook今早发布了一条消息称：“screen flash功能可以在弱光环境下为用户自拍提供光源，该功能最早是诞生在oppo mirror 5、oppo r7这两款机型上，但现在却被“某品牌”以screen flash之名抢尽了风头”。 例如， 在报道一则临汾供电公司力保春灌用电的新闻中， 由于春灌可以说是每年的常规报道工作， 而且公司此类工作中创新的做法其实也很少， 加之没有特别突出的新闻线索， 于是， 笔者就以春灌工作的成效为最新时间概念， 作为本则消息的导语：本报讯： 截至2月 17日，山西临汾供电分公司检修农村灌溉配变4100台， 消除隐患620处，协助当地水利部门安装流动灌溉设备600余台 （套），得到电力灌溉的麦田达15. 3万亩。3.公司电脑新旧更替频繁，在这一年里，公司新增电脑数百台，在大家的通力合作下完成了数百台电脑的安装与调试，确保公司生产正常增长，公司目前一共近xx台电脑，由于机器较多，日常出现故障的情况较为常见，主要的电脑故障有：系统故障，网络故障尼康光刻机型号，软件故障等，很多机器由于长期使用，导致系统中存在大量垃圾文件，系统文件也有部分受到损坏，从而导致系统崩溃，重装系统，另外有一些属网络故障，线路问题等。

Wood表示，这种光刻机的性能表现已经超过了人们的预期。EUV光刻机的光学路径上共设有11个反射源，每一个反射镜都必须尽可能地将照射到镜片上的光反射出去，镜片本身则要最小限度地吸收光能量。“对EUV光刻系统的镜片而言，反射率变动1%便是很高水平的变动了。”他同时赞扬了Zeiss, 尼康以及佳能等镜片制作公司在这方面的优异表现。

EUV技术的未来发展路径：

对于工程成孔质量抽检，应包括孔 径、孔深、垂直度及沉渣厚度四个方面的内容，孔径检测由的检测 单位采用井径仪测试完 均孔径不宜大于孔 成，任何断面孔径不得小于孔径的设计值，平 径的设计值的 1.14 倍，即充盈系数不小于 1，也不。《棱镜常数》光在反射棱镜中传播所用的超量时间会使所测距离增大某一数值，也就是说光在玻璃中的传播速度要比空气中慢，通常我们称这增大的数值为棱镜常数。水泥仓顶除尘器是根据水泥、粉碴灰、石灰等 各种粉末状物质的通过孔径，设计收尘器滤芯的颗粒通过最大径及附着力作用给滤芯孔径的影响作用，完全可以满足各类粉末状物质过滤要求。

吸收涂层在太阳光波峰值波长附近产生强烈的吸收,在红外波段则自由透过,并借助于底层的高红外反射特性构成选择性涂层。功率加权算法的原理是以反射光功率为加权系数，计算波长的加权平均值，得到 反射光功率在波长方向上分配的中心位置，以此值作为功率反射谱的中心波长，抗噪性能很差，波长解调精度低。海水和普通水一样,都是无色透明的,海洋色彩是由海水的光学性质和海水中所含的悬浮物质、海水的深度、云层的特点及其他因素决定的.大家知道,太阳光由红、橙、黄、绿、青、蓝、紫七种颜色组成,这七种颜色的光,波长各不相同,从红光到紫光,波长逐渐变短,长波的穿透能力最强,最容易被水分子吸收,短波的穿透能力弱,容易发生反射和散射.海水对不同波长的光的吸收、反射和散射的程度也不同.光波较长的红光、橙光、黄光,射人海水后,随海洋深度的增加逐渐被吸收了.一般说来,在水深超过100米的海洋里,这三种波长的光大部分能被海水吸收,并且还能提高海水的温度.而波长较短的蓝光和紫光遇到较纯净的海水分子时就会发生强烈的散射和反射,于是人们所见到的海洋就呈现一片蔚蓝色或深蓝色了.近岸的海水因悬浮物质增多,颗粒较大,对绿光吸收较弱,散射较强,所以多呈浅蓝色或绿色.。

其它好消息：

除了EUV光学系统之外，光刻系统的其它领域也有望有好消息传来。

比如，掩膜板技术方面，业内领先的掩膜坯提供商Hoya公司一直都在研究超低热胀率的掩膜坯材料，这种掩膜坯并不使用传统的石英衬底材料制作掩膜坯的衬底。

另外，由于所用的照明光能量很容易被材料吸收，因此多年来人们一般认为EUV光刻适用的掩膜板很难通过加装掩膜板保护膜（pellicle）的方法来防止颗粒沾染。而Wood则透露，目前已经有研究人员在研制硅材质掩膜板保护膜方面取得了一些进展。对目前条件下EUV光刻系统用的掩膜板而言，平均使用25次就会沾染上一个污染物颗粒，因此需要通过特殊的清洁处理来保证掩膜板的清洁，而这种清洁处理则不仅增加了成本，而且还会影响到掩膜板的质量。

最后，光阻胶方面，人们在研究不利用化学放大效应的新型光阻胶方面也有望取得新的进展。这部分研究工作主要是由Impria公司，Sematech组织以及美国劳伦斯伯克力国家实验室主导。

CNBeta编译

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