分析了手机触摸技术和苹果三星触摸技术的INCELLONCELLOGS原理.

2013-1-11 AM？ TFT LCD的介绍？苹果的内嵌式触控技术分析？各种内嵌式触摸技术分析LCD面板制造商如何摆脱竞争？当面板制造商转向中小型企业时super amoled和incell，竞争将更加激烈，如何突破并检验每个人的智慧. 谁能掌握“ in-cell touch”技术是赢家. ？ “是”并不意味着“精通”，但也必须是“最佳”. ？ “最佳”可能不一定会赢，但必须添加“专有所有权”. LCD驱动原理LCDColoe滤波器结构LCD驱动的关键是什么？液晶电容器上的“绝对电压”决定透光率吗？这意味着数据线可以将电荷存储到液晶电容器中. 该电压可以高于V com层的电压. 只要电压差相同也可以低吗？为了使液晶不会变形和失去惯性，驱动电路必须应对极性变化Apple的内置触摸技术分析？苹果美国专利号8,243,027？申请日期2007-6-8苹果TW专利201031961 A1？优先权日期2009-2-2苹果的美国专利号8,243,027？该专利已于2012-8-14认证. 原始申请号为US2008 / 0062140 A1，公告日期为2008-5-13. 申请日期是2007-6-8？苹果公司在此案中提出的概念A与索尼公司提出的混合On Cell和In Cell技术相同. 概念B是否与三星将BM层用于Rx和将V com层用于Tx相同？ Apple是采用先进的嵌入式技术的原始Apple On Cell方法. Apple On Cell方法. Apple On Cell方法. 两个苹果与索尼相同. 1苹果与索尼相同. 2苹果与索尼相同. 颠倒的关键问题？会颠倒吗？影响显示品质？苹果与三星1相同苹果与三星2相同苹果在单元格苹果在单元格Apple使用导电性小结？ 2007年，苹果公司使用概念性方法针对单元内触摸方法的各种可能性提交了专利申请，无论该技术是否可行super amoled和incell，其目的都是为了防止其他制造商首先申请专利. 倒置的目的是防止静电在手指触摸显示屏时影响其质量. 但是上下颠倒会影响显示质量的色彩部分. 我相信苹果不会在Iphone 5 In Cell技术网络上流通的苹果触摸技术中使用苹果的苹果技术吗？苹果TW专利201031961 A1？优先权日期2009-2-2 Apple In Cell技术？ FFS显示技术（IPS）？使用Xcom和Ycom线，将Vcom电极细分并排列以形成传感器形状. 与LCD驱动器IC分时使用. LCD驱动程序使用12毫秒，触摸屏使用4毫秒. 三层三维结构？将Vcom层图案化为SITO. 结构体？触摸和LCD驱动线没有分开. LCDTx和RX的IPS之间有一个空格. 苹果细胞结论的进步？能够进行复杂的三维结构的LCD生产测试，分辨率越高，结构越复杂，相对成品率就越低.

？使用触摸4毫秒会增加报告率，并降低触摸响应速度. ？必须与LCD驱动器IC配合，集成困难. ？触摸驱动信号不应过高，否则会影响LCD显示（漏电流）. 如果SNR不够高，则会影响信号解释并增加算法的复杂性. ？不好的In Cell技术. 成功需要大量资源. 只有苹果公司负担得起. 有证据表明Iphone 5中使用了单元内触摸技术？ iPhone 5的屏幕显示比iPhone 4S明亮吗？一些用户回答说，触摸时会发生屏幕变化. 我拆卸了Iphone 5，没有找到其他品牌的触控IC. ？使用上下颠倒方法，您可以在显？ （4）LCD驱动器IC必须配合设计时序吗？ （5）当将LCD用于IPS时，难以处理由液晶电容器产生的噪声以及由数据线和驱动线产生的干扰信号. 上层传感层和下层驱动层Sony在电池方面取得了进步结论？ （1）Rx与上部玻璃上方的单元格相同，Tx在两个玻璃之间的单元格中相同，因此可以称为单元格和单元格上的混合设计（2）制作起来容易得多在上玻璃上方只有Rx层的ITO比在On cell上的ITO？ （3）Tx和Rx被一块玻璃隔开，这对于触摸IC的设计来说相对简单. （4）仍然需要一层ITO具有较差的光学特性和较差的功耗. （5）批量生产的产品LG在In Cell中进步了吗？将V com层切成独立的小面积电极吗？使用自电容技术？触控IC和LCD驱动器IC必须分时工作吗？与SuperC的提议类似-Touch？可以使用SuperC – Touch开发的触摸IC吗？ IPS的高度可行的LCDLGD Touch方法？ TW 201227482？设备和驱动触摸传感器的设备方法？可以在自电容和互电容模式之间切换吗？确定自电容扫描的大致位置，以确定具有多指坐标的互电容.

？能有效节省时间并减少功耗吗？高度可行的双模式触摸检测技术LGD Touch方法？ TW 201243688？嵌入式触摸屏？改善互电容感测变化小的问题？图案化Vcom层？将金属线Vcom层的图案连接到单层互电容结构Tx和Rx中？在上玻璃上方添加一层图案化的ITO以增加互电容的变化量113: Tx 114: Rx 142: 金属线112: 像素ITO 123: 增加的ITO电极用于增加Tx和Rx 142的触摸感应: Rx 141: Tx 123: 上玻璃ITO 161: 接触孔162: 接触孔2TPK AMOLED电池内？ M420774？使用单层结构？对于RGB AMOLED和白光AMOLED？是上游专利吗？评估专利的不稳定性（以前有很多案例）TPK用于RGB AMOLED的单层结构TPK在单元TPK上用于RGB AMOLED在单元内的触摸中TPK用于白光AMOLED在单元上TPK的用于白光AMOLED在单元中的触摸touchTPK在单元中触摸？ TW201100909？将触摸传感器放在CF玻璃上方，下方，上方和下方？范围包括所有在单元格中和在单元格上？很难评估专利（以前的案例太多）T PK In cell touchTPK勇于争取上游专利，以了解上游专利AUO在cell touch中的重要性. I376627？将触摸传感器放在CF玻璃下300: 电极1303: 电极2AUO单元内触摸？ I380089？会触摸传感器放置在CF玻璃下面吗？添加BM范围内的金属层以降低ITOsensor 108的电阻: ITO电极1 110: ITO电极2 118，120: BM AUO上的金属层图案TW 201022761？触摸传感器是否将使用金属层放置在BM上方的CF玻璃下？传感器上的防反射层？ ITO层下面的Vcom层具有相反的图案？可以有效降低自电容吗？一项非常有价值的专利18: 触摸层60: 防反射层44: CF层46: BM层34: 图案化的Vcom 58: 桥接线12: 基板56: 触摸层46: BM层34: 图案化的Vcom层AUO单元内触摸？ TW 201201163？用金属线构图并布置在TFT的ITO电极层上？金属线宽0.1um〜100um130: TFT基板172、162: 网状电极156: 开口168: 桥接线165: 触摸单元158: 保护层170: 串行172、162: 网状电极156: 端口168: 桥接线165: 触摸单元170: 串行172、162: 网状电极156: 开口168: 桥接线165: 触摸单元AUO是否在单元内触摸？ TW 200947029？将触摸传感器放置在CF玻璃下时控制电路配置方法700: 触摸电路701: 触摸信号线710: LCD驱动电路702: LCD信号线310: 触摸传感器320: CF层AUO在单元格III中112: 触摸传感器（ITO ）132: 桥接器144: 彩色滤光片140: BM 180: Vcom AU单元中三组单元中触摸？ TW 201229619？申请有关On cell结构的专利？上游专利，只要On Cell的使用在权利范围内？获得批准的机会不高（以前的案例太多）240: 触摸层230: CF 210: TFT Huaying在单元触摸中？ TW 201115440？触摸传感器在BM，CF下？传感器下方的金属线用于降低ITO的电阻. 与AUO的专利相似，区别在于ITO电极在SensorITO的BM层之上或之下. 金属线与DL，GL，CL的位置相同. 18: BM 20: CF 14: 基板221、222: ITO传感器28: 金属线GL: 栅极线CL. : Com lineSamsung在单元格触摸？ TW 201209477？触摸传感器由单层结构制成在电池72: ITO传感器70: Vcom 61: 上基板63: BM 66: CF 190: 盖板192: OCA 82: 偏振器72: ITO传感器70: VcomV com是Tx RxSamsung在细胞接触中？ TW 201222644？类似于sony On cell和in cell混合设计？此设计的原始设计是Apple80a: ITO传感器70: Vcom 61: 上基板63: BM 66: CF80a: ITO传感器70a: Vcom

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