
电容的常用参数

▲铝电容器结构

电容: 电容记为C,表示电容器的最大存储能量. 它决定了电容器的充电和放电频率,也可能在很大程度上影响滤波能力和ESR值. 当电容量较高时,其充电和放电频率较慢,并且高频交通点无法通过,即滤波效果较差. 但是相对而言,高电容也会带来低ESR值. 这反过来可以提高图形卡的稳定性,而高端图形卡越多,该优势就越明显.

耐电压: 顾名思义,耐电压是电容器的最大耐电压. 超过此电压时,电容器将击穿. 击穿后,电容器会爆炸,燃烧甚至爆炸. 一般来说,耐压越高,电容C越低. 电压V被用作标准记录.

损耗角正切值(耗散因数): 任何物体都具有电阻,甚至也存在超导物质,当然电容也不例外. 当电流流过电阻时,它将对电荷产生小的电阻. 该值称为损耗正切值. 损耗角正切值与频率,温度,电压等有关. 该值标记为tanδ,值越低越好.
串联等效电阻ESR: 这是电容上非常重要的参数,也是最受关注的参数. 它由损耗角正切值,电容和频率组成. 这意味着当为GPU供电时,由于其自身的阻抗,电压会瞬间下降. 根据公式功耗=电压*电流,并且电流趋势是低电压和高电流,因此高端显卡越多,它们对低ESR的依赖就越大. ESR的公式为ESR =tanδ/(ω* C)=tanδ/(2 * 3.14 * f * c). 也就是说,如果要降低ESR,可以选择减小损耗角正切值tanδ,而另一种可以增大电容C.
额定纹波电流: 纹波电流是电路中交流电的有效值,额定纹波电流是指电容器承受纹波电流的最大容量. 纹波电流应尽可能小,额定纹波电流越高越好. 其公式为纹波电压= ESR *纹波电流,因此降低ESR仍然是降低纹波电压的好方法.
泄漏量: 由于其自身的结构和材料,电解电容器无法完全无泄漏. 但是,那里的电解电容器必须更多或更少. 它与电容C和电压有关,因此基本上可以将其视为绝对消耗值. 相对而言,它不是一个很重要的参数,但是越低越好.
寿命: 有许多因素会影响电容器的寿命. 电压,纹波电流,开关频率和安装方法都会影响电容器的寿命,但温度影响最大. 以富士通L8系列电容器为例. 它可以在105°下运行2000-5000小时. 但是,如果在85°下测量,它可以运行10,000多个小时. 当然,就实际情况而言,不必过分担心生活问题. 毕竟,目前所有固态电容器都已使用,并且使用寿命很长.
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