一种改善闪存单元过擦除问题的方法技术

本发明专利技术提出一种改善闪存单元过擦除问题的方法，包括下列步骤：将晶圆流片至浅沟槽隔离工艺；进行第一次浅沟槽隔离刻蚀处理，其刻蚀深度为预设的第一深度；对源极区域进行保护不进行刻蚀处理；对漏极区域和控制栅极区域进行第二次浅沟槽隔离刻蚀处理，其刻蚀深度为预设的第二深度；进行闪存单元后续工艺处理。本发明专利技术所提出的改善闪存单元过擦除问题的方法，通过两次浅沟槽刻蚀进行，第一步浅沟槽隔离刻蚀(深度h<H(原有深度))，第二步浅沟槽隔离刻蚀将源极区保护起来，不进行刻蚀，其它区域进行刻蚀(第二次的深度与第一次的深度之和与原有深度H相同)。降低的浅沟槽隔离区使深宽比降低，从而改善源极自对准(SAS)过程中的光刻或是刻蚀引起的问题。

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【技术实现步骤摘要】

一种改善闪存单元过擦除问题的方法

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种改善闪存单元过擦除问题的方法。

技术介绍

uv254可表征废水中254nm处具有c c、 c o双键结构或者苯环等不饱和键的有机物，如酚类、多环芳烃、芳香酮、芳香醛等含有苯环结构的物质. 根据相关研究结果，臭氧氧化首先攻击不饱和键，破坏c c、 c o双键，因此臭氧能够显著去除uv254. 如图 4所示臭氧是对uv254去除起主要作用的单元，其uv254的去除率为30.7%，而baf单元对uv254的去除效果明显不如臭氧氧化单元，其去除率为15.3%. 可见在组合工艺中，臭氧氧化对废水中有机物结构的改变较为明显，从而发挥出预处理的作用.。臭氧氧化和baf降解对废水中有机物的相对分子质量的变化有显著影响. 如图 5所示,原水中的有机物主要集中在相对分子质量小于1000和大于100×103，其分别占总量的52%、 26%，经臭氧氧化后，废水中的有机物相对分子质量分布得到明显的改变，小于1000的有机物提高为67%，而大于100×103的有机物降为8%. 因此臭氧氧化可使大分子有机物转化为小分子有机物，使大分子有机物比例明显降低，小分子有机物比例显著增加. 由于小分子有机物更容易被微生物代谢所利用，因此臭氧氧化强化了后续baf单元对该部分有机物的去除，这从baf单元出水中的有机物相对分子质量分布情况可以看出，经baf单元的微生物降解后，相对分子质量小于1000的有机物的比例从67%降低至40%. 由于baf单元出水中含有微生物次生代谢产物等物质，而该部分物质较短的停留时间内不容易被降解，所以相对分子质量小于1000有机物所占比例仍有40%. 大分子有机物则很难被滤池内微生物降解，所以所占比例没有发生明显变化.。ph是影响废水处理效果的重要参数之一. 石化二级出水的ph在7~8之间，将其ph值分别调成5、 6、 7、 8、 9、 10后进入臭氧预氧化单元，研究ph对该单元处理效果的影响. 结果表明，ph值对臭氧预氧化单元有机物的去除有显著的影响，但对tn的去除几乎没有影响(图 1和图 2). 如图 1所示cod、 uv254的去除率和处理后的bod5/cod的数值均随着原水ph的升高而增大. 如ph=5时臭氧预氧化单元对cod和uv254的去除率分别为18%和38%。

技术实现思路

解析：地震可按照震源深度分为浅源地震、中源地震和深源地震。锌层脱落的主要原因有：表面氧化、有硅化合物、冷扎乳化液太脏、nof段氧化气氛及保护气体露点太高、空燃比不合理、氢气流量偏低、炉子有氧渗入，带钢入锅温度偏低，rwp段炉压偏低及炉门吸风、nof段炉温偏低，油脂蒸发不尽、锌锅铝含量偏低、机组速度太快、还原不充分、锌液中停留时间太短、镀层偏厚。(四)根据震源深度进行分类：浅源地震(震源深度小于60km)、中源地震(震源深度60&mdash。

迈达斯midas-psc变截面箱梁施工阶段及psc设计例题 ……图 1-1 跨中截面示意 2 北京迈达斯技术技术资料——psc 变截面箱梁施工阶段分析及验算 图 1-2 支座截面示意 桥梁立面图如图 2 所示。如图l、图2、图3、图4所示，急倾斜煤层的开采方法，由如下步骤组成 步骤一、在急倾斜煤层1用放炮掘进的方法开冋风巷2，位于回风巷2下方。图 3.3图 3.4图 3.5（3）操作者在询问系统和状态后，得到的图 3.6 所示两种状态，如果系统忙，操作者必需要等 待、结束，如图 3.7 和图 3.8 所示，重返步骤（1） 。

根据本专利技术较佳实施例，所述第一深度和第二深度之和为浅沟槽隔离原始设计深度。所述浅沟槽隔离工艺之前包括以下步骤：提供半导体衬底，并沉积氧化硅层、浮栅极、介质层、控制栅极以及后续的光刻胶层。进一步的，所述介质层为氧化硅-氮化硅-氧化硅介质层。所述闪存单元后续工艺处理包括进行离子注入。所述对源极区域进行保护为在源极区域上方的浅沟槽内沉积阻挡层。进一步的，所述阻挡层的材料采用氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅。再请参看图6，图6所示为本专利技术N沟道闪存单元沿CC’方向剖面。本专利技术将源极区的浅沟槽隔离区做浅，而漏极区和控制栅极部分的浅沟槽隔离区的深度不变。降低的浅沟槽隔离区使深宽比降低，从而改善源极自对准(SAS)过程中的光刻或是刻蚀引起的问题。同时由于对应的电阻Rs＝A*(W+S+2*h)/w(A为方块电阻，w为离子注入的有效厚度，S为浅沟槽底部宽度)降低，从而也改善过擦除问题。对于漏极区和控制栅极区的浅沟槽隔离区，由于深度未变，其对于这些区域的器件性能和结构形貌都没有影响。综上所述，本专利技术提出的改善闪存单元过擦除问题的方法，在工艺上通过两次的浅沟槽刻蚀进行，第一步浅沟槽隔离刻蚀(深度h&lt;H(原有深度))，第二步浅沟槽隔离刻蚀将源极区保护起来，不进行刻蚀，其它区域进行刻蚀(第二次的深度与第一次的深度之和与原有深度H相同)。降低的浅沟槽隔离区使深宽比降低，从而改善源极自对准(SAS)过程中的光刻或是刻蚀引起的问题。虽然本专利技术已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本专利技术。本专利技术所属

中具有通常知识者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本专利技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

【技术保护点】

一种改善闪存单元过擦除问题的方法，其特征在于，包括下列步骤：将晶圆流片至浅沟槽隔离工艺；进行第一次浅沟槽隔离刻蚀处理，其刻蚀深度为预设的第一深度；对源极区域进行保护不进行刻蚀处理；对漏极区域和控制栅极区域进行第二次浅沟槽隔离刻蚀处理，其刻蚀深度为预设的第二深度；进行闪存单元后续工艺处理。

【技术特征摘要】

1.一种改善闪存单元过擦除问题的方法，其特征在于，包括下列步骤：将晶圆流片至浅沟槽隔离工艺；进行第一次浅沟槽隔离刻蚀处理，其刻蚀深度为预设的第一深度；对源极区域进行保护不进行刻蚀处理；对漏极区域和控制栅极区域进行第二次浅沟槽隔离刻蚀处理，其刻蚀深度为预设的第二深度；进行闪存单元后续工艺处理。2.根据权利要求1所述的改善闪存单元过擦除问题的方法，其特征在于，所述第一深度和第二深度之和为浅沟槽隔离原始设计深度。3.根据权利要求1所述的改善闪存单元过擦除问题的方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离工艺之前包括以下步骤：提供半导体衬...

【专利技术属性】

技术研发人员：田志，秦佑华，殷冠华，陈昊瑜，

申请(专利权)人：上海华力微电子，

类型：发明

国别省市：上海,31

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