三星电子宣布全球首次量产30nm DRAM

7月21日，三星电子宣布将在本月开始量产30nm 2GB DDR3 DRAM. 这是三星在去年7月首次在业界获得40nm DDR3 DRAM之后的又一个记录. 与40纳米级产品相比三星最早手机，30纳米级产品的批量生产率提高了60％，是50-60纳米级产品的成本竞争力的两倍以上.

据了解，该产品应用于计算机产品时的处理速度将是现有DDR3 DRAM产品的1.6倍和DDR2 DRAM产品的3.5倍，从而实现2133 Mbps的数据处理速度. 同时，采用了确保传输安全的新设计.

还可以理解，30纳米产品具有出色的节能性能. 服务器中使用的30纳米DDR3 DRAM产品在1.35伏的工作电压下可以达到1,866 Mbps的处理速度. 如果将由30纳米2GB DRAM组成的模块用于台式计算机以进行4G存储，则每小时功耗为1.73W，几乎是50纳米产品的4.95W功耗的一半.

特别是在今年，随着CPU进入30纳米级别，当前的计算机产品已经进入了“ CPU（中央处理单元）DRAM 30纳米级别”时代. 达到30纳米级别的CPU和DRAM的性能将比以前的产品提高60％，功耗降低约20％. 这大大提高了产品的绿色环保水平.

三星半导体业务部门内存部门负责人赵秀仁表示，自去年以来，三星电子已为低功耗服务器提供了“绿色存储”解决方案. 并获得了主要服务器客户的好评. 今年，将向服务器客户和家用计算机客户提供业界最佳的“绿色存储” 30纳米DRAM，再加上30纳米CPU，将使每个人进入环保计算机时代.

三星电子计划为服务器确保△32GB，16GB，8GB，4GB模块（RDIMM，注册双列直插式内存模块）三星最早手机，△8GB，4GB，2GB模块（和普通台式机）嵌入式内存模块），用于笔记本的△8GB，4GB，2GB模块（SoDIMM，小尺寸双列嵌入式内存模块）和其他大容量存储产品.

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