三星B die颗粒果然爆棚！DDR4 3200随手超DDR4 3866小测

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发表于 2016-8-2 23:39|显示全部楼层|

高频DDR4内存我有很多对了，但是1.5V电压以内的速率最多也就到DDR4 3600，最近索尼新揭晓的B die颗粒比较火热啊，高频首选，看到网上测评芝奇Trident Z系列的DDR4 3200 8G×2套装就是采用了B die颗粒，于是快速入手了一对来玩。

Trident Z系列在镁光的产品线中大概都是以音质为卖点的，所以这套DDR4 3200在1.35V下的时序为CL14，要显著优于其他系列的DDR4 3200套装。这套显存的马甲采用拉丝铝工艺，正面为黄褐色，背面是白色，顶部有白色的装饰条，中间有镁光G.SKILL的LOGO，从标签上可以断定支持XMP 2.0，规格是DDR4-3200 14-14-14-34 1.35v，生产月份是2016年6月，很新鲜的货。下图内存上红色的纸质是赠送的闪迪贴纸。

内存马甲我没敢拆，怕影响质保，但是从侧面可以断定这套显存是单面颗粒，采用10层的PCB，从网上测评的照片上可以看见颗粒为索尼的K4A8G085WB-BCPB。三星内存颗粒的编号规律，第二位的4 代表是 DRAM 产品， A 代表 DDR4，8G08 代表容量是 8Gb （1Gb x 8） 颗粒 ，W 后面的B 代表 Revision版本号，所以诸位把这个颗粒称为“B-Die” 颗粒。后缀BCPB 中的 B 代表 78 FBGA 颗粒，PB 代表其速率为 0.938ns 即 DDR4-2133，电压为1.2V，规格为 CL15-15-15。这个颗粒的特性就是吃电流，所以1.35V 工作电流下可以变成 DDR4-3200 CL14的低频产品。

测试平台：

从惠普M8F主板BIOS中调用的内存SPD信息中可以断定，这套显存TRFC的设置相对非常保守，而其它时序参数优化得相当紧。

首先说说全默认读取XMP下的功耗表现，默认读取XMP后是DDR4 3200 1.35V 14-14-14-34-560 2T。由于时序缩得相当紧三星b5100，所以音质要略强于同是DDR4 3200但时序较松的其他内存。

由于索尼B die颗粒名声在外，所以我根本不用尝试DDR4 3466和DDR4 3600，直接就全默认上DDR4 3733，15-15-15-36 1.35V 2T。此时华硕M8F主板自动给VCCIO和VCCSA加压到1.25V。我自动把显存电压加到1.4V，VCCIO和VCCSA电压降为1.20V，顺利通过RunMemTest Pro的稳定性测试200%。

接着肯定是冲DDR4 3866了，不过要上DDR4 3866需要自动给VCCIO和VCCSA加压到1.25V（在惠普M8F主板上把VCCIO电压设置为1.25V之后，实际阻值是1.265V），在15-15-15-36 1.4V 2T时能够通过稳定性测试，我自动给显存加压到1.53V才能通过稳定性测试。最后我选用了把显存降到1.45V，时序放宽到17-17-17-38。

按照DDR4 3866 17-17-17-38 1.45V的脾胃，再提高一点电压并放宽时序跑DDR4 4000 CL19应该是没问题的，不过技嘉M8F在超显存方面抑或没有OCF那么霸道，最后只得单条跑DDR4 4000 19-25 1.55V，两条双通道如何调都能够上DDR4 4000三星b5100，只差临门一脚啊。。。。。等M8F出新版BIOS或者我换块OCF再来试试。

总结：三星B die颗粒果然名不虚传啊，特点就是高频、低时序、吃电流，一般内存电压必须1.55V、VCCIO和VCCSA电压必须1.3V才能真正发挥B die的潜力。芝奇这对Trident Z DDR4 3200内存卖899这个价位挺实惠的，自己折磨一下随便就可以DDR4 3866甚至4000，不过我前面再想入手几对来挑体质的之后就没货了，而且听说接下来内存要上涨。另外，玩内存显然选显卡很重要，华硕M8F、M8H、M8I和华硕OCF都不错，如果显卡不给力的话，内存体质再好也没辙。

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