
IRF540NS 产品规格 参数 PDF
数据列表IRF540N(S,L)PbF
产品相片TO-263
产品培训模块High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源IRF540NSPBF Saber Model
IRF540NSPBF Spice Model
标准包装 800
类别分立半导体产品

家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装 带卷 (TR)
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)33A (Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)44 毫欧 @ 16A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1960pF @ 25V
功率 - 最大值130W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
产品目录页面1522 (CN2011-ZH PDF)
其它名称IRF540NSTRLPBF-ND
IRF540NSTRLPBFTR
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他要的就是你这句话
既然这样挑衅
教授说了