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电脑杂谈  发布时间:2017-04-06 02:04:07  来源:网络整理

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IRF540NS 产品规格 参数 PDF

数据列表IRF540N(S,L)PbF

产品相片TO-263

产品培训模块High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

设计资源IRF540NSPBF Saber Model

IRF540NSPBF Spice Model

标准包装 800

类别分立半导体产品

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家庭FET - 单

系列HEXFET®

包装 带卷 (TR)

FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能标准

漏源极电压 (Vdss)100V

电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)33A (Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)44 毫欧 @ 16A,10V

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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)71nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1960pF @ 25V

功率 - 最大值130W

安装类型表面贴装

封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装D2PAK

产品目录页面1522 (CN2011-ZH PDF)

其它名称IRF540NSTRLPBF-ND

IRF540NSTRLPBFTR


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