终极：升级还是缩小？找到更新96层闪存后固态驱动器写入缓慢的原因

到今年年底，已经使用新一代96层堆叠3D闪存对许多固态驱动器进行了更新。但是，一些玩家很快发现，虽然闪存已从64层堆栈升级到96层堆栈，但是与旧型号相比，写入速度有所降低。

例如，在Western Digital SN550 500GB升级了96层BiCS4闪存之后，TLC直接写入速度从SN500的750MB / s降至不到500MB / s。这也不例外。升级闪存后，许多500GB容量的型号的性能都会下降。发生了什么事？

96层闪存具有许多优势，包括更快的闪存接口速度，减少的读写延迟，工作电压调整和降低的功耗。当然，还有一个非常重要的变化：随着堆叠层数的增加，96层闪存的容量要大于64层闪存。

具体地，闪存晶片上的每个小裸片的存储容量已经变大。这些小管芯在测试后被移除并包装，并成为固态驱动器上使用的闪存颗粒。每个闪存颗粒可以包含1到16个小晶粒。

在64层堆叠时代，每个小型闪存芯片的存储容量为128Gbit或256Gbit，在后期也有少量512Gbit产品。在发展到96层堆栈之后，每个小型闪存芯片的存储容量都从256G位开始，并出现了大量512G位产品。

增加的谷物存储容量意味着可以制造更大容量的固态驱动器，这是一个好方面。但这也意味着中小容量（500 GB或更少）的SSD现在只需要较少数量的芯片即可构建。

SSD的性能非常依赖于多个管芯之间的并发读写。在减少管芯数量之后，写入性能首先受到严重影响。外部性能是SLC缓存外部的TLC直接写入速度下降。

我们可以简单地理解为：SSD是一条多车道的高速公路。现在车道数量减少（变窄），交通量自然就会减少。

但是，并非所有SSD都会遇到写入速度降低的问题。如前所述，96层堆叠式BiCS4闪存仍具有256G位类型。最初的闪存制造商Kioxia（以前为Toshiba Storage）避免了这种麻烦。

包括东芝RC500和RD500在内的96层闪存SSD均使用256G位类型的闪存。它们具有96层闪存的新技术特性（高速闪存接口，低电压和低功耗），并且无需写入。与64层闪存相比，输入速度有所下降。

简而言之，具有96层堆栈的新一代3D闪存在技术上更加先进，更适合于制造大容量（1TB或更高）固态硬盘。对于500GB以下的中小容量固态驱动器，选择256Gb类型颗粒的性能不会受到影响。

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