TLC短暂的纯谣言，三星850 EVO疯狂写入400TB

随着成本的降低，SSD已逐渐在主流用户市场中流行，尤其是随着TLCSD的推出，甚至最终的容量问题也得到了解决。但是，由于TLC需要在每个单元中存储更多数据，因此其寿命比传统MLC产品的寿命短几倍。标准TLC的使用寿命通常仅为1000PE。因此，我们选择了市场上典型的TLC产品850EVO。简单的耐用性测试可验证TLC的真实寿命。

生活问题

关于TLC的最令人担忧的事情无疑是其写入寿命。忍耐之前我也持怀疑态度。尤其是在早期，我们的测试间隔仅为50TB，然后依次经历了50TB，100TB，150TB。 200TB，最高可达400TB的耐力测试。经过测试的三星850EVOSSD的序列号是S21MNWAFB00118E。

新的850EVO250GBSSD进行耐久测试

50TB持久写入

100TB持久写入

150TB持久写入

200TB持久写入

400TB持久写入

在写入200TB数据后，三星的850EVOSSD已成功完成1000PE。对于以下测试，我们将写入数据直接翻倍至400TB，并且持久写入时间已达到所有先前的测试阶段。求和。

400TB的续写时间完成，没有写入错误

但是，在写入最终的400TB数据后，没有出现TLCSD的耐久性问题。您必须知道此数据已达到TLC闪存标称PE的两倍。因此，TLC的写入寿命远没有我们想象的那么脆弱。实际上，它的计算容量为400TB。即使每天写入100GB数据，每天写入400TB数据也需要11.2年。数据，显然我们不必担心寿命。

速度下降问题

当然，SSD的长期写入也会影响其后续的读写速率。毕竟，与传统HDD相比，SSD的最大优势是读写速率。如果没有高速读写优势，那么SSD的优势将消失。 ，TLCSSD的持久写入数据变慢是否会影响实际的用户体验？

耐久性测试之前的读写性能

400TB持久写入后的读写性能

从上述CrystalDiskMark测试数据来看，三星850EVOSSD在耐久测试之前的连续读写性能为548.6MB，s，526.5MB / s，在写入400TB之后，继续读取写入性能分别为549.2MB / s和525.6MB / s。读写性能基本相同，并且没有下降。

就4K随机读写性能而言，在进行持久性写入之前，结果为33.31MB / s和125.9MB / s。经过400 TB的耐力写入后，其4K读写得分为23.23MB。 / s和125.6MB / s，4K随机写入速度下降约10MB / s，并且读取性能基本上不受影响。

测试摘要

从上面的测试数据来看，基本上没有必要担心TLCSSD的寿命。实际测试完成的数据写入量是标称耐用性的2倍，并且没有使SSD崩溃。相反，后续的读写性能具有良好的性能。连续读取和写入性能没有受到影响，但是4K随机写入性能显示了一些性能下降。

TLCSSD出色的性价比使其成为市场主流的关键。同时，它具有良好的性能。消除生活问题后，用户将无后顾之忧，现在该普及了！

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