SSD写入放大/主机写入量，与NAND写入量的含义和差异

SSD写入放大/主机写入量，与NAND写入量的含义和差异

使用CrystalDiskInfo查看我自己的ssd:

事实证明，写入量有两个统计信息: 主机总写入量和对NAND的总写入量

这两个数据不相同

所以我想检查它们之间的区别

选中它，结果如下:

主机写入量是指主机需要SSD保存的数据

对NAND的写入量是指SSD实际运行期间对NAND的实际写入量

两者不同，原因是:

SSD写入数据的机制不同于传统的机械硬盘

SSD构成级别

（从小到大）

页面（4KB）

块（通常64个页面构成一个块，有些是128页）

平面（由多个blcoks组成）

死（飞机就是死）

闪存芯片（由多个管芯组成）

SSD（由多个闪存芯片组成）

写变焦

页有三种状态: 空；无效数据;有效数据.

将数据写入SSD时，单位是页面，但是您只能写入空白页面. 如果要写入包含无效数据的页面，则需要先将其擦除，将包含无效数据的页面更改为空页面，然后再写入. 但是在擦除数据时，它是基于块的.

示例: 将页面的新数据写入块时，块中没有空页面，只有包含有效数据和无效数据的页面，因此主控制器将新数据和有效数据读入高速缓存以形成对于新块，请擦除原始块并写回新块. 该操作引起的写放大为: 实际上为一页写4KB数据，导致整个块的总写操作为512KB，即128x WA（写放大）. 写放大会导致SSD对NAND的实际写量大于主机所需的写量.

同时，只需要一步就可以写入页面的原始操作变为: 缓存读取新数据和有效数据→闪存擦除→缓存写入，这大大增加了延迟并降低了速度.

因此，写放大是影响SSD随机写性能和寿命的关键因素. 以100％随机4KB写入，当前的大多数SSD主盘，在最坏的情况下，WA可能会超过100. 假设从低LBA到高LBA连续写入100％，WA可以达到1. 在实际使用中，写入放大将介于两者之间. SSD的详细操作过程如下:

如果块中的页面只有两种状态: 空数据和有效数据，则在写入数据时无需擦除. trim是通知SSD处于空闲状态时擦除无效数据，以减少写入数据时所需的SSD数据擦除工作.

主机写入量，NAND写入量

那么问题是: 为什么我的NAND写入量小于主机写入量？

根据帖子

http://bbs.pceva.com.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=119967

事实证明，以SLC模式写入的数据不包括在对NAND的写入量中，因此对NAND的写入量不能代表实际的写入状态. 因此，您永远不会知道SSD的真正磨损状态. 但是，如果制造商有良心并计算自己的主控制的算法级别，则保修TBW应参考主机写入量，而NAND写入量是否不重要. 当然，对于我的NAND写入量小于主机写入量的情况，即使是黑心的制造商也只能说TBW是根据主机写入量计算的.

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