英特尔的新技术: 固态驱动器容量增加了3倍，达到10TB

[Tianji.com IT新闻频道]由于用户要存储大量照片，视频，应用程序和音频，因此智能手机的存储空间始终不足. 考虑到此问题，英特尔正在研究新技术，以增加移动设备和PC的存储容量，而不会影响设备的尺寸和价格.

根据PCWorld网站，英特尔正在研究的一项技术是在一个存储单元中存储更多位信息，从而将移动设备和PC的存储容量提高三倍. 英特尔正试图在存储单元中存储4位信息.

英特尔非易失性存储解决方案部门战略规划和营销副总裁Bill Leszinske在一封电子邮件中说: “这可能会促使大量移动和计算设备使用存储密度更高的存储设备. ”

用户对存储容量的需求无穷无尽. 应用程序和操作系统越来越大，4K视频将成为主流，并且传感器和其他数据源生成的数据也在增加. 因此，移动设备和PC制造商一直在努力增加其设备中闪存驱动器和固态驱动器的存储容量.

通过将4位信息存储在一个存储单元中，英特尔将这种技术称为QLC，标准2.5英寸固态驱动器的存储容量可以增加到10TB以上. PCWorld表示，英特尔表示QLC仍处于研发阶段，并未透露使用QLC技术启动闪存芯片的时间表.

与传统硬盘驱动器相比，固态驱动器具有更快的数据传输速度和更低的能耗，但是固态驱动器的当前容量高达约4TB. SanDisk计划出售存储容量为8TB的固态硬盘，这相当于希捷最大容量的硬盘. 英特尔表示，使用上周与美光一起发布的新型TLC闪存芯片，该公司将能够将固态硬盘的存储容量增加到10TB.

市场研究公司Objective Analysis分析师吉姆·汉迪（Jim Handy）指出，在未来十年中，闪存可能会被新兴的存储技术所取代，例如MRAM（磁阻存储器），PCM（相变存储器）和RRAM. （电阻记忆）.

英特尔在存储单元中存储4位信息的能力取决于其通过最新的3D NAND制造技术来减少闪存芯片尺寸的能力. 这项技术可以使存储单元像摩天大楼一样垂直堆叠，从而提供更高的存储容量.

大多数固态硬盘使用SLC（每个存储单元存储1位信息）或MLC（每个存储单元存储2位信息）闪存芯片. 在一个存储单元中存储3位信息已经是一个很大的挑战. Handy对于将4位信息存储在1个存储单元中持怀疑态度，他说这项技术可能会在固态驱动器中引起更多数据. 读取和写入错误.

每将1位信息添加到存储单元中，干扰就会增加1点，并且在存储单元中识别数据的难度也会增加.

这不是公司第一次尝试在一个存储单元中存储4位信息. 大约10年前，M-Systems进行了相同的尝试，但不幸的是，它没有成功. M-Systems于2006年被SanDisk收购.

此外，由于成本原因，将4位信息存储在一个存储单元中没有意义. 根据Handy的估计，在一个存储单元中存储2位信息可以将闪存芯片的成本降低一半；在一个存储单元中存储3位信息可以将闪存芯片的成本降低30％； “有了1个存储单元，闪存芯片的成本降低将缩小到15％.

但是Lee In Ki仍然对英特尔在QLC技术方面的机会保持谨慎乐观，称英特尔的3D NAND技术可以使QLC成为“真正的机会”.

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