MOS管保护电路知识-MOS管自锁保护电路功能的法

MOS管保护电路知识-MOS管自锁保护电路功能的法

本实用新型属于电路保护技术领域，涉及一种保护电路，特别是一种自锁保护电路.

背景技术

随着电子技术的发展，电子设备已广泛应用于各行各业. 面对各种恶劣的工作环境，电路的保护尤为重要. 如果电子设备的操作出现问题，并且没有保护电路，则会导致电子设备的生命安全性降低，或者直接损坏并燃烧，造成不可预期的损失. 因此，为了确保电子设备的安全性和可靠性，有效的保护电路非常重要.

由于各种复杂的使用环境，电子设备不可避免地会遇到超出设备本身额定额定值的严酷工作条件或人为操作错误. 在这种情况下，可以立即生成电子设备. 损坏，人工无法在短时间内保护电子设备.

技术实现要素

本实用新型的目的是提供一种自锁保护电路，当需要从总电源上断开该电路直到故障得以解决时，该电路可以在断开电源后保持自锁. 断电后电路恢复正常工作.

本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:

一个自锁保护电路，包括电源VCC，MOS晶体管Q1和三个晶体管Q2，Q3，Q4，电源VCC连接到MOS晶体管Q1的漏极和MOS的源极晶体管Q1连接到电器；

在电源VCC和MOS晶体管Q1的漏极之间有一个节点M1，该节点M1通过电阻R1连接到MOS晶体管Q1的栅极；

在电阻器R1和MOS晶体管Q1的栅极之间有一个节点M2，该节点M2连接到晶体管Q2的集电极，并且晶体管Q2的发射极接地;

在电阻器R1和节点M1之间有一个节点M3，该节点M3连接到晶体管Q3的集电极，并且晶体管Q3的发射极通过电阻器R2接地；

在晶体管Q3的发射极和电阻R2之间有一个节点M4，该节点M4分别连接到晶体管Q2的基极和晶体管Q4的基极；

在电源VCC和节点M1之间有一个节点M5，该节点M5通过电阻R3连接到晶体管Q4的发射极，并且晶体管Q4的集电极接地；

晶体管Q4的发射极和电阻R3之间有一个结M6，该结M6连接到二极管D1的阳极，二极管D1的阴极连接到晶体管Q3的基极;

在二极管D1的阴极和晶体管Q3的基极之间有一个节点M7，该节点M7连接到反馈控制端子.

此外，反馈控制终端使用MCU微控制器，过压保护电路，过流保护电路或过热保护电路.

此外，MOS晶体管Q1使用N型MOS晶体管.

此外，晶体管Q2和Q3都是NPN型晶体管，而晶体管Q4是PNP型晶体管.

本实用新型的有益效果: 本实用新型提供的自锁保护电路通过控制MOS管为电器供电，并通过反馈控制端子控制MOS晶体管的导通和截止馈电. 在反馈控制信号中实现电器的断电，通过三个晶体管的开关作用形成回路控制，实现自锁保护功能，保持电器的断开状态，避免电路在问题没有解决的情况下反复重启，电路问题解决并重新上电后，即可正常供电；电源大大提高了电路的安全性，有效地保证了使用寿命以及电器电路板的可靠性，保证了电器的安全性，且成本低. 适用于各种电子产品的保护电路，大大降低了损坏电子设备的风险，有效地保证了电子产品的质量，安全性和可靠性.

附图说明: 下面将参考附图和具体实施例对本实用新型进行更详细的描述.

图1是本发明的电路.

具体实现

结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚，完整地描述. 显然，所描述的实施例仅是本发明实施例的一部分，而不是全部示例. 基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围.

如图如图1所示，本实用新型提供了一种自锁保护电路，其包括电源VCC，连接电源VCC和负载的MOS管Q1，以及用于环路自锁控制的三个晶体管Q2和Q3.

其中，MOS晶体管Q1采用N型MOS晶体管，并且具有栅极，源极和漏极的三个触点. 晶体管Q2，Q3和Q4都具有三个触点: 基极，集电极和发射极. 其中，晶体管Q2和Q3使用NPN型晶体管，而晶体管Q4使用PNP型晶体管.

电源VCC连接至MOS管Q1的漏极电平D，并且MOS管Q1的源极电平S连接至作为电器的电力输入的电器. 在电源VCC和MOS管Q1的漏极电平D之间有一个节点M1. 点M1通过电阻R1连接到MOS晶体管Q1的栅极G.

在电阻器R1与MOS晶体管Q1的栅极G之间有一个节点M2. 节点M2连接到晶体管Q2的集电极C2，并且晶体管Q2的发射极E2接地.

在电阻器R1和节点M1之间有一个节点M3. 节点M3连接到晶体管Q3的集电极C3，并且晶体管Q3的发射极E3通过电阻R2接地.

在晶体管Q3的发射极E3和电阻R2之间有一个节点M4，该节点M4分别连接到晶体管Q2的基极B2和晶体管Q4的基极B4.

在电源VCC和节点M1之间有一个节点M5. 节点M5通过电阻R3连接到晶体管Q4的发射极E4，并且晶体管Q4的集电极接地.

在晶体管Q4的发射极E4和电阻R3之间有一个结M6. 结M6连接到二极管D1的阳极，二极管D1的阴极连接到晶体管Q3的基极B3.

在二极管D1的阴极和晶体管Q3的基极B3之间有一个节点M7，该节点M7连接到反馈控制端. 反馈控制端子采用MCU微控制器，过压保护电路，过流保护电路或过热保护电路等. 当检测到电器中的过压，过流或过热故障时，输出反馈控制信号（高电平信号）至节点M7

本实用新型的工作原理

系统上电后，MOS管Q1导通，电器工作正常；当反馈控制端子检测到电器出现过压，过流或过热故障时，它将向节点M7输出高电平信号. 此时，晶体管Q3导通，节点M4的电平被上拉，然后晶体管Q2导通，节点M2的电平被下拉，从而MOS晶体管Q1被导通关闭，电源关闭；同时，由于节点M4的电平被拉高，导致晶体管Q4断开，从而确保节点M7的电压被锁定在高电平，即MOS晶体管Q1被锁定处于断开状态，直到重新启动电源后系统恢复到正常导通状态.

本实用新型提供的自锁保护电路控制MOS管向电器供电，并将反馈控制信号馈入反馈控制端以控制MOS管的通断，因此作为切断电器的电源并通过三个三极管开关，效果形成回路控制，实现自锁保护功能，保持电器的断开状态，避免在不出现问题时电路反复重启. 解决了问题，同时解决了电路问题，重新上电后三极管自锁电路原理，电器正常上电，大大提高了电路安全性，有效地保证了电器电路板的使用寿命和可靠性. ，确保了电器的安全性，成本低廉，适用于各种电子产品的保护电路，大大降低了损坏电子产品的风险电子设备，有效地保证了质量，安全性和可靠性.

在本说明书的描述中三极管自锁电路原理，涉及术语“一个实施例”，“示例”，“特定示例”等的描述表示结合该实施例描述的特定特征，结构，材料或特性. 在本实用新型的至少一个实施例或示例中包括该示例或示例. 在本说明书中，以上术语的示意性表达不一定指相同的实施例或示例. 而且，可以在任何一个或多个实施例或示例中以任何合适的方式组合所描述的特定特征，结构，材料或特性.

以上仅是示例和对本实用新型结构的描述. 只要不偏离本发明的范围，本领域技术人员可以对所描述的具体实施方式进行各种修改或补充，或者以类似的方式替换它们. 本实用新型的结构或超出权利要求所限定的范围应属于保护范围.

技术摘要

本实用新型公开了一种自锁保护电路，其通过控制MOS管来控制电器的电源，并通过反馈控制端馈入反馈控制信号来控制MOS晶体管的导通和截止，从而通过三个晶体管切断电器的电源. 电路的开关效果形成回路控制，以实现自锁保护功能，保持电器的断开状态，避免在未解决问题时以及同时在电路之后反复重启电路解决了该问题，将电力正常供应给了电器，大大提高了电路的安全性，有效地保证了电器电路板的寿命和可靠性，电器的安全性和低成本. 适用于各种电子产品的保护电路，大大降低了损坏电子设备的风险，有效地保证了电子产品的质量，安全性和可靠性.

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