日亚化学开发了蓝绿色半导体激光器，其振荡波长为488nm

日亚化学开发了蓝绿色半导体激光元件，该元件在连续振荡期间的中心波长为488 nm. 样品发货于2008年3月开始. 该产品使用GaN基半导体激光元件，现已投产，发射波长最长.

该产品用于替代在生物技术和其他领域的研究和开发中使用的Ar（氩离子）激光器. 在该领域中，Ar激光器被用作用于荧光分析的激发光源，即，该激光器被用于用荧光材料照射DNA以定量分析材料的发光. 根据Nichia Chemical的说法，Ar激光器的能量转换效率仅为几个百分点，因此发热大且冷却系统大，因此迫切希望减小激光照射装置的尺寸. 这次发布的蓝绿色半导体激光器将能量转换效率提高到13％，从而使激光照射装置小型化. 此外，日亚化学还提到了与Ar激光器相比，这次开发的设备的高速调制特性. 在美国圣何塞举行的“西部光电展”上，该公司于1月22日开始在其展位上展示该产品.

在连续振荡期间，已经开始送样的产品的输出功率为5mW. 此时，驱动电流为71 mA，驱动电压为5.3V. 在连续振荡期间，青色半导体激光器的阈值电流为49mA，阈值电压为5.0V. 当连续振荡且输出功率为5mW时，证明它在+ 25℃可以稳定工作1000小时. 估计寿命超过10,000小时（当初始电流值达到1.3倍时）. 最初只有5mW的型号，而20mW的型号“并非不可能”（日亚化学工业），目前正在生产之前进行开发. 尽管没有详细描述，但与5mW模型相比，20mW模型可能会在输入电流下改变光输出功率的特性.

为了获得488nm的中心波长488nm激光器，增加了发光层中In的比例. 然而，由于晶格常数的差异，In比率增加得越多，晶体中将产生越多的易位缺陷，导致晶体的质量下降和发光困难. 这次，优化了晶体的生长，并且可以在不过度增加折射率密度的情况下增加In的比率. 另外，为了防止所产生的光在结晶过程中容易被吸收，还对发光层的层结构进行了改进.

这一次，日亚化学工业公司像现有产品一样在GaN衬底的极性表面上形成了发光元件结构. 目前，在GaN基半导体激光器元件领域中，对实现大波长绿色半导体激光器的研究已经成为热点. 就大波长而言，通常增加发光层中的In比，并且如上所述，晶体缺陷将相应地增加，并且同时，由于压电的影响增加，发光效率将降低. 电场. 近来，已经开始研究在GaN衬底的非极性表面上形成发光元件结构以减小压电电场. 日亚化学工业不仅致力于非极性表面488nm激光器，还致力于极性表面的大波长研究.

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