旧功率放大器的高级部分（第2部分）(2)

VT307，VT309，VT308和VT310是对称输出级. 这是两个管并联连接的输出级. 即，VT307，VT309，VT308和VT310两两并联连接. 目的是提高电流输出能力. 如果存在更大电流规格的晶体管，则可能无法并联. 并联的优点是减小热阻并提高电路的稳定性，但缺点是并联不如单管，也不利于电路稳定性的提高. 电路设计中有成本因素和设计习惯. 当然功放后级 温度，如果要求功率输出很大，并且当时单个晶体管的最大电流规格不能满足要求，则并联连接似乎是唯一的选择（如果不允许增加工作电源电压）.

CB1是具有常闭触点的氖管. 它在此处用作断路器. 当输出端子短路时，保护输出级的晶体管不会因过大的电流而损坏. 应该说这种保护电路很少见，保护的重点是输出级的晶体管，对扬声器的保护很小.

此霓虹灯管的工作原理与旧荧光灯中的启动器非常相似. 两个常闭触点之一支撑在双金属上. 所谓的双金属片是两种金属片，它们彼此靠近并且具有显着不同的热膨胀系数. 当温度升高时，双金属片会由于不同的膨胀系数而弯曲. 在正常工作条件下，常闭触点闭合，并且触点的接触电阻相对较低，这相当于电路中串联的电阻较小. 如果输出端发生短路，则流经常闭触点的电流将大大增加，从而导致双金属片发热并弯曲，

常闭触点断开以形成开路. 与两个触点并联的电阻线会因热量而发光. 同时，由于电阻丝的电阻远大于触点的接触电阻，电路电流将降至正常水平. 霓虹灯管发光也提醒我们电路短路！

图13所示的电路还包括一个输出开关电路和一个电源电路. 该部分电路实际上位于音频电路板上，换句话说，它们与功率放大器电路不在同一电路板上.

图13 SONYTA-1150的功率放大器电路

输出开关允许放大器同时连接到两对扬声器，并由开关进行切换. 更重要的是，功率放大器的输出端未配备基于继电器的输出保护电路. 功率放大器打开时，可以关闭开关，以避免打开扬声器时设置的声源受到影响.

电源部分仅画出电源变压器的次级电路和后续电路，因为初级电路和先前电路比较简单，并且产品针对不同的区域市场，这部分电路不同，空间有限，只需删除复合体即可.

乍一看，电源部分的整流电路（VD551）似乎是桥式整流电路. 实际上，它不是双全波整流电路. 经过全波整流后，它输出两个电源，一组正电源和一组负电源. 两组电源是对称的. 当标称电源电压丢失时，正电源和负电源的电压为35V，即±35V的双电源.

功率放大器板上的VT551构成一个电子滤波器，可为反相级和前置放大器级提供低纹波负功率. 从理论上讲，使用另一组电子滤波器时，为反相级和前置放大器级提供正的低纹波功率更为理想. 为什么不呢，只问SONY的设计师. 推测的原因是，具有低纹波的正电源对电路性能的贡献率几乎可以忽略不计. 一些消息来源说，日本产品永远不会在产品上使用多余的部分. 如果上述推测正确，则可以从此处看到.

L301是输出处的振动抑制（振荡抑制）组件，为避免宽带功率放大器级加上较长的扬声器电缆引起的高频振荡，R325是高频（用于音频）补偿分量，补偿由于L301的交叉，它会导致音频信号中高频分量的额外衰减. R324和C309构成了著名的“ Rubel电路”，它也可以抑制高频振荡，但是该电路抑制的高频振荡的频率比L301高得多.

从声源选择到功率放大器输出级再到输出切换电路，所有选择开关都位于默认位置，如表3所示.

TA-1150与TA-1150D有何不同

TA 1150和TA115OD之间的上市时间大约2年. 无论是增强版还是豪华版，TA-115OD都可以看作是TA1150的改进型号. 从电路上的差异的角度来看，恐怕这只是一个见解，因为两者的差异确实没有那么大.

首先，两者的金属部分没有区别，即底盘的材料和结构相同. 其次，功能相同）包括输入/​​输出端口. 第三，电路布局是相同的，

图14 SONVTA-115OD前置放大器电路

图15 SONYTA-1150D功率放大器电路

也就是说，组件在印刷板上的位置以及电路板在机箱中的位置和安装方法；第四是电路元件的组装方法相同，工艺略有不同，可以证实的差异是印刷电路板铜箔表面的TA1150前级部分，元件引脚，特别是电阻引脚位置覆盖有类似树脂的材料，似乎出于某种目的被密封，例如防潮或绝缘.

当然，两者也不同，即具体电路. 最大的区别是放大器. 它增加了一个由J-FET（结型场效应管）组成的差分输入级，以增加放大器的输入阻抗. 同时，电源电路也得到了加强，增加了正电

源的电子过滤器；其次，增强了音调电路的噪声控制电路. 第三，功率放大器部分的噪声抑制也得到了加强. 第四，调整了部分组件的模型. 第五，一些小的变化.

由于两者之间有很大的相似性，因此以下是所有选择开关和声源选择部分的一些功能. 这也是空间的原因. 整个电路分为两部分，即前置放大器电路和功率放大器电路. 表3显示了所有简化功能开关的默认位置.

TA-115OD的前置放大器电路如图14所示. 简化了音量控制和相等控制电路.

与图8相比，最明显的区别是每个通道都添加了一个双J-FET，这与封装中的IC（例如通用光耦合器）非常相似. J-FET的输入阻抗远高于双极晶体管的输入阻抗. 由J-FET构成的公共源极放大器等效于由双极晶体管构成的公共发射极电路. N型J-FET在功能上等效于NPN的双极型晶体管. 等效的N型J-FET在功能上等效于双极型晶体管，差动放大器设计用于将输入信号与反馈信号隔离开. 一个明显的区别是对于输入信号，图8显示了一个同相放大器，该输入信号是从IC101的同相输入端子输入的，而在图14中，IC101被配置为一个反相放大器，该输入信号通过的VT102被放大并输入到反相放大器. 运算放大器被配置为正相或反相放大器，通常在性能上没有明显的区别，但是共源放大器是反相放大器，而IC101被配置为反相放大器. 输出信号与VT102的输入端子同相，因此TA-1150和TA-115OD放大器电路不同，但放大器输出信号的相位相同.

TA115OD的另一项改进是增加了由VT5O4组成的电子滤波器，可减少正电源的纹波.

TA 1 150D的第三项改进是增加了启动时机器的噪声抑制电路. 噪音控制管是VT505和VT506.

TA-115OD的第四改进属于微妙的一面，即在负电源的电源电路中增加了磁珠. 磁珠用于抑制几兆赫甚至几十兆赫兹的高频振荡，或者被过滤. 在模拟放大器中，除非抑制成宽带的放大器具有高频自激趋势，特别是TA-1150D，可以与J-FET一起使用，否则很难通过抑制或滤波效应来改善电路. 相关.

与图2相比. 如图10所示，音调电路的差异主要是缓冲放大器中使用的晶体管型号VT101的变化. 比较图. 参照图8和图8. 14，不难发现这种变化. 至于两者中的哪个更好，则从通用技术规范中找不到明显的差异，性能改进也很难找到或有成本因素.

另一个变化与放大器电路类似. 它还添加了许多磁珠. 该模型在颜色外观方面相同. 除负电源电路外，还增加了接地电路. 这有点令人困惑. 通道不对称，R164通过磁珠接地，但R264不是，可能与电路布局有关.

关于组件类型的变化，例如碳芯电阻，聚酯电容器等，TA-1150和TA-115OD之间没有任何区别，因为作者手边没有TA-1150，因此无法得到证实.

TA-115OD的功率放大器电路如图15所示，简化了输出开关电路.

与Itl13相比，最明显的差异之一仍然是晶体管模型的变化. 某些更改带有阴影标记，浅色阴影是模型更改，而深色阴影是新添加的组件.

另一个明显的变化是输出中点保护电路的增加. 正输出和负输出中点失调保护分别由VT552和VT553接管. 两者的相加也抑制了机器的开关冲击. 实际效果表明，TA-1150D开关的撞击声几乎听不到. 至于TA-1150，则未知.

TA-1150D的功率放大器电路还增加了两个上部磁珠，这两个磁珠的颜色与前置放大器电路不同.

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