双向晶闸管的原理_双向晶闸管的判断

电脑杂谈  发布时间:2020-06-18 02:42:23  来源:网络整理

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双向晶闸管原理

“双向晶闸管”: 它是在普通晶闸管的基础上开发的. 它不仅可以并联替换两个反极性晶闸管,而且仅需要一个触发电路,这是理想的. 交流开关设备. 英文名称TRIAC表示三端双向交流开关.

首先看一下下图的工作原理:

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如果要保持简单双向可控硅好坏判断,只需记住一个句子,只要G端子上有信号,T1-T2路径就打开,只有当G为零时,它才会连接,主要看一下应用程序的权限.

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查看电路图. 实际上,双向晶闸管主要用于交流电路.

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简单介绍一下,Q5是一个三极管,U2是一个光耦合器,BT1是一个双向晶闸管,R144是一个压敏电阻,等效于正常工作中的开路,仅当它超过470V时才工作,CN5连接到负载,也就是说,只要我给AirPumpSwitch信号,晶闸管就会导通,无论它处于交流电的正还是负.

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双向晶闸管的特性和应用

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双向晶闸管可以看作是一对反并联的普通晶闸管的集成,其工作原理与普通单向晶闸管相同. 三端双向可控硅开关元件具有两个主电极T1和T2,即一个栅极G,该栅极使器件能够在主电极的正负两个方向上触发导通,因此,三端双向可控硅开关在第一象限和第三象限中具有对称的伏安特性. 双向晶闸管栅极加上正负触发脉冲可使电子管触发导通,因此有四种触发模式. 双向晶闸管的应用是通常使用双向晶闸管,需要定量掌握其主要参数,适当选择双向晶闸管,并采取相应措施以满足每个参数的要求.

·耐压等级的选择: 通常,VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的一个被标记为设备的额定电压. 选择时,额定电压应为正常工作峰值电压的2〜3倍,作为允许的工作过电压裕量.

·电流的确定: 由于双向晶闸管通常用在交流电路中,而不是取平均值,所以用有效值表示其额定电流值. 由于可控硅的过载能力小于普通电磁设备,因此,一般家用电器中选择的可控硅的电流值是实际工作电流值的2〜3倍. 同时,晶闸管承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM.

·接通状态(峰值)电压VTM的选择: 这是晶闸管通过额定电流的指定倍数时的瞬态峰值电压降. 为了减少晶闸管的热损失,应尽可能选择VTM较小的晶闸管.

·维持电流: IH是维持晶闸管导通状态所需的最小主电流. 它与结温有关. 结温越高,IH越小.

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·电压上升率的电阻: dv / dt是指断开状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的关键参数. 超过该值可能会导致晶闸管产生误导. 由于晶闸管的制造过程决定了A2和G之间将存在寄生电容.

判断双向晶闸管质量的方法之一:

测量电极之间的电阻. 如果测得T2-T1和T2-G之间的正向和反向电阻接近∞,并且将万用表放在Rx10范围内,并且T1-G之间的正向和反向电阻为Rx1k,则将万用表置于Rx1k范围内以几十欧姆测量,这意味着三端双向可控硅开关元件良好并且可以使用;相反,如果测量T2-T1,T2-G之间的正负电阻,则它很小甚至等于零;而当T1-G之间的正负电阻是零或接近零时,它表示三端双向可控硅开关元件的性能下降或击穿损坏. 不能使用;如果测得的T1-G之间的正向和反向电阻非常大(接近∞),则意味着控制电极G和主电极T1之间的内部接触不良或开路损坏,因此不能使用.

方法二:

检查触发器的接通能力. 万用表放置在Rx10文件中: ①如图1(a)所示,将黑色电极连接到主电极T2,将红色电极连接到T1,即,向T2施加正电压,然后使用短路连接G和T1(或T2)的电路短接后,离开仪表,如果指针变大并停留在固定位置,则意味着双向晶闸管的一部分(其中一个是单向晶闸管)良好,如图1(b)所示,黑色测试引线连接到主电极T1,红色测试引线连接到T2,即向T1施加正电压,然后短路用于短路G和T1(或T2)并离开. 如果结果与上述相同,则也表明双向可控硅的另一部分(其中一个是单向可控硅)是好的. 测试已完成,表明该双向可控硅是全部很好,那就是它可以双向触发(不同极性的触发电压证书)打开.

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方法三:

检查触发器的接通能力. 如图2所示,取一个约10uF的电解电容器,将万用表放入Rx10k文件中(V电压),对电解电容器充电3到5s,以替换图1中的短路,即,使用电容器将电压用作触发信号,然后将万用表放入Rx10文件中,并根据图2(b)进行测试. 在测试期间,电容器C的极性可以任意连接. 触摸后也要离开. 观察仪表指针的偏斜. 如果测试结果与“方法2”相同,则表明双向可控硅良好.

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使用此方法判断三端双向可控硅开关元件的触发传导能力更可靠. 由于电解电容上的充电电压较高双向可控硅好坏判断,触发信号增加,更有利于判断大功率双向晶闸管的触发能力.


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