
专利名称: 多晶硅电炉用大容量,大电流干式变压器的制造方法
技术领域:
本实用新型涉及一种用于大容量多晶硅电炉的干式变压器,尤其涉及一种大容量,大电流低压多级调压干式变压器.

背景技术:
在生产多晶硅时,生产企业通常会在多套熔炉中生产多晶硅,这需要使用相同数量的干式变压器和配电室,从而导致大量的重复建设资金投资和较大的占地面积. 随着生产企业“技术进步,节能降耗”的需要,单炉容量逐渐增加,从原来的单还原炉配置的M对硅棒,发展到现在的36对硅棒. 当前40对硅棒配备单炉的变压器的容量也在增加. 从最初的3300kVA和6600kVA到现在的1000kVA,有必要装备大容量和大电流的多晶硅干式变压器. 另外,由于变压器容量的增加,并且40对棒炉本身具有不对称的结构,使得变压器本身三相不平衡运行,在变压器容量增加到一定程度后,变压器的困难从如何实现产品,如何控制变压器的温升. 低压侧最低电压引出行的电流非常大. 通常,引出线排位于线圈内部. 大电流将在变压器运行时带来巨大的额外损耗,从而难以控制变压器的温升. 该产品有大量的低压引出线. 如果使用普通的连续排进行引出,则线圈的径向尺寸远远超过设备的卷绕半径,这给生产和安装带来了困难. 发明内容本发明的目的是解决上述技术问题,提供一种大容量,大电流的干式变压器,其可以满足40对多晶硅电炉的运行需求,并且具有易于生产和安装,体积小,易于控制变压器. 温升的特点.
为了达到上述目的,本发明的技术方案是一种用于多晶硅电炉的大容量,大电流干式变压器,包括铁芯,高压线圈,低压线圈,高压线圈和低压线圈分别为三个. 低压线圈固定在铁芯上,高压线圈套在低压线圈的外部以形成三相. 低压线圈上的引出铜条连接到绝缘端子. 在各层之间使用双层铜箔结构,并且在低压线圈中的相同匝的两层铜箔之间设置绝缘层. 低压线圈的电压顺序是: 内部电压最高,外部电压逐渐降低,最外部为零. 零行从线圈的上部绘制. 引出铜条由上下排列的上铜条和下铜条组成. 下部铜排的下部连接到低压线圈,上部向上和向外弯曲,上部铜排成直角,其横截面连接到下部铜排连接,垂直部分与绝缘端子连接. 本实用新型的低压线圈的绕组缠绕有双层铜箔,在同一匝的两层铜箔之间设有绝缘层. 这种结构可以在两个引出铜条之间形成电气独立性. 变压器可以为40对大容量,大电流的棒状电气设备提供电源要求;在产品温升和损耗控制方面,本实用新型突破了常规多晶硅的常规产品结构,颠倒了低压线圈(即线圈内部最高电压,外部电压)的电压排列顺序. 逐渐减小,最外层为零,过去的零行从线圈的底部更改为线圈的顶部. 这种结构使大电流引线远离铁芯,从而大大减少了由大电流引起的附加损耗. 同时,线圈外部的电压低,电流大,并且温度升高. 放置温度升高的部分和线圈的外层. 增加了散热面积,有利于减少温升;本实用新型还将铜条上下放置,并采用直角弯曲结构和左右交错布置,以防止铜条引出时产生干扰,并有利于铜条自身散热. 这样减少产品体积有利于产品的制造和安装.

图1是本实用新型的. 图. 图2是图1的左侧视图. 1.图3是图1的俯视图. 图4是低压线圈的.
具体实现
附图是本发明的实施方式,其包括铁芯1,高压线圈2和低压线圈3. 高压线圈2和低压线圈3分别是三相线圈,将低压线圈3固定在铁芯1上. 高压线圈2置于低压线圈3的外侧,形成一个单相,三个单相形成一个三相,如图1所示的相位变压器. 3.低压线圈3上的引出铜条6连接到绝缘端子. 低压线圈3设置有两组交替布置的引出铜条6. 低压输出具有多个电平. 每组低压线圈3具有相应的引出铜条6. 每个低压输出级的绕组分别连接到两个引出铜排6和两个引出铜排6多组线圈布置圈的两侧. 低压线圈3中的绕组缠绕有双层铜箔,也就是说,绕组的层是双层铜箔结构,并且绝缘层设置在该铜箔的两层铜箔之间. 同一匝中的低压线圈3,使两根引出的铜排形成6之间的电气独立性,从而使一台变压器可以实现40对棒状电气设备的大容量,大电流供电要求. 在本实用新型中,低压线圈3的电压排列顺序为: 内部电压最高,外部电压逐渐降低,最外部为零,零行从图3的上部引出. 线圈. 本实用新型的引出铜排6由上下排列的上铜排6和下铜排6组成. 下铜排6的下部连接到低压线圈3,并且其上部向上和向外弯曲. 上铜排6成直角,其水平部分连接至下铜排6,其垂直部分连接至绝缘端子. 上铜排6和下铜排6通过螺栓固定,留有足够的尺寸以便于连接. 本实用新型还可以增加出口排之间的空气通道,同时以交错的方式布置多个出口铜排6. 例如,从左侧引出下面的第一铜排6,从右侧引出上面的第二排,然后,从左侧引出第三铜排6,并依次排铜如图2所示,圈的两侧引出. 4.最后,通过计算机模拟分析和最终实验测试温度升高,以满足用户要求. 本实用新型可以满足40对硅棒多晶硅电炉的运行所需的大容量,大电流的干式变压器,具有易于生产安装,体积小,易于控制温升的特点. 变压器.

1,一种用于多晶硅电炉的大容量,高电流干式变压器,包括铁芯(1),高压线圈(2)630变压器使用的铜排,低压线圈(3),高压线圈(2)和低压线圈(3)各三个,低压线圈(3)固定在铁芯(1)上,高压线圈(2)包覆在铁芯上低压线圈(3)的外部形成三相,低压线圈(3)(4)上的引出铜条与绝缘端子连接. 其特征在于,低压线圈(3)设有左右错开的两组引出铜条(4). 低压线圈(3)的绕组之间具有双层铜箔结构,低压线圈(3)在同一匝的两个铜箔之间设有绝缘层.
2. 2.根据权利要求1所述的用于多晶硅电炉的大容量,大电流干式变压器,其特征在于,所述低压线圈(3)的电压排列顺序为: 最里面的电压最高,外面的电压最高. 逐渐减小,最外层为零,从线圈的上部绘制零行.
3. 2.根据权利要求1所述的用于多晶硅电炉的大容量,大电流干式变压器,其特征在于,所述引出铜条(4)由上下排列的上铜条和下铜条组成. . 铜条的下部连接到低压线圈(3),上部向上和向外弯曲. 上部铜条成直角. 其水平部分连接到下部铜排,垂直部分连接到绝缘端子.

<专利>发明内容本实用新型涉及一种用于多晶硅电炉的大容量,大电流干式变压器,包括铁芯,高压线圈和低压线圈. 高压线圈和低压线圈各三个,低压线圈固定在铁芯上. 高压线圈设置在低压线圈的外部,形成三相. 低压线圈上的引出铜条连接到绝缘端子. 低压线圈上设有两组不对称排列的引出铜条. 绕组中,低压线圈中同一匝的两层铜箔之间有一个绝缘层. 低压线圈的电压顺序为内部电压最高,外部电压逐渐降低. 铜排由上下排列的上下铜排组成,下部铜排的下部与低压线圈连接,上部向上和向外弯曲,上部铜排位于在垂直方向上,其水平部分连接至下部铜排630变压器使用的铜排,其垂直部分连接至绝缘端子. 本实用新型可以满足40对硅棒多晶硅电炉的运行所需的大容量,大电流的干式变压器,具有易于生产安装,体积小,易于控制温升的特点. 变压器.
文档编号H01F27 / 28GK202307460SQ20112039012
2012年7月4日公众日,申请日期2011年10月14日,优先日期2011年10月14日
发明人刘文雪,吴克彦,张明,王继鹏,徐兴国申请人: 山东鲁能泰山电力设备.
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