设计驱动继电器电路的注意事项

在开始选择继电器驱动器时，习惯选择现有的集成芯片，例如NUD3126和NUD3124，并没有仔细考虑为什么要选择它们，无论是选择分立晶体管还是达林顿管. 在这里做一些分析和补充.

第一个因素是继电器的热断开

我们知道继电器必须成功接通，尤其是在高温下大功率继电器驱动方式，这需要一定的电流. 由于高温的影响，电阻增加，因此所需的启动电压也上升. 对于这方面的计算，我可以查看我以前的博客文章

因此，通常可以得到温度和电压的图形，如图所示:

达林顿管的饱和电压高于普通三极管.

采用这种设计时，反向保护二极管的电压和达林顿的饱和电压将产生一个电压降. 在高温下，继电器可能无法拉入

因此，如图所示，RELAY供应商通常不建议这种设计:

我不认为上述设计比上一个设计好很多，但是如果这样设计，则可以部分解决问题.

驱动电路的保护

感性负载与瞬态电压问题有关. 此计算已重复进行，您可以参考上一篇博客文章.

增加二极管续流的问题是以继电器本身的寿命为代价的，这不是成本有效的. 如果不添加续流二极管，则需要考虑如何释放这部分能量

最后三个选项可用，但调节器最便宜，但速度很慢.

为什么三极管坏了？

三极管的软击穿

对于由集电极电压超过V（BR）CEO引起的击穿，只要外部电路限制击穿后的电流，就不会损坏灯管. 将集电极电压降低到小于V（BR）CEO之后，管将恢复正常运行，因此这种击穿是可逆的，不会造成破坏.

晶体管的二次击穿

如果在上述击穿之后电流不受限制，则将出现集电极电压迅速下降而集电极电流迅速上升的现象. 这种现象通常称为二次击穿. 二次击穿的过程是: 电流密度在结表面上的某些薄弱点处增加，导致这些局部点的温度升高，从而使局部点处的电流密度更高且温度更高. 这种重复作用最终导致热点中的晶体熔化，从而在集电极和发射极之间形成一个低电阻通道，从而导致vCE降低和iC急剧增加. 结果大功率继电器驱动方式，功率管在变热之前就被损坏了. 因此，第二次故障是不可逆的且具有破坏性. 可以看出，二次击穿发生在高电压，小电流下，相应的功率称为二次击穿容限.

最后一个问题是反向连接保护的问题

这是一个令人讨厌的问题. 二极管的问题是电压降. 如果使用PMOS或NMOS，则COIL的反向电压可能会影响PMOS，因此请仔细选择反向保护电路.

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