CMOS NAND门振荡器的原理和应用(1)

电脑杂谈  发布时间:2020-05-07 04:14:58  来源:网络整理

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甲节竹节霜露_节日开始,CMOS NAND门是数字集成电路中最基本的电路之一,它由具有适当电阻和电容的c os NAND门集成电路组成. 这种振荡器的用途非常广泛. 本文重点介绍几种常见振荡器的原理和应用. 1.多共振声音非对称多共振风扇该电路由两个CMOS和41 EJ“]电路以及一个电阻器和一个电容器组成. 它可以产生具有多个谐波分量的矩形脉冲. 电路原理如图1a所示. 该振荡器的工作过程如下: 假设振荡开始,国家1-a中的B点的电平为1”,那么经YF2反转后的E点的电平为“ 0电阻R,点^,电容C ,点E形成一个回路,以对电容器C进行指数充电: 当^点处的电平上升到1“时,YFl反转后的B点立即跳到0”,这是振荡器产生的第一个雪崩电平为1,是振荡器的第二个稳定状态;在第二个临时稳定状态下,电容器c通过点A,电阻R和B进行指数放电. 当点^的电平下降时,电容达到零. NAND门YF1发生另一个雪崩. 当我达到t时,B点的电平从0变为“ 1”瞬态稳态. 那就是振荡器的起始状态.

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振荡器YF2的输出波形如图1-b所示. 在圆l -a中,tF f-J〜0用于整形并隔离输入波形. . 电路由点B和过程(在点E处)组成. 返回第一个A R-〜IVI 2〜F O-C圆l-a-T 2 + VOUT] factory-T l,图l振荡器输出处的脉冲. 1醌周期取决于电路中电阻R和电容C的乘积,并且与R和c的乘积成比例. 周期T f = 1 /T≈1/ 1. 4RC. 该多谐振器件具有元件少,电路简单,调试方便,应用范围广的特点,但是很难调整其占空比以使其更加精确. 应注意{从I开始: 电阻器R的电阻值不应太小. 否则会引起不良影响,或者开始振动后振荡波形不正常,或者运行不稳定等不稳定结果. 其电阻通常应大于10 kQ. 可以根据所需频率选择电容器C的电容. 为了使振荡器的振荡频率在一定范围内连续可调. 可以使用图2所示的电路. 用电位计代替图1中的电阻器R. 当电位计的电阻在O〜10 Okn的范围内变化时,振荡器的振荡速率会在O〜3kHz的范围内变化. 2.对称多谐振风扇由两个与非门电路,两个相同电阻的电阻和两个相同的L. 4RC组成,具有振荡频率能力的电容器可以形成一个占空比为5的对称多谐振荡器,电路原理如图3所示.

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工作过程是: 假设在第一个瞬态稳态下,点^的电平为“ 0”,电路^指向l,C,B,C 1 Bu 1充电. 通过Rl和B点放电. 当M点的电平升至“ l”时,电路出现●重庆五龙发l■1OOk c端口: VOU Yang [—端口. (R1 _I『盟IC1铚R,一1″,B点工厂__. 霉菌v 0 I] T p — rf 1⋯图3 — C2 a BU IL-〜第一转弯. 电平“ 1 0”到状态之后,C1通过R2和A放电,电路B,R1,N,C2和A对电容器c2进行指数充电,当N的电平上升时,电路再次导通. 级别: 跳到A点,然后跳到1. 相应地,电路进入另一个瞬态稳定状态,并且在电路的初始状态之后非门振荡器频率,电路重复并且循环形成连续的振荡.

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圆圈4示出了对称多谐振器的另一种形式. 只要_l | Fli RI = R2,C1 = C2,输出波形的占空比为50%,两个输出端子的脉冲波形的相位相反. 脉冲周期T与电路中电阻R和电容C的乘积成比例: T≈L4RC. 它与脉冲频率成反比: f = l /T≈1/ 1/1. 4RC. 值得注意的是,圆圈4所示的电路中的R1和R2的电阻不应太小. 圆3中R1和R2的电阻值应较大OkQ. 可以根据频率选择圆圈3和4中电容器C的电容,但不能太小,通常应大于3300pF. 否则,电路不易振动,或振动后工作不稳定. 2.环形振荡器所谓的环形振荡器. 它是为了端到端连接多个0和NAND集成电路的输出和输入. 然后将第一个头端连接到最后一个尾端. 形成环形电路. 振荡器以此方式组成. 这称为环形振荡器. 这里应该指出,构成环形振荡器的10个NAND门集成电路的数量必须是奇数,并且至少由三个NAND门组成. ? (待续)跳到0非门振荡器频率,点B从1变为1. 这时,晶体销售进入第二个临时稳定状态l“,0 x / O UT1 ^ C1 v0u进程r9·I /, j r_ nRl. L戏剧qf YF2 —_t R2'. 1. 有毒的宋荣成变压器轴杆爱好者. 电话: 028- 3199959. o- $童电子·征友·12— 43韦普信息


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      • 徐盼盼
        徐盼盼

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