三相可控硅触发电路的制作原理

本实用新型涉及一种可控硅投切开关触发电压，更详细地说，它涵盖一种三相可控硅触发电路。

背景技术：

当前在电能补偿功能中，广泛使用可控硅、同步开关这几种电容投切开关对电平进行投切，为了使电路投入无波涛冲击电压，必须确保电源在拨通时电源两端的电源过零准确，这就要求主回路开关两端的电源过零检测电路的取样准确和抗干扰能力强。其中，在可控硅投切开关中增设有执行元件，该执行元件包括可控硅触发电路和可控硅，对于可控硅触发电路的电源过零准确性要求更高。但是现有的可控硅触发电路在对电平进行投切时，往往伴有浪涌冲击电压，影响整个电能补偿功能的稳定性。

技术实现因素：

针对现有技术存在的不足，本实用新型的动机在于提供一种三相可控硅触发电路，希望控制可控硅在工频过零时接通，导线过零点断开，不造成合闸涌流，改善整个电能补偿功能的稳定性他。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：

一种三相可控硅触发电路，涵盖电源模块、控制器和与控制器连接的三个相同的可控硅触发电路，可控硅触发电路均包含：

过零触发电压组件，涵盖串联的第一过零触发光耦和第二过零触发电压，所述第一过零触发光耦的第1管脚连接于电源模块，第2管脚连接于第二过零触发电压的第1管脚，第二过零触发电压的第2管脚与控制器的电容相连；

分压电容，用来承担流经第一过零触发光耦和第二过零触发电压的第6管脚到第4管脚的电源，所述分压电路的两端分别打通第一过零触发光耦和第二过零触发电压的第6管脚和第4管脚；

输出电容，用来与可控硅连接，涵盖与第一过零触发光耦的第6管脚相连的第一阴极端口和第一控制极端口，此外与第二过零触发电压的第4管脚相连的第二阴极端口和第二控制极端口；

阻容吸收电路，用来避免可控硅误触发，打通于所述第一阴极端口和第二阴极端口。

进一步的，所述分压电路包括与第一过零触发光耦的第6管脚和第4管脚相连的元件R1，此外与第二过零触发电压的第6管脚和第4管脚相连的元件R2。

进一步的，所述输出电容还涵盖引脚R3、绕组R4、绕组R5，其中，电路R3的一端连接于第一过零触发光耦的第6管脚，另一端连接于第一控制极端口和电路R4的一端，电路R4的另一端连接于第一控制极端口；电阻R5的一端连接于第二过零触发电压的第4管脚，另一端连接于第二控制极端口。

进一步的，所述阻容吸收电容包括电容C1和电路R6，所述电容C1的一端连接于第一阴极端口，另一端连接于电路R6的一端，电路R6的另一端连接于第二阴极端口。

进一步的，所述可控硅包括第一可控硅和第二可控硅，所述第一可控硅的正极相连于第二阴极端口，阴极连接于第一阴极端口，控制极相连于第一控制极端口；第二可控硅的正极相连于第一阴极端口，阴极连接于第二阴极端口，控制极相连于第二控制极端口。

进一步的，所述控制器采用性能为STC12C5406AD的三极管。

进一步的，所述第一过零触发光耦和第二过零触发电压均采用MOC3063。

与现有技术相比，本实用新型的长处是：

1、串联设置了第一过零触发光耦和第二过零触发电压来接近分压的效果，二来能够控制可控硅在工频过零时接通，导线过零点断开，不造成合闸涌流；

2、阻容吸收电容的设置，可避免可控硅阳极电阻上升率过高而误触发，起缓冲效果。

附图说明

图1为本实用新型的可控硅触发电路的原理图；

图2为可控硅的电阻原理图；

图3为控制器的电阻原理图。

附图标记：1、过零触发电压组件；2、分压电容；3、输出电容；4、阻容吸收电容。

具体实施手段

上面结合附图和实施例，对本实用新型进行详实描写。

一种三相可控硅触发电路，依照图1至图3，涵盖电源模块、控制器和与控制器连接的三个相同的可控硅触发电路。其中，电源模块为控制器可控硅触发电路供电，控制器采用性能为STC12C5406AD的三极管。

以A相的可控硅触发电路为例，该电阻包括串联的第一过零触发光耦U1和第二过零触发电压U2，第一过零触发光耦U1和第二过零触发电压U2均采用MOC3063，其外部设置有过零检测系统，在收到输入端的控制讯号时，并不能马上开启双向可控硅模块，只是直到过零后才触发双向可控硅进行导通，一来希望起到分压的效果，希望安全可信的触发可控硅，二来使得三相分开控制，在触发可控硅时具备更多选择，更重要的是希望在合闸时电源过零准确。第一过零触发光耦U1的第1管脚连接于电源模块，第2管脚连接于第二过零触发光耦U2的第1管脚，第二过零触发光耦U2的第2管脚与控制器的电容相连，并在第一过零触发光耦U1的第6管脚和第4管脚之间打通了用来分压的元件R1，同样的，在第二过零触发光耦U2的第6管脚和第4管脚之间打通了用来分压的元件R2。

如果，与第一过零触发光耦U1的第6管脚连接有输出电容3，输出电容3包括引脚R3、绕组R4、绕组R5、第一阴极端口A_K1、第一控制极端口A_G1、第二阴极端口A_K2和第二控制极端口A_G2，其中，电路R3的一端连接于第一过零触发光耦U1的第6管脚，另一端连接于第一控制极端口A_G1和电路R4的一端可控硅做开关电路图，电路R4的另一端连接于第一控制极端口A_G1；电阻R5的一端连接于第二过零触发光耦U2的第4管脚，另一端连接于第二控制极端口A_G2；而可控硅包括第一可控硅SCR1和第二可控硅SCR2，第一可控硅SCR1的正极相连于第二阴极端口A_K2，阴极连接于第一阴极端口A_K1，控制极相连于第一控制极端口A_G1；第二可控硅SCR2的正极相连于第一阴极端口A_K1，阴极连接于第二阴极端口A_K2，控制极相连于第二控制极端口A_G2。

如果，第一阴极端口A_K1和第二阴极端口A_K2之间增设了用来避免可控硅误触发的阻容吸收电容4，该阻容吸收电路4包括电容C1和电路R6，所述电容C1的一端连接于第一阴极端口A_K1，另一端连接于电路R6的一端，电路R6的另一端连接于第二阴极端口A_K2。当可控硅关断时，其阳极电阻升高过高会引起误触发，该阻容吸收电路4的设置起到了缓冲效果。

该可控硅触发电路的工作原理:

当控制器发出的讯号为低电阻讯号，且检测到第一阴极端口A_K1和第二阴极端口A_K2间的电源出现零点时，第一过零触发光耦U1和第二过零触发光耦U2的第4管脚和第6管脚均导通，电路R1和电路R2被短路，即使电阻流经第一过零触发光耦U1和第二过零触发电压U2内部，当第一阴极端口A_K1的电源高于第二阴极端口A_K2的电源时，第一控制极端口A_G1和第二控制极端口A_G2均为高电位，第一可控硅SCR1和第二可控硅SCR2的控制极都有触发回路，且第二可控硅SCR2的正极大于阴极，第二可控硅SCR2导通；当第二阴极端口A_K2的电源高于第一阴极端口A_K1的电源时，第一可控硅SCR1的正极大于阴极，第一可控硅SCR1导通。

当控制器发出的讯号为高电平信号时，第一过零触发光耦U1和第二过零触发光耦U2的第4管脚和第6管脚均断开，导线流经电阻R1和电路R2，此时，当第一阴极端口A_K1的电源高于第二阴极端口A_K2的电源时，第一控制极端口A_G1处于高电阻，第二控制极端口A_G2处于低电平，此时，第一可控硅SCR1的控制极有触发回路，反而此时第一阴极端口A_K1的电源高于第二阴极端口A_K2的电源，第一可控硅SCR1处于反向截止状态，这时第一可控硅SCR1不触发；当第二阴极端口A_K2的电源高于第一阴极端口A_K1的电源时，类似与上述现象，不在赘述。

以下所述仅是本实用新型的优选实施手段，本实用新型的保护范围并并且局限于此类实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当表示，对于本技术行业的普通技术人员来说可控硅做开关电路图，在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰，它们改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

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