mos 器件的stress spice仿真检查_mos管multisim仿真_irf mos管仿真(3)

4）LEVEL＝4 级别为4的MOS4模型又称BSIM（Berkeley short-channel IGFET model）模型。该模型 是由美国伯克利大学1984年专门为短沟道MOS 场效应晶体管而开发的模型，是AT&T Bell实验 室简练短沟道IGFET模型的改进型。模型是在 物理基础上建立的，模型参数由工艺文件经模 型参数提取程序自动产生，适用于数字电路和 模拟电路，而且运行时间比二级模型平均缩短 一半左右。现已发表的有BSIM1、BSIM2、 BSIM3和BSIM4等模型。 1）电流方程 线性区： 饱和区： 2）两个衬底PN结 当VBS 0时 当VBS 0时 当VBD 0时 3）PN结电容 两个PN结电容CBS和由底部势垒电容和侧壁势垒电容两部分组成。 4）栅电容 三个非线性栅电容CGB，CGS，CGD由随偏压变化和不随偏压变化的两部分构成。 其中不随偏压变化的部分是栅极与源区、漏区的交叠氧化层电容以及栅与衬底间的交叠氧化层电容（在场氧化层上） 。 随偏压而变的栅电容是栅氧化层电容与空间电荷区电容相串联的部分。 0 2/3 COXWLeff 0 饱和区 COXWLeff/2 COXWLeff/2 0 非饱和区 0 0 COXWLeff 截止区 CGD1 CGS1 CGB1 工作区 不同工作区的栅电容 5）串联电阻的影响 漏区和源区串联电阻的存在使加在漏源区的有效电压会小于加在外部端口处的电压，会影响MOS管的电学特性。

MOS1模型中引入了电阻rD和rS分别表示漏区和源区的串联电阻，其值可以在模型语句.MODEL中给定，也可通过MOS管的NRD和NRS来确定 。 （1）短沟和窄沟对阈值电压的影响； （2）横向和纵向的非均匀掺杂； （3）垂直场引起的载流子迁移率下降 （4）体效应； （5）载流子速度饱和效应； （6）漏感应引起位垒下降； （7）沟道长度调制效应； （8）衬底电流引起的体效应， （9）次开启导电问题； （10）漏／源寄生电阻。

本文来自电脑杂谈，转载请注明本文网址：
http://www.pc-fly.com/a/tongxinshuyu/article-49255-3.html