三星内存号和粒子解释

以代码M471B5273CH0-CH9为例，粒子K4B2G0846C-HCH9

三星内存编码

第一行: 4GB不解释. . 2RX8 = 8面，每面总共16个存储颗粒. PC3-10600 DDR3带宽10600mb / s

第二行: Samsung内存的产品编号，其中“ M”代表内存，“ 4”代表DRAM，“ 71”代表内存模块类型，“ B”代表DDR3. 应当注意，“ C”的含义是40nm. 当然，仍然不知道M379或M471是否会使用其他工艺颗粒，但是从主流的M378和M471开始，除了C代表40nm，B代表50nm和D代表30nm. CF8是8500，即1066HMz，CH9是10600，即1333HMz，后面的数字是批处理

三星记忆颗粒

三星内存颗粒的命名规则非常复杂. Samsung内存颗粒模型以16位数字代码命名. 其中，用户更加关注内存容量和工作速率的标识，因此介绍了这两个部分的含义.

编码规则: K 4 X X X X X X X X X-X X X X

主要含义:

第1位芯片功能K，表示存储芯片.

第2位芯片类型4，代表DRAM.

位3-A进一步描述芯片类型，S代表SDRAM，H代表DDR，G代表SGRAM，B代表DDR3系列.

第4位和第5位-容量和刷新率. 具有相同容量的内存使用不同的刷新率，并且使用不同的数字. 2G表示单个容量为256M（2G / 8，具体原因如下）

第6位和第7位-数据线引脚的数量，08表示8位； 16代表16位....以此类推

第8位-内存行: 3: 4bank（2 ^（3-1）），4: 8bank（2 ^（4-1））

第九位数-电压“ 6”代表电压标准，为1.5V，

第十位-“ C”代表修订版，实际上是40nm. 也就是说，粒子号和标签号的位置必须一致.

位置11-连接“-”.

如果“ Y”代表1.35V，则位13-“ C”代表1.5V.

第14位和第15位-芯片速度，H9位CL9规格. . 等等

了解内存粒子代码主要数字的含义，在拿到内存棒后很容易计算其容量. 例如，上面的三星DDR3内存包装有16个SAMSUNG K4B2G0846C-HCH9颗粒. 粒子号“ 2G”的第4位和第5位表示该粒子是256M单个粒子三星内存条编码含义，第6位和第7位的“ 08”表示该粒子是8位数据带宽. 最终容量为256 * 16 = 4G

注意: “位”是“数字”，“ B”是字节“字节”，一个字节是8位，然后在计算时除以8. 关于内存容量的计算，在本文给出的示例中有两种情况: 一种是非ECC内存，每8个8位数据宽度粒子可以组成一个内存；另一种是8位数据宽度粒子可以组成一个内存. 另一个是ECC存储器，在每64位数据之后，还会添加8位ECC校验码. 校验码可以检测存储数据中的两位错误并纠正一位错误. 因此，在实际计算容量的过程中，不计算校验位，并且将具有ECC功能的18颗粒内存模块的实际容量乘以16. 在购买时，还可以确定具有18个或9个内存芯片补丁的记忆棒是ECC内存.

1. 逻辑库的粒子深度称为1M，2M，4M，8M，16M和32M.

2. 粒子的位宽大于4位，8位，16位和32位. 目前，内存的位宽为8b和16b；

3. 粒子中的存储体数量为4、8和16，而DDR内存的位宽大多为4BANK. 当前DDR2和DDR3内存主要使用8个存储区；

4. BANK深度和BANK的乘积称为芯片深度（Chipdepth），也称为粒子长度或地址空间.

5. 粒子密度具有各种64Mb，128Mb三星内存条编码含义，256Mb，512Mb，1Gb和2Gb. DDR存储器的最大颗粒密度为512Mb；当前DDR3内存的颗粒密度可以达到8Gb.

6. 颗粒密度除以8b / B是每个颗粒的容量，以字节为单位.

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