CST仿真中泄漏同轴电缆衰减因子的探讨.pdf文本

光电电缆分会第八次专家组会议，康雷矿疑惑∥和粪便陆从亮，肖X，蓑-％②CST模拟中泄漏同轴电缆的衰减因子探讨袁伟文，兰彦瑞，Wang Weiwen，Lan Yanrui Wang Tian Hitachi RF Cable Co.漏泄同轴电缆技术规范，Ltd.强强总结: 基于电磁场理论，使用CST电磁场仿真软件从理论上对泄漏同轴电缆进行了深入研究. 本文首先在CST仿真中分析了影响泄漏同轴电缆纵向衰减的主要因素，然后在CST中使用时域求解器求解泄漏电缆的s参数，并据此计算泄漏电缆的纵向衰减. . 最后，将仿真结果与实际测试结果进行比较. 关键词: 泄漏同轴电缆图八槽CST电磁场仿真软件；纵向衰减S参数1.简介在泄漏同轴电缆的技术要求中，纵向衰减是一个重要指标. 中国已经进入3G网络时代，3G网络的使用频率将达到2GHz以上，这对泄漏同轴电缆的衰减性能提出了更高的要求. 在产品设计和开发中确保泄漏电缆的衰减指数非常重要. 目前，泄漏同轴电缆的设计主要是基于实验，但是基于电磁场理论在理论上有必要对泄漏电缆进行深入研究. CST是通用的电磁场仿真软件. 这种数值方法是基于麦克斯韦积分方程的离散化，最后基于网格的完全离散麦克斯韦方程的[11].

结合三个离散的介质方程，用中心差代替时间导数，生成一个显式方程. 以下是无消耗情况下的时间积分方程[I]: E斛¨2 = E¨¨2 + AtMfl【cM？日” + r】（1）H“ +1 =日”一＆∞弯头172（2）为了使用数值方法求解这些方程，有必要定义一个有限的计算区域，同时生成一个网格系统将计算区域划分为许多小的网格单元. Yee将电压E和磁通H的六个分量放置在空间中的任何六面体网格上，如图1所示[2]. ∞H1）EzG工人l. Ey Gpl·Saki图1 Yee空间离散网格+ Dr. 71 . 高质量的射频电缆技术研讨会⑨北光电电缆分会第八届专家组会见Ye，将电压E和磁通量H在时间轴上相差半步. 这两个量在时间轴上交替出现，如图2所示的著名的跨越过程所示. 在CST时域求解器中，方程的计算变量为电压E和磁通量H. f-γ+硅原子At是根据上一步的磁通量（，= at At）和前半部分的电压（toga + J反转了At）计算得出的. 明确指出的时间积分过程的稳定性是有条件的，并且每个网格元素的计算应满足等式（3）'11的稳定性条件. 该公式给出了时间步长（At）和网格步长（4 worker，dy，Az）之间的关系. △f≤（3）此外，对于辐射结构，边界始终是开放的，电磁场占据无限空间，并且计算机内存有限，因此只能模拟有限的空间.

也就是说，计算网格将在某处被截断. 这个开放空间是由开放边界模拟的. 对于高频问题，即使结构靠近物体，使用PML技术（完美匹配层）也是合适且准确的. CST将自动选择最佳尺寸的边框模拟框'11. ———●一—————————————————————————————————————————— 10-1 HnE Ye 1标H叶1图2叶电压E和磁通H的跨越过程本文首先分析了在CST仿真中影响泄漏同轴电缆纵向衰减的主要因素，然后在CST中使用时域求解器进行求解. 泄漏电缆的S参数，然后乘以计算泄漏电缆的纵向衰减. 最后，将模拟结果与实际测量和测试结果进行比较. 2.在0ST仿真中，影响泄漏同轴电缆衰减的主要因素. 对于泄漏的同轴电缆，造成传输损耗的因素有三个: 导体损耗，介电损耗和辐射损耗[31. 图3显示了八字形开槽电缆的纵向衰减测试图. 衰减曲线中出现“波纹”. 这种“波纹”可能会导致各个频率点的衰减不可接受. . 72.导体在周围区域衰减方向上的衰减取决于十个导体的阻抗和大小. 对于十维结构类型的电缆，损耗随着直径的增加而减小. 因此，为了减少电缆损耗，这意味着可以通过增加电缆的线径q来实现. 粗电缆的导体尺寸较大，显然对传输损耗的影响较小.

此环境. “总而言之，在CST模拟中，传输损耗l垂直仪表是由于填充介质，铜皮，泄漏电缆的槽结构和传输频率的损耗所致.

3. 以0ST仿真模型的确定为例，= string: 本文分析了CST-1中位于H的Danerning橙孔Hercules同轴电缆的建模部分. 天鹅绒的结构如图4所示. Lou帧的大小和频率的设置分别是inm和GHz. 同时，将背景材料设置为真实房屋，将边框设置为. opcn”. 以这种方式构建的模型是真实模型的实体. ⑨J. 一个高质量的射频电缆技术研讨会即将结束. 光电电缆分会第八届专家组会议. 图4.单八槽泄漏电缆csT仿真模型XO. 1mm，长度为1m. 内外导体电导率为5.810〜s / m，相对磁导率为l. 物理发泡后绝缘介质的相对介电常数为1.28，介电损耗角正切值设为10，相对磁导率则为l. 在泄漏同轴电缆的外导体上绘制一个八字形插槽漏泄同轴电缆技术规范，首先创建上述泄漏同轴电缆，该电缆是带有保形插槽的载体. 使用局部坐标系建立共形单位. 在单槽插槽中绘制一个笔划（或一个撇脂），然后将其拉伸到脸部，然后再拉伸到身体中，当然，请注意该保形单元“一个笔划（或一个撇脂）”和在外部新建立的导体铜带必须完全交叉. 构造后，保形单元和外部导体铜带被布尔相乘，其功能是取两个物体相交的部分. 这样，单个槽孔与泄漏同轴. 电缆的外部导体已建立. 下一步是在泄漏同轴电缆上添加一个激励端口，并在泄漏电缆的两个端面上定义波导端口以计算S参数.

在此示例中，我们将使用CST时域求解器来计算2.6 GHz以下频率的S参数. 通过在时域求解器的对话框中设置“精度”参数，可以控制截断误差[6]. 为了获得高精度结果，可以将精度设置为. 50分贝此外，使用全自动自适应网格加密来收敛结果，以确保解决方案的准确性[6]. S参数的仿真结果如图5所示. r-rt，tⅣnlo/，G№图5.单缝泄漏同轴电缆纵向衰减的仿真值4.仿真结果与实际测试结果的比较设计目标频率单时隙时隙的频带是800MHz和900MHz. 我们在泄漏同轴电缆测试现场试制了示例电缆并进行了相关测试. 根据IEC61196--4标准，纵向衰减测试结果如图6所示. . 74. i鹿猴瑶晶嘲笑蜀鹿. 2.鳓·na·_』Ⅱ圆周6单个n槽泄漏同轴电缆鲤鱼定向衰减测试项目7菜单字槽鬻鬻同轴电测量与纵向测量相当simulation模拟结果比较将单字符细孔泄漏同轴电缆的纵向电缆减速率与现un 1炉排的值进行比较. 如切7所示. 在缺失的800MHz和900MHz段上的模拟“值”，将测试值接吻. 在较高的频带上，模拟值. 实际的测试衬衫的删除效果相对较差. 这需要改进. 5.结束语它是CST电磁场Yugong中的单特性泄漏同轴电缆的模型. 田甜在讨论中讨论了泄漏电缆的纵向衰减的影响.

我们计算泄漏电缆的S参数. ¨将泄漏电缆的纵向衰减的模拟计算值与实际测量值和测试值进行比较. 参考文献: [fI] tCSTI上的微技术联盟是向湘的假装. SYce，N Pazhou ind的20个职位明确表示初始无穷大『2』K302t307，1966 IEEETms ^ n Yo瞄准P“ pagatvo】AP-14. PP [3l与一般化相当. 赖宗美赢得Z轴H轴绕线吨位衰减射击对埋藏的天寨电线的同轴电控制分析. 2008年4月[5] YangⅡBiologyⅡFrog Bubble FEP Book Extrusion I兰光材料公司的Asahi Rakusha R使用该技术，vl [6j张敏CST微波L作为用户出版的书（第_1卷7电学，科学悬挂大学…版） 2004 2004

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