充电器原理图 Android移动开发技术文章(3)

params->dsi.cont_clock=1;

params->dsi.clk_lp_per_line_enable=0;

2,data lane每一行回一次LP11，clk lane每一帧回一次LP，对应配置：

params->dsi.cont_clock=0;

params->dsi.clk_lp_per_line_enable=0;

3，data lane和clk lane都是每行回一次LP11，对应配置：

params->dsi.cont_clock=0;

params->dsi.clk_lp_per_line_enable=1;

6.LCM CABC 配置

参考[FAQ12413]

7.MHL 卡顿问题

8.ESD机制各个平台的差异：

对于89/72/82等新平台，Display架构做了调整，ESD的实现方式与之前的75/77等平台稍有差异。

对于之前75/77平台，可以参考FAQ03210及FAQ05163.

新旧架构下，主要是DSI Video Mode下ESD方式不一样。

之前的架构下Video Mode的屏采用检测外部TE或者内部TE来做ESD Check，因此需要在lcm driver中配置相应的参数。

新架构下不支持外部TE或内部TE来做ESD check, lcm_get_params中关于esd的参数不用再配置。

如lcm_int_te_monitor、lcm_int_te_period、lcm_ext_te_monitor等无需配置。

[SOLUTION]

新的Display架构下，DSI Video Mode及DSI Command Mode都采用读寄存器的方式来进行esd check.

因此都只需要在lcm driver中实现esd_check和esd_recover函数即可。

对于具体读取哪些寄存器来进行esd check，需要与屏厂确认。

ESD实现后如果出现每两秒闪屏的问题，可以按如下流程处理：

1. 首先检查esd check中是否添了过多的log信息或者有delay操作，建议先去掉所有log测试。

2. 如果依然出现每两秒闪屏，可参考FAQ05680和FAQ05681进行处理。

9.DBI/DPI接口的GPIO的配置情况

DBI：DBI接口分为串行和并行两种。由lcm_params->ctrl这个参数控制。

LCM_CTRL_SERIAL_DBI/LCM_CTRL_PARALLEL_DBI

1.)如果是serial类型的，是通过MT6572 datasheet里面的0x14012028 DBI_SCNF (DBI Serial Interface Configuration Register)这个寄存器来config串行接口。比如使用I还是A,LSCK上升沿还是下降沿发送数据 ，LSCK在没有数据的时候是LOW/HIGH.

配置几个GPIO pin：LSCE0B(相当于数据使能信号，低电平有效), LSCK, A/I(传送command时用),DBI[XX:0](传 送data时用)

CSS,CSH：chip select setup time/chip select hold time

(这两个时间之内是不会传数据的，Invalid data)

2.)如果是Parallel类型的,

配置几个GPIO pin：LPCE0B(相当于CS信号，低电平有效), LPA0(RS信号，MTK平台上面和CS信号是同步的), LCD CLK，LPWRB/LPRDB(类似数据使能信号)和DBI[XX:0](复用DPI的data pin，传送data和command时用)

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