简单的mos管开关电路图

好的MOSFET驱动电路具有以下要求:

（1）接通开关时，驱动电路应能够提供足够大的充电电流，以快速将MOSFET的栅极和源极之间的电压增加到所需值，以确保开关能够迅速打开，上升沿没有高频振荡.

（2）驱动电路可以确保MOSFET的栅极和源极之间的电压在接通期间保持稳定并可靠地导通.

（3）关断时刻的驱动电路可以为MOSFET的栅极和源极之间的电容器电压的快速放电提供尽可能低的阻抗的路径，从而确保可以关断开关很快.

（4）驱动电路结构简单可靠，损耗低.

（5）根据情况进行隔离.

下面介绍了几种模块电源中常用的MOSFET驱动电路.

1，功率IC直接驱动MOSFET

图1 IC直接驱动MOSFET

功率IC直接驱动是我们最常用的驱动方法，也是最简单的驱动方法. 使用这种驱动方法时，应注意几个参数以及这些参数的影响. 首先，检查功率IC手册，其最大驱动峰值电流，由于芯片不同，驱动能力常常不同. 其次，了解MOSFET的寄生电容，如图1所示的C1，C2值. 如果C1和C2的值较大，则导通MOS管所需的能量也较大. 如果功率IC没有相对较大的驱动峰值电流，则电子管的速度相对较慢. 如果驱动能力不足，则在上升沿可能会发生高频振荡. 即使在图1中降低Rg，也无法解决问题！ IC驱动能力，MOS寄生电容大小和MOS管开关速度等因素都会影响驱动电阻. 选择，因此Rg不能无限降低.

2. 当功率IC驱动能力不足时

如果将MOS管的寄生电容选择为较大，并且功率IC的内部驱动能力不足，则必须增强驱动电路中的驱动能力. 图腾柱电路通常用于提高功率IC的驱动能力，如电路图2的虚线框所示.

图2图腾柱驱动MOS

该驱动电路的作用是提高电流供应能力，并快速完成栅极输入电容器充电的充电过程. 这种拓扑结构增加了开启所需的时间mos管开关电压，但减少了关闭时间，开关可以快速开启，并避免了上升沿的高频振荡.

3. 驱动电路加快了MOS管的关断时间

图3加速MOS关闭

关断时的驱动电路可以为MOSFET的栅极和源极之间的电容器电压的快速放电提供一条路径，使其具有尽可能低的阻抗，从而确保可以快速关断开关. 为了快速释放栅极和源极之间的电容器电压，通常将电阻器和二极管并联连接到驱动电阻器，如图3所示，其中D1通常用作快速恢复二极管. 这减少了关闭时间并减少了关闭期间的损耗. Rg2可以防止电流在关闭时过大，从而烧毁功率IC.

图4改进的加速MOS关断

第二点引入的图腾柱电路也具有加快关机速度的作用. 当功率IC的驱动能力足够时，对图2中电路的改进可以加快MOS管的关断时间，从而得到如图4所示的电路. 使用三极管对电容器之间的电压放电比较普遍. 门和源. 如果Q1的发射极没有电阻，则当PNP晶体管导通时，栅极和源极之间的电容会短路，以在最短的时间内释放电荷，从而使关断期间的交叉损耗最小. 与图3的拓扑相比，还有一个优点是，当栅极和源极之间的电容器上的电荷放电时，电流不会流过功率IC，从而提高了可靠性.

4. 驱动电路加快了MOS管的关断时间

图5隔离驱动器

为了满足图5所示的高端MOS管的驱动，经常使用变压器驱动，有时还使用变压器驱动来满足安全隔离的要求. 其中，R1的目的是抑制PCB板上的寄生电感，从而与C1形成LC振荡. C1的目的是分离直流电mos管开关电压，使交流电通过，并防止磁芯饱和.

5. 源输出为高电压时驱动

当源输出为高电压时，我们需要使用偏置电路来达到该电路的目的. 两者都使用源参考点建立偏置电路，并且驱动电压在两个电压之间波动. 电压偏差由低压提供，如下图6所示.

图6源输出为高电压时的驱动电路

除上述驱动电路外，还有许多其他形式的驱动电路. 对于所有类型的驱动电路，没有一个驱动电路是最好的. 仅结合特定的应用，才会选择最合适的驱动器.

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