TSMC和Broadcom将建造1700 mm2的大型内插器

晶体管越来越小，但是对高性能计算的需求却越来越高，有些人正相反，试图制造非常大的芯片.

我们曾经见过Cerebras Systems创建的世界上最大的芯片WSE，具有46225平方毫米的面积，1.2万亿个晶体管，400,000个AI核，18GB SRAM缓存……并受到美国国防部的青睐和部署. 能量.

现在，台积电和Broadcom共同宣布，双方将使用CoWos技术创建面积为1700平方毫米的中介层，这是用于芯片蚀刻的光掩模（掩模）的尺寸限制. 858平方毫米恰好是两倍.

很明显，这种大小的插入器无法一次制造. 台积电实际上是同时蚀刻晶圆上的多个中介层surface pro40msurface pro40m，然后将它们连接在一起以形成一个整体.

在技术上，台积电还使用最先进的5nm EUV（N5），该技术将于今年上半年投入量产.

所谓的中介层用于桥接不同的芯片. 由于现代芯片变得越来越复杂，制造单个大型SoC的成本也在增加，因此该行业开发了各种新的封装技术. 将不同的小芯片和模块集成在一起，形成一个大芯片.

Broadcom计划使用这种巨大的插入器来封装多个SoC芯片和六个HMB2存储器，单个容量为16GB，总容量为96GB / s，带宽最高为2.7TB / s.

看看这个规范，它应该是三星最新的HBM2E.

TSMC和高通公司没有透露这款巨大芯片的具体规格，但表示将在高性能计算领域中使用.

此外，台积电仍在改善CoWoS封装技术，因此将来不排除面积大于1700平方毫米的更大芯片.

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